Epitaxy of GaN LEDs on large substrates: Si or sapphire?

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering

Volumn 6355, Issue , 2006, Pages

  Dadgar, A ^a,b   Hums, C ^a,b   Diez, A ^a   Schulze, F ^a   Blasing J ^a   Krost, A ^a,b  

^a OTTO VON GUERICKE UNIVERSITY   (Germany)

^b AZZURRO Semiconductors AG   (Germany)

Author keywords

GaN; GaN on Si; LED; MOVPE; Si; Stress

Indexed keywords

GALLIUM NITRIDE; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; SAPPHIRE; SEMICONDUCTOR GROWTH; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; X RAY DIFFRACTION;

LIGHT EXTRACTION; MULTIQUANTUM WELL GROWTH;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 33845599984     PISSN: 0277786X     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1117/12.691576     Document Type: Conference Paper

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