Nanoscale limited area growth of InAs islands on GaAs(001) by molecular beam epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 91, Issue 5, 2002, Pages 3282-3288

  Lee, S C ^a   Stintz, A ^a   Brueck, S R J ^a  

^a UNIVERSITY OF NEW MEXICO   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 33845449163     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1436303     Document Type: Article

References (32)

1. For a review, see Self-Assembled InGaAs/GaAs Quantum Dots, edited by M. Sugawara (Academic, San Diego, 1999).
2. S. Jeppesen, M. S. Miller, D. Hessman, B. Kowalski, I. Maximov, and L. Samuelson, Appl. Phys. Lett. 68, 2228 (1996).
3. C. H. Hahn, Y. J. Park, E. K. Kim, D. K. Min, S. K. Jung, and J. H. Park, Appl. Phys. Lett. 73, 2479 (1998).
4. T. Ishikawa, T. Nishimura, S. Kohmoto, and K. Asakawa, Appl. Phys. Lett. 76, 167 (2000).
5. H. Lee, J. A. Johnson, M. Y. He, J. S. Speck, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 78, 105 (2001).
6. B. H. Choi, C. M. Park, S. H. Song, N. H. Son, S. W. Hwang, D. Ahn, and E. K. Kim, Appl. Phys. Lett. 78, 1403 (2001).
7. D. S. Mui, D. Leonard, L. A. Coldren, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 66, 1620 (1995).
8. M. Kitamura, M. Nishioka, J. Oshinowo, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 66, 3663 (1995).
9. Y. Sugiyama, Y. Sakuma, S. Muto, and N. Yokoyama, Appl. Phys. Lett. 67, 256 (1995).
10. W. Seifert, N. Carlsson, A. Petersson, L.-E. Wernersson, and L. Samuelson, Appl. Phys. Lett. 68, 1684 (1996).
11. M. Araki, Y. Hanada, H. Fuhikura, and L. Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 1763 (1997).
12. R. Tsui, R. Zhang, K. Shiralagi, and H. Gorokin, Appl. Phys. Lett. 71, 3254 (1997).
13. A. Konkar, A. Madhukar, and P. Chen, Appl. Phys. Lett. 72, 220 (1998).
14. S. C. Lee, L. R. Dawson, K. J. Malloy, and S. R. J. Brueck, Appl. Phys. Lett. 79, 2630 (2001).
15. S. C. Lee, K. J. Malloy, and S. R. J. Brueck, J. Appl. Phys. 90, 4163 (2001).
16. T. R. Ramachandran, A. Madhukar, I. Mukhametzhanov, R. Heitz, A. Kalburge, Q. Xie, and P. Chen, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1330 (1998).
17. H. R. Eisenberg and D. Kandel, Phys. Rev. Lett. 85, 1286 (2000).
18. H. J. Kim and Y. H. Xie, Appl. Phys. Lett. 79, 263 (2001).
19. C. J. Huang, Y. Yang, D. Z. Li, B. W. Cheng, L. P. Luo, J. Z. Yu, and Q. M. Wang, Appl. Phys. Lett. 78, 2006 (2001).
20. S. Hinooda, S. Loualiche, B. Lambert, N. Bertru, M. Paillard, X. Marie, and T. Amend, Appl. Phys. Lett. 78, 3052 (2001).
21. S. R. J. Brueck, S. H. Zaidi, X. Chen, and Z. Zhang, Microelectron. Eng. 41/42, 145 (1998).
22. K. R. Evans, C. E. Stutz, E. N. Taylor, and J. E. Ehret, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 2427 (1991).
23. G. D. Lian, J. Yuan, L. M. Brown, G. H. Kim, and D. A. Ritchie, Appl. Phys. Lett. 73, 49 (1998).
24. N. Moll, M. Scheffler, and E. Pehlke, Phys. Rev. B 58, 4566 (1998).
25. D. J. Bottomley, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 259 (1999).
26. J. Marques, L. Geelhaar, and K. Jacobi, Appl. Phys. Lett. 78, 2309 (2001).
27. T. Mano, K. Watanabe, S. Tsukamoto, H. Fujioka, M. Oshima, and N. Koguchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L1009 (1999).
28. A. F. Tsatsul'nikov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, Yu. M. Shernyakov, Yu. G. Musikhin, V. M. Ustinov, N. A. Bert, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, A. M. Minairov, J. L. Merz, N. N. Lendentsov, and D. Bimberg, J. Appl. Phys. 88, 6272 (2000).
29. A. Stintz, G. T. Liu, A. L. Gray, R. Spillers, S. M. Delgado, and K. J. Malloy, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1496 (2000).
30. S. Luryi and E. Suhir, Appl. Phys. Lett. 49, 140 (1986).
31. E. A. Fizgerald, G. P. Watson, R. E. Proano, D. G. Ast, P. D. Kirchner, G. D. Pettit, and J. M. Woodall, J. Appl. Phys. 65, 2220 (1989).
32. A. Fischer and H. Richter, Appl. Phys. Lett. 61, 2656 (1992).