Organic thin-film transistors with low-temperature AlN film as gate insulator

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 10, Issue 1, 2007, Pages

  Zan, Hsiao Wen ^a   Yen, Kuo Hsi ^a   Chen, Chien Hsun ^b   Liu, Pu Kuan ^a   Ku, Kuo Hsin ^a   Hwang, Jennchang ^b  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM NITRIDE; PERMITTIVITY; SEMICONDUCTING FILMS; SEMICONDUCTING ORGANIC COMPOUNDS; SPUTTERING; SURFACE ROUGHNESS;

DIELECTRIC BREAKDOWN; DIELECTRIC SURFACES; FIELD EFFECT MOBILITY;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 33845365119     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2372227     Document Type: Article

References (25)

1. B. K. Crone, A. Dodabalapur, R. Sarpeshkar, R. W. Filas, Y. Y. Lin, Z. Bao, J. H. O'Neill, W. Li, and H. E. Katz, J. Appl. Phys., 89, 5125 (2001).
2. H. E. A. Huitema, G. H. Gelink, J. B. P. H. van der Putten, K. E. Kuijk, K. M. Hart, E. Cantatore, and D. M. de Leeuw, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.), 14, 1201 (2002).
3. P. Mach, S. J. Rodriguez, R. Nortrup, P. Wiltzius, and J. A. Rogers, Appl. Phys. Lett., 78, 3592 (2001).
4. H. Klauk, M. Halik, U. Zschieschang, G. Schmid, W. Radlik, and W. Weber, J. Appl. Phys., 92, 5259 (2002).
5. I. Rutenberg, O. A. Scherman, R. H. Grubbs, W. Jiang, E. Garfunkel, and Z. Bao, J. Am. Chem. Soc., 126, 4062 (2004).
6. Y. Kato, S. Iba, R. Teramoto, T. Sekitani, T. Someya, H. Kawaguchi, and T. Sakurai, Appl. Phys. Lett., 84, 3789 (2004).
7. L. A. Majewski, M. Grell, S. D. Ogier, and J. Veres, Org. Electron., 4, 27 (2003).
8. J. Lee, J. H. Kim, and S. Im, Appl. Phys. Lett., 83, 2689 (2003).
9. K. Ueno, S. Abe, R. Onoki, and K. Saiki, J. Appl. Phys., 98, 114503 (2005).
10. H. Ohta, T. Kambayashi, K. Nomura, M. Hirano, K. Ishikawa, H. Takezoe, and H. Hosono, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.), 16, 312 (2004).
11. G. Wang, D. Moses, A. J. Heeger, H.-M. Zhang, M. Narasimhan, and R. E. Demaray, J. Appl. Phys., 95, 316 (2004).
12. K. T. Kang, M.-H. Lim, H.-G. Kim, Y. W. Choi, H. L. Tuller, I.-D. Kim, and J.-M. Hong, Appl. Phys. Lett., 87, 242908 (2005).
13. C. S. Kim, W. J. Kim, S. J. Jo, S. W. Lee, S. J. Lee, and H. K. Baik, Electrochem. Solid-State Lett., 9, G96 (2006).
14. L. Valbin, L. Sevely, and S. Spirkovitch, Proc. SPIE, 4174, 154 (2000).
15. C.-M. Yeh, C. H. Chen, J.-Y. Gan, C. S. Kou, and J. Hwang, Thin Solid Films, 483, 6 (2005).
16. M. McDowell, I. G. Hill, J. E. McDermott, S. L. Bernasek, and J. Schwartz, Appl. Phys. Lett., 88, 073505 (2006).
17. K. N. Narayanan Unni, S. Dabos-Seignon, and J.-M. Nunzi, J. Phys. D, 38, 1148 (2005).
18. A. Rolland, J. Richard, J. P. Kleider, and D. Mencaraglia, J. Electrochem. Soc., 140, 3679 (1993).
19. D. Knipp, R. A. Street, A. Volkel, and J. Ho, J. Appl. Phys., 93, 347 (2003).
20. L. A. Majewski, R. Schroeder, M. Voigt, and M. Grell, J. Phys. D, 37, 3367 (2004).
21. L. A. Majewski, R. Schroeder, and M. Grell, Adv. Funct. Mater., 15, 1017 (2005).
22. J.-M. Kim, J.-W. Lee, J.-K. Kim, B.-K. Ju, J.-S. Kim, Y.-H. Lee, and M.-H. Oh, Appl. Phys. Lett., 85, 6368 (2004).
23. S. Steudel, S. De Vusser, S. De Jonge, D. Janssen, S. Verlaak, J. Genoe, and P. Heremans, Appl. Phys. Lett., 85, 4400 (2004).
24. Y.-H. Le, Y.-S. Kim, B.-K. Ju, and U.-H. Oh, IEEE Trans. Electron Devices, 46, 892 (1999).
25. S. E. Fritz, T. W. Kelley, and C. D. Frisbie, J. Phys. Chem. B, 109, 10574 (2005).