Low-voltage, high-performance organic field-effect transistors with an ultra-thin TiO2 layer as gate insulator

Advanced Functional Materials

Volumn 15, Issue 6, 2005, Pages 1017-1022

  Majewski, Leszek Artur ^a   Schroeder, Raoul ^a   Grell, Martin ^a  

^a UNIVERSITY OF SHEFFIELD   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITANCE; CARRIER MOBILITY; CHEMICAL MODIFICATION; ELECTRIC INSULATORS; ELECTRIC POTENTIAL; GATES (TRANSISTOR); MONOLAYERS; ORGANIC POLYMERS; TITANIUM DIOXIDE;

GATE INSULATORS; ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTORS (OFET); PENTACENE; POLY(TRIARYLAMINE) (PTAA);

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 20544476725     PISSN: 1616301X     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.200400570     Document Type: Article

References (22)

1. H. E. Katz, Chem. Mater. 2004, 16, 4748.
2. J. Veres, S. D. Ogier, G. Lloyd, D. M. de Leeuw, Chem. Mater. 2004, 16, 4543.
3. H. Klauk, M. Halik, U. Zschieschang, G. Schmid, W. Radlik, W. Weber, Appl. Phys. Lett. 2002, 92, 5259.
4. R. Parashkov, E. Becker, G. Giniev, T. Riedl, H. H. Johannes, W. Kowalsky, J. Appl. Phys. 2004, 95, 1594.
5. S. Uemura, M. Yoshida, S. Hoshino, T. Kodzasa, T. Kamata, Thin Solid Films 2003, 378, 438.
6. L. L. Chua, P. K. H. Ho, H. Sirringhaus, R. H. Friend, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 3400.
7. R. Schroeder, L. A. Majewski, M. Grell, Adv. Mater., in press.
8. J. Lee, J. H. Kim, S. Im, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2689.
9. W. Kalb, P. Lang, M. Mottaghi, H. Aubin, G. Horowitz, M. Muttig, Synth. Met. 2004, 146, 279.
10. S. J. Kang, K. B. Chung, D. S. Park, H. J. Kim, Y. K. Choi, M. H. Jang, M. Noh, C. N. Whang, Synth. Met. 2004, 146, 351.
11. M. R. Yisokay, J. J. Chambers, A. L. P. Rotondaro, A. Shanware, L. Colombo, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 3183.
12. J. Yuan, J. Zhang, J. Wang, D. Yan, W. Xu, Thin Solid Films 2004, 450, 316.
13. L. A. Majewski, M. Grell, J. Veres, S. D. Ogier, Org. Electron. 2003, 4, 27.
14. Y. Fujisaki, Y. Inoue, T. Kurita, S. Tokito, H. Fujikake, H. Kikuchi, Jpn. J. Appl. Phys. 2004, 43, 372.
15. L. A. Majewski, R. Sehroeder, M. Grell, J. Phys. D: Appl. Phys. 2005, 37, 3367.
16. G. D. Wilk, R. M. Wallace, J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 2001, 89, 5243.
17. L. A. Majewski, R. Schroeder, M. Grell, Adv. Mater. 2005, 17, 192.
18. S. A. Campbell, H. S. Kim, D. C. Gilmer, B. He, T. Ma, W. L. Gladfelter, IBM J. Res. Dev. 1999, 4, 383.
19. G. Horowitz, Adv. Mater. 1998, 10, 365.
20. T. W. Kelly, P. F. Bause, C. Gerlach, D. E. Ender, D. Muyres, M. A. Haase, D. E. Vogel, S. D. Theiss, Chem. Mater. 2004, 16, 4413.
21. J. Veres, S. D. Ogier, S. W. Leeming, D. C. Cupertino, Adv. Funct. Mater. 2003, 13, 199.
22. M. J. Deen, M. H. Kazemeini, Y. M. Haddara, J. Yu, G. Vamvounis, S. Holdcroft, W. Woods, IEEE Trans. Electron Devices 2004, 57, 1892.