Pentacene thin-film transistors with Al2O3+x gate dielectric films deposited on indium-tin-oxide glass

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 13, 2003, Pages 2689-2691

  Lee, Jiyoul ^a   Kim, J H ^a   Im, Seongil ^a  

^a Yonsei University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINA; CAPACITANCE; DIELECTRIC FILMS; GLASS; INDIUM COMPOUNDS; STOICHIOMETRY;

GATE DIELECTRIC;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 0142088983     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1613997     Document Type: Article

References (20)

1. D. J. Gundlach, Y. Y. Lin, T. N. Jackson, S. F. Nelson, and D. G. Schlom, IEEE Electron Device Lett. 18, 87 (1997).
2. H. Klauk, D. J. Gundlach, M. Bonse, C. C. Kuo, and T. N. Jackson, Appl. Phys. Lett. 76, 1692 (2000).
3. A. R. Brown, A. Pomp, D. M. de Leeuw, D. B. M. Klaassen, E. E. Havinga, P. Herwig, and K. Mullen, J. Appl. Phys. 79, 2136 (1996).
4. R. A. Street, D. Knipp, and A. R. Vökel, Appl. Phys. Lett. 80, 1658 (2002).
5. D. Knipp, R. A. Street, A. Vökel. and J. Ho, J. Appl. Phys. 93, 347 (2003).
6. A. Dodabalapur, Z. Bao, A. Makhijia, J. G. Laquindanum, V. R. Raju, Y. Feng, H. E. Katz, and J. Rogers, Appl. Phys. Lett. 73, 142 (1998).
7. H. Klauk, D. J. Gundlach, J. A. Nicholas, and T. N. Jackson, IEEE Trans. Electron Devices 46, 1258 (1999).
8. C. D. Sheraw, L. Zhou, J. R. Huang, D. J. Gundlach, T. N. Jackson, M. G. Kane, I. G. Hill, M. S. Hammond, J. Campi, B. K. Greening, J. Francl, and J. West, Appl. Phys. Lett. 80, 1088 (2002).
9. C. D. Dimitrakopoulos and P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 99 (2002).
10. D. J. Gundlach, C. C. Kuo, S. F. Nelson, and T. N. Jackson, 57th Annual Device Research Conference Digest, 1999, p. 164.
11. G. Horowitz, X. Z. Peng, D. Fichou, and F. Garnier, Synth. Met. 51, 419 (1992).
12. C. J. Drury, C. M. J. Mutsaers, C. M. Hart, M. Matters, and D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 73, 108 (1998).
13. M. Halik, H. Klauk, U. Zschieschang, T. Kriem, G. Schmid, W. Radlik, and K. Wussow, Appl. Phys. Lett. 81, 289 (2002).
14. H. E. Katz, X. M. Hong, A. Dodabalapur, and R. Sarpeshkar, J. Appl. Phys. 91, 1572 (2002).
15. J. Lee, S. S. Kim, and S. Im, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 953 (2003).
16. M. C. J. M. Vissenberg and M. Matters, Phys. Rev. B 57, 12964 (1998).
17. M. D. Groner, J. W. Elam, F. H. Fabreguette, and S. M. George, Thin Solid Films 413, 186 (2002).
18. G. Horowitz, R. Hajalaoui, D. Fichou, and A. E. Kassami, J. Appl. Phys. 85, 3202 (1999).
19. C. D. Dimitrakopoulos, S. Purushothaman, J. Kymissis, A. Callegari, and J. M. Shaw, Science 283, 822 (1999).
20. E. J. Meijer, C. Tanase, P. W. M. Blom, E. van Veenendaal, B.-H. Huisman, D. M. de Leeuw, and T. M. Klapwijk, Appl. Phys. Lett. 80, 3838 (2002).