Effect of double-sided CaTiO3 buffer layers on the electrical properties of CaCu3Ti4O12 films on Pt/Ti/SiO2Si substrates

Journal of Applied Physics

Volumn 100, Issue 10, 2006, Pages

  Fang, Liang ^c   Shen, Mingrong ^c   Li, Zhenya ^a,b  

^a CCAST WORLD LABORATORY   (China)

^b SOOCHOW UNIVERSITY   (China)

^c NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CALCIUM COMPOUNDS; CRYSTALLIZATION; CURRENT DENSITY; DEPOSITION; DIELECTRIC RELAXATION; ELECTRIC PROPERTIES; ELECTRODES; LEAKAGE CURRENTS; MULTILAYERS;

BUFFER LAYERS; DEPOSITION TEMPERATURE; MULTILAYERED FILMS;

THIN FILMS;

EID: 33845231977     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2374952     Document Type: Article

References (29)

1. C. C. Homes, T. Vogt, S. M. Shapiro, S. Wakimoto, and A. P. Ramirez, Science 293, 673 (2001).
2. M. A. Subramanian, L. Dong, N. Duan, B. A. Reisner, and A. W. Sleight, J. Solid State Chem. 151, 323 (2000).
3. N. Kolev, R. P. Bontchev, A. J. Jacobson, V. N. Popov, V. G. Hadjiev, A. P. Litvinchuk, and M. N. Iliev, Phys. Rev. B 66, 132102 (2002).
4. M. H. Cohen, J. B. Neaton, L. X. He, and D. Vanderbilt, J. Appl. Phys. 94, 3299 (2003).
5. P. Lunkenheimer, V. Bobnar, A. V. Pronin, A. I. Ritus, A. A. Volkov, and A. Loidl, Phys. Rev. B 66, 052105 (2002).
6. D. C. Sinclair, T. B. Adams, F. D. Morrison, and A. R. West, Appl. Phys. Lett. 80, 2153 (2002).
7. L. Zhang, Appl. Phys. Lett. 87, 022907 (2005).
8. S. Y. Chung, I. D. Kim, and S. J. L. Kang, Nat. Mater. 3, 774 (2004).
9. P. Lunkenheimer, R. Fichtl, S. G. Ebbinghaus, and A. Loidl, Phys. Rev. B 70, 172102 (2004).
10. I. D. Kim, A. Rothschild, T. Hyodo, and H. L. Tuller, Nano Lett. 6, 193 (2006).
11. E. A. Patterson, S. Kwon, C. C. Huang, and D. P. Cann, Appl. Phys. Lett. 87, 182911 (2005).
12. R. Mazumder, A. Seal, A. Sen, and H. S. Maiti, Ferroelectrics 326, 103 (2005).
13. W. Kobayashi and I. Terasaki, Appl. Phys. Lett. 87, 032902 (2005).
14. Y. Lin, Appl. Phys. Lett. 81, 631 (2002).
15. W. Si, E. M. Cruz, P. D. Johnson, P. W. Barnes, P. Woodward, and A. P. Ramirez, Appl. Phys. Lett. 81, 2056 (2002).
16. A. Tselev, C. M. Brooks, S. M. Anlage, H. Zheng, L. S. Riba, R. Ramesh, and M. A. Subramanian, Phys. Rev. B 70, 144101 (2004).
17. R. L. Nigro, R. G. Toro, G. Malandrino, M. Bettinelli, A. Speghini, and I. L. Fragala, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 16, 891 (2004).
18. L. Fang, M. R. Shen, and W. W. Cao, J. Appl. Phys. 95, 6483 (2004).
19. L. Fang, M. R. Shen, J. Yang, and Z. Y. Li, J. Phys. D 38, 4236 (2005).
20. C. Wang, Q. F. Fang, Z. G. Zhu, A. Q. Jiang, S. Y. Wang, B. L. Cheng, and Z. H. Chen, Appl. Phys. Lett. 82, 2880 (2003).
21. F. Yan, Y. N. Wang, H. L. W. Chan, and C. L. Choy, Appl. Phys. Lett. 82, 4325 (2003).
22. F. M. Pontes, E. Longo, E. R. Leite, and J. A. Varela, Appl. Phys. Lett. 84, 5470 (2004).
23. E. S. Lee, H. W. Chung, S. H. Lim, and S. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 86, 032903 (2005).
24. S. Ezhilvalavan, V. D. Samper, and J. Y. Ying, Appl. Phys. Lett. 87, 252907 (2005).
25. A. Srivastava, V. Gupta, C. K. Sarkar, R. R. Das, P. Bhattacharya, and R. S. Katiyar, J. Appl. Phys. 100, 034102 (2006).
26. Y. L. Zhao, G. W. Pan, Q. B. Ren, Y. G. Cao, L. X. Feng, and Z. K. Jiao, Thin Solid Films 445, 7 (2003).
27. P. C. Joshi and S. B. Desu, J. Appl. Phys. 80, 2349 (1996).
28. C. Wang, M. Takahashi, H. Fujino, X. Zhao, E. Kume, T. Horiuchi, and S. Sakai, J. Appl. Phys. 99, 054104 (2006).
29. R. L. Nigro, G. Malandrino, R. G. Toro, M. Losurdo, G. Bruno, and I. L. Fragala, J. Am. Chem. Soc. 127, 13772 (2005).