Temperature-dependent bimodal size evolution of InAs quantum dots on vicinal GaAs(100) substrates

Journal of Applied Physics

Volumn 100, Issue 10, 2006, Pages

  Liang, S ^a   Zhu, H L ^a   Wang, W ^a  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SUBSTRATES;

SIZE DISTRIBUTION; VICINAL SUBSTRATES;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 33845221259     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2384775     Document Type: Article

References (20)

1. A. A. El-Emawy, S. Birudavolu, P. S. Wong, Y. B. Jiang, H. Xu, S. Huang, and D. L. Huffakera, J. Appl. Phys. 93, 3529 (2003).
2. H. Y. Liu, M. Hopkinson, C. N. Harrison, M. J. Steer, R. Frith, I. R. Sellers, D. J. Mowbray, and M. S. Skolnick, J. Appl. Phys. 93, 2931 (2003).
3. P. B. Joyce, T. J. Krzyzewski, G. R. Bell, T. S. Jones, E. C. Le Ru, and R. Murray, J. Appl. Phys. 64, 23531 (2001).
4. T. Yang, S. Tsukamoto, J. Tatebayashi, M. Nishioka, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 85, 2753 (2004).
5. Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982).
6. M. Kitamura, M. Nishioka, J. Oshinowo, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 66, 3663 (1995).
7. J. Porsche, A. Ruf, M. Geiger, and F. Scholz, J. Cryst. Growth 195, 591 (1998).
8. I. V. Kudryashov, V. P. Evtikhiev, V. E. Tokranov, E. Y. Kotelnikov, A. K. Kryganovskii, and A. Titkov, J. Cryst. Growth 201/202, 1158 (1998).
9. H. J. Kim, Y. J. Park, Y. M. Park, and E. K. Kim, Appl. Phys. Lett. 78, 3253 (2001).
10. B. D. Min, Y. Kim, E. K. Kim, S.-K. Min, and M. J. Park, Phys. Rev. B 57, 11879 (1998).
11. J. Ishizaki, K. Ohkuri, and T. Fukui, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 1280 (1996).
12. S. Liang, H. L. Zhu, J. Q. Pan, L. P. Hou, and W. Wang, J. Cryst. Growth 282, 297 (2005).
13. F. W. Sinden and L. C. Feldman, J. Appl. Phys. 67, 745 (1990).
14. R. Leon, T. Senden, Y. Kim, C. Jagadish, and A. Clark, Phys. Rev. Lett. 78, 4942 (1997).
15. Z. L. Miao, Y. W. Zhang, S. J. Chua, Y. H. Chye, P. Chen, and S. Tripathy, Appl. Phys. Lett. 86, 31914 (2005).
16. K. H. Lee, J. Y. Lee, D. U. Lee, T. W. Kim, H. S. Lee, and M. D. Kim, Solid State Commun. 133, 65 (2005).
17. G. Saint-Girons and I. Sagnes, J. Appl. Phys. 91, 10115 (2002).
18. V. P. Evtikhiev, A. M. Boiko, I. V. Kudryashov, A. K. Kryganovskii, R. A. Suris, A. N. Titkov, and V. E. Tokranov, Semicond. Sci. Technol. 17, 545 (2002).
19. J. S. Kim, J. H. Lee, S. U. Hong, W. S. Han, and H. S. Kwack, J. Appl. Phys. 66, 6603 (2003).
20. K. Nishi, H. Saito, S. Sugou, and J. S. Lee, Appl. Phys. Lett. 74, 1111 (1999).