Improved surface morphology of stacked 1.3 μm InAs/GaAs quantum dot active regions by introducing annealing processes

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 8, 2006, Pages

  Yang, Tao ^a,b   Tatebayashi, Jun ^b   Nishioka, Masao ^b   Arakawa, Yasuhiko ^b  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

^b INSTITUTE OF INDUSTRIAL SCIENCE   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; HETEROJUNCTIONS; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; THERMAL EFFECTS;

EMISSION WAVELENGTH; GAAS SPACER LAYERS; SEPARATE CONFINING HETEROSTRUCTURE (SCH);

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 33747864420     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2337869     Document Type: Article

References (13)

1. D. L. Huffaker, G. Park, Z. Zhou, O. B. Shchekin, and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 73, 2564 (1998).
2. K. Mukai, Y. Nakata, K. Otsubo, M. Sugawara, N. Yokoyama, and H. Ishikawa, IEEE Photonics Technol. Lett. 11, 1205 (1999).
3. E. Zhukov, A. R. Kovsh, N. A. Maleev, S. S. Mikhrin, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, M. V. Maxinov, B. V. Volovik, D. A. Bedarev, Y. M. Shernyakov, P. S. Kop'ev, Z. I. Alferov, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 75, 1926 (1999).
4. P. G. Eliseev, H. Li, A. Stinz, G. T. Liu, T. C. Newell, K. J. Malloy, and L. F. Lester. Appl. Phys. Lett. 77, 262 (2000).
5. K. Otsubo, N. Hatori, M. Ishida, S. Okumura, T. Akiyama, Y. Nakata, H. Ebe, M. Sugawara, and Y. Arakawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 43, L1124 (2004).
6. H. Y. Liu, I. R. Sellers, T. J. Badcock, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, K. M. Groom, M. Gutiérrez, M. Hopkinson, J. S. Ng, J. P. R. David, and R. Beanland, Appl. Phys. Lett. 85, 704 (2004).
7. A. Passaseo, M. De Vittorio, M. T. Todaro, I. Tarantini, M. De Giorgi, R. Cingolani, A. Taurino, M. Catalano, A. Fiore, A. Markus, J. X. Chen, C. Paranthoen, U. Oesterle, and M. Ilegems, Appl. Phys. Lett. 82, 3632 (2003).
8. J. Tatebayashi, N. Hatori, H. Kakuma, H. Ebe, H. Sudo, A. Kuramata, Y. Nakata, M. Sugawara, and Y. Arakawa, Electron. Lett. 39, 1130 (2003).
9. S. M. Kim, Y. Wang, M. Keever, and J. S. Harris, IEEE Photonics Technol. Lett. 16, 377 (2004).
10. N. Kainander, R. L. Sellin, T. Kettler, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, N. D. Zakharov, and P. Werner, Appl. Phys. Lett. 84, 2992 (2004).
11. N. Nuntawong, Y. C. Xin, S. Birudavolu, P. S. Wong, S. Huang, C. P. Hains, and D. L. Huffaker, Appl. Phys. Lett. 86, 193115 (2005).
12. J. Tatebayashi, Y. Arakawa, N. Hatori, H. Ebe, M. Sugawara, H. Sudo, and A. Kuramata, Appl. Phys. Lett. 85, 1024 (2004).
13. J. Tatebayashi, N. Hatori, M. Ishida, H. Ebe, M. Sugawara, Y. Arakawa, H. Sudo, and A. Kuramata, Appl. Phys. Lett. 86, 53107 (2005).