Intermixing of InGaAs quantum dots grown by cycled monolayer deposition

Journal of Applied Physics

Volumn 100, Issue 3, 2006, Pages

  Djie, H S ^a   Wang, D N ^a   Ooi, B S ^a   Hwang, J C M ^a   Fang, X M ^b   Wu, Y ^b   Fastenau, J M ^b   Liu, W K ^b  

^a Lehigh University   (United States)

^b IQE INC   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CYCLED MONOLAYER DEPOSITION; DYNAMIC ANNEALING; EX SITU ANNEALING; INTERFACE MORPHOLOGY;

ACTIVATION ENERGY; ANNEALING; CRYSTAL DEFECTS; DEPOSITION; MONOLAYERS; SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR GROWTH;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 33747363444     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2226516     Document Type: Article

References (27)

1. D. Bimberg, M. Grundmann, and N. N. Ledentsov, Quantum Dot Hetero-structures (Wiley, Chichester, 1998).
2. K. Mukai, N. Ohsutka, M. Sugawara, and S. Yamazaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 33, L1710 (1994).
3. D. L. Huffaker, G. Park, Z. Zou, O. B. Schekin, and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 73, 2564 (1998).
4. K. Mukai, Y. Nakata, K. Otsubo, M. Sugawara, N. Yokokama, and H. Ishikawa, IEEE Photonics Technol. Lett. 11, 1205 (1999).
5. G. Park, O. B. Schekin, S. Csutak, D. L. Huffaker, and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 75, 3267 (1999).
6. J. M. Garcia, G. Medeiros-Ribeiro, K. Schmidt, T. Ngo, J. L. Feng, A. Lorke, J. Kotthaus, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 71, 2014 (1997).
7. I. Kegel, T. H. Metzger, A. Lorke, J. Peisl, J. Stangl, G. Bauer, J. M. Garcia, and P. M. Petroff, Phys. Rev. Lett. 85, 1694 (2000).
8. J. Tatebayashi, N. Hatori, M. Ishida, H. Ebe, M. Sugawara, Y. Arakawa, H. Sudo, and A. Kurumata, Appl. Phys. Lett. 86, 053107 (2005).
9. M. Yakimov, V. Tokranov, G. Agnello, J. Eisden, and S. Oktyabrsky, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 1221 (2005).
10. N. Perret, D. Morris, L. Franchomme-Fosse, R. Cote, S. Fafard, V. Aimez, and J. Beauvais, Phys. Rev. B 62, 5092 (2000).
11. S. Malik, C. Roberts, R. Murray, and M. Pate, Appl. Phys. Lett. 71, 1987 (1997).
12. I. V. Bradley, W. P. Gillin, K. P. Homewood, and R. P. Web, J. Appl. Phys. 73, 1686 (1993).
13. W. P. Gillin, D. J. Dunstan, K. P. Homewood, L. K. Howard, and B. J. Sealy, J. Appl. Phys. 73, 3782 (1993).
14. K. Stewart, M. Buda, J. Wong-Leung, L. Fu, C. Jagadish, A. Stiff-Roberts, and P. Bhattacharya, J. Appl. Phys. 94, 5283 (2003).
15. Q. W. Mo, T. W. Fan, Q. Gong, J. Wu, Z. G. Wang, and Y. Q. Bai, Appl. Phys. Lett. 73, 3518 (1998).
16. O. Gunawan, H. S. Djie, and B. S. Ooi, Phys. Rev. B 71, 205319 (2005).
17. S. J. Xu, X. C. Wang, S. J. Chua, C. H. Wang, W. J. Fan, J. Jiang, and X. G. Xie, Appl. Phys. Lett. 72, 3335 (1998).
18. H. S. Lee, J. Y. Lee, T. W. Kim, and M. D. Kim, J. Appl. Phys. 94, 6354 (2003).
19. P. Frigeri, A. Bossacchi, S. Franchi, P. Allegri, and V. Avanzini, J. Cryst. Growth 201, 1136 (1999).
20. S. Khrisna, D. Zhu, J. Xu, K. K. Linder, O. Qasaimeh, P. Bhattacharya, and D. L. Huffaker, J. Appl. Phys. 86, 6135 (1999).
21. M. O. Lipinski, H. Schuler, O. G. Schmidt. K. Eber, and N. Y. Jin-Phillipp, Appl. Phys. Lett. 77, 1789 (2000).
22. R. Leon, D. R. M. Williams, J. Krueger, E. R. Weber, and M. R. Melloch, Phys. Rev. B 56, R4336 (1997).
23. O. M. Khreis, W. P. Gillin, and K. P. Homewood, Phys. Rev. B 55, 15813 (1997).
24. J. S. Tsang, C. P. Lee, S. H. Lee, K. L. Tsai, T. M. Tsai, and J. C. Fan, J. Appl. Phys. 79, 664 (1996).
25. A. Babinski, J. Jasinski, R. Bozek, A. Szepielow, and J. M. Baranowski, Appl. Phys. Lett. 79, 2576 (2001).
26. A. O. Kosogov et al., Appl. Phys. Lett. 69, 3072 (1996).
27. L. J. M. Sellen, L. J. Van Ijzendoorn, M. J. A. De Voigt, and P. M. Koenraad, Phys. Rev. B 61, 8270 (2000).