Compositional disordering of InGaAs/GaAs heterostructures by low-temperature-grown GaAs layers

Journal of Applied Physics

Volumn 79, Issue 2, 1996, Pages 664-670

  Tsang, J S ^a   Lee, C P ^a   Lee, S H ^a   Tsai, K L ^a   Tsai, C M ^a   Fan, J C ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; DIFFERENTIAL EQUATIONS; ELECTRON ENERGY LEVELS; INTERDIFFUSION (SOLIDS); KINETIC THEORY; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NUMERICAL ANALYSIS; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; X RAY ANALYSIS;

COMPOSITIONAL DISORDERING; DIFFUSIVITY; DOUBLE CRYSTAL X RAY ROCKING CURVE MEASUREMENT; ENERGY SHIFT; INDIUM GALLIUM ARSENIDE; SCHRODINGERS EQUATION; TRANSITION ENERGY;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 0029734497     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.360810     Document Type: Article

References (22)

1. P. Mei, H. W. Yoon, T. Venkatesan, S. A. Schwarz, and J. P. Harhison, Appl. Phys. Lett. 50, 1823 (1987).
2. N. Holonyak, Jr., W. D. Laidig, M. D. Camras, J. J. Coleman, and P. D. Dapkus, Appl. Phys. Lett. 39, 102 (1981).
3. J. Cibert, P. M. Petroff, D. J. Werder, S. J. Pearton, A. C. Gossard, and J. H. English, Appl. Phys. Lett. 49, 223 (1986).
4. W. D. Laidig, N. Holonyak, Jr., M. D. Camras, K. Hess, J. J. Coleman, P. D. Dapkus, and J. Bardeen, Appl. Phys. Lett. 38, 776 (1981).
5. E. V. K. Rao, P. Ossart, F. Alexandre, and H. Thibierge, Appl. Phys. Lett. 50, 588 (1987).
6. K. Nakashima, Y. Kawaguchi, Y. Kawamura, Y. Imamura, and H. Asahi, Appl. Phys. Lett. 52, 1383 (1988).
7. S. A. Schwarz, P. Mei, T. Venkatesan, R. Bhat, D. M. Hwang, C. L. Schwarz, M. Koza, L. Nazar, and B. J. Skromme, Appl. Phys. Lett. 53, 1051 (1988).
8. J. J. Coleman, P. D. Dapkus, C. G. Kirkpatrick, M. D. Camras, and N. Holonyak, Jr., Appl. Phys. Lett. 40, 904 (1982).
9. Y. Hirayama, Y. Horikoshi, and H. Okamoto, Jpn. J. Appl. Phys. 23, 1568 (1984).
10. T. Venkatesan, S. A. Schwarz, D. M. Hwang, R. Bhat, M. Koza, H. W. Yoon, P. Mei, Y. Araka, and A. Yariv, Appl. Phys. Lett. 49, 701 (1986).
11. 11 H. Leier, A. Forchel, G. Horcher, J. Hommel, S. Bayer, H. Rothfritz, G. Weimann, and W. Schlapp, J. Appl. Phys. 67, 1805 (1990).
12. F. Julien, P. D. Swanson, M. A. Emanuuel, D. G. Deppe, T. A. DeTemple, J. J. Coleman, and N. Holonyak, Jr., Appl. Phys. Lett. 50, 866 (1987).
13. H. Nakashima, S. Semura, T. Ohta, Y. Uchida, H. Saito, T. Fukuzawa, T. Kuroda, and K. L. I. Kobayashi, IEEE J. Quantum Electron. QE-21, 629 (1985).
14. W. Xia, L. S. Yu, Z. F. Guan, S. A. Pappert, P. K. L. Yu, S. S. Lau, S. A. Schwarz, M. A. A. Pudensi, L. T. Florez, and J. P. Harbison, Appl. Phys Lett. 61, 1269 (1992).
15. B. Molnar, J. Electrochem. Soc. 123, 767 (1976).
16. D. G. Deppe, L. J. Guido, N. Holonyak, Jr., K. C. Hsieh, R. D. Burnham, R. L. Thornton, and T. L. Paoli, Appl. Phys. Lett. 49, 510 (1986).
17. J. S. Tsang, C. P. Lee, J. C. Fan, K. L. Tsai, and H. R. Chen, J. Vac. Sci. Technol. B (to be published).
18. J. S. Tsang, C. P. Lee, J. C. Fan, S. H. Lee, and K. L. Tsai, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 1089 (1995).
19. J. S. Tsang, C. P. Lee, S. H. Lee, K. L. Tsai, and H. R. Chen, J. Appl. Phys. 77, 4302 (1995).
20. K. Y. Hsieh, Y. L. Hwang, J. H. Lee, and R. M. Kolbas, J. Electron. Mater. 19, 1417 (1990).
21. W. P. Gillin, B. J. Sealy, and K. P. Homewood, Opt. Quantum Electron. 23, 975 (1991).
22. K. L. Kavanagh, C. W. Magee, J. Sheets, and J. W. Mayer, J. Appl. Phys. 64, 1845 (1988).