Influence of indium-tin-oxide thin-film quality on reverse leakage current of indium-tin-oxide/n-GaN Schottky contacts

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 3, 2006, Pages

  Wang, R X ^a,c   Xu, S J ^a   Djurisic A B ^a   Beling, C D ^a   Cheung, C K ^a   Cheung, C H ^a   Fung, S ^a   Zhao, D G ^b   Yang, H ^b   Tao, X M ^c  

^a UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

^b INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

^c HONG KONG POLYTECHNIC UNIVERSITY   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EVAPORATION; GALLIUM NITRIDE; LEAKAGE CURRENTS; LIGHT TRANSMISSION; POINT DEFECTS; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

E-BEAM EVAPORATION; INDIUM-TIN-OXIDE (ITO); POSITRON BEAMS; SCHOTTKY CONTACTS;

THIN FILMS;

EID: 33746309216     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2227627     Document Type: Article

References (19)

1. C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE Photonics Technol. Lett. 13, 848 (2001).
2. D. W. Kim, H. Y. Lee, M. C. Yoo, and G. Y. Yeom, Appl. Phys. Lett. 86, 052108 (2005).
3. C. S. Chang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. C. Lin, Y. P. Hsu, S. C. Shei, S. C. Chen, C. H. Liu, and U. H. Liaw, Semicond. Sci. Technol. 18, L21 (2003).
4. M. Rottmann, H. Hennig, B. Ziemer, R. Kalahna, and K. H. Heckner, J. Mater. Sci. 31, 6465 (1996).
5. H. Kim, C. M. Gilmore, A. Pique, J. S. Horwitz, H. Mattoussi, H. Murata, Z. H. Kafafi. and D. B. Chrisey, J. Appl. Phys. 86, 6451 (1999).
6. F. O. Adurodija, H. Izumi, T. Ishihara, H. Yoshioka, and M. Motoyama, J. Appl. Phys. 88, 4175 (2000).
7. W. G. Haines and R. H. Bube, J. Appl. Phys. 49, 304 (1978).
8. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, and C. M. Chang, Appl. Phys. Lett. 72, 3317 (1998).
9. W. F. Wu and B. S. Chiou, Semicond. Sci. Technol. 11, 196 (1996).
10. J. E. Van Nostrand, J. Solomon, A. Saxler, Q. H. Xie, D. C. Reynolds, and D. C. Look, J. Appl. Phys. 87, 8766 (2000).
11. X. C. Wang, S. J. Xu, S. J. Chua, K. Li, X. H. Zhang, Z. H. Zhang, K. B. Chong, and X. Zhang, Appl. Phys. Lett. 74, 818 (1999).
12. P. Y. Kuan, S. Fung, and C. D. Beling, Appl. Surf. Sci. 194, 32 (2002).
13. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981).
14. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, D. V. Lang, S. Richter, S. N. G. Chu, A. M. Sergent, R. N. Kleiman, L. N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 78, 1685 (2001).
15. H. Kim, C. M. Gilmore, A. Piqué, J. S. Horwitz, H. Mattoussi, H. Murata, Z. H. Kafafi, and D. B. Chrisey, J. Appl. Phys. 86, 6451 (1999).
16. R. X. Wang, C. D. Beling, S. Fung, A. B. Djurišić, C. C. Ling, C. Kwong, and S. Li, J. Phys. D 38, 2000 (2005).
17. S. Noguchi and H. Sakata, J. Phys. D 14, 1523 (1981).
18. A. C. Schmitz, A. T. Ping, M. Asif Khan, Q. Chen, J. W. Yang, and I. Adesida, Semicond. Sci. Technol. 11, 1464 (1996).
19. E. J. Miller, E. T. Yu, P. Waltereit, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 84, 535 (2004).