Effect of two-step growth on the heteroepitaxial growth of InSb thin film on Si (001) substrate: A transmission electron microscopy study

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 3, 2006, Pages

  Kim, Y H ^a   Lee, J Y ^a   Noh, Y G ^b   Kim, M D ^b   Kwon, Y J ^c   Oh, J E ^c   Gronsky, R ^d  

^a Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

^b Chungnam National University   (South Korea)

^c Hanyang University   (South Korea)

^d No 1760   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTALLINE QUALITY; PLANAR DEFECTS; TWO-STEP GROWTH METHODS;

DISLOCATIONS (CRYSTALS); EPITAXIAL GROWTH; SILICON; TEMPERATURE DISTRIBUTION; THIN FILMS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

INDIUM COMPOUNDS;

EID: 33746279630     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2228028     Document Type: Article

References (22)

1. A. J. Noreika, M. H. Francombe, and C. E. C. Wood, J. Vac. Sci. Technol. A 1, 558 (1983).
2. J.-I. Chyi, S. Kalen, N. S. Kumar, C. W. Litton, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 53, 1092 (1988).
3. G. M. Williams, C. R. Whitehous, C. F. McConville, A. G. Cullis, T. Ashley, S. J. Coutney, and C. T. Elliott, Appl. Phys. Lett. 53, 1189 (1988).
4. T. Zhang, S. K. Clowes, M. Debnath, A. Bennett, C. Roberts, J. J. Harris, R. A. Stradling, L. F. Cohen, L. Lyford, and P. F. Fewster, Appl. Phys. Lett. 84, 4463 (2004).
5. P. K. Chiang and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 46, 383 (1985).
6. B. M. Biefield and G. A. Hebner, Appl. Phys. Lett. 57, 1563 (1990).
7. D. K. Gaskill. G. T. Stauf, and N. Bottka, Appl. Phys. Lett. 58, 1905 (1991).
8. J. B. Webb, C. Halpin., and J. P. Noad, J. Appl. Phys. 60, 2949 (1986).
9. T. Ohshima, S. Yamauchi, and T. Hariu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 28, L13 (1989).
10. Z. C. Feng, S. Perkowitz, T. S. Rao, and J. B. Webb, J. Appl. Phys. 68, 5363 (1990).
11. T. S. Rao, J. B. Webb, D. C. Houghton, J. M. Baribeau, T. Moore, and J. P. Noad, Appl. Phys. Lett. 53, 51 (1988).
12. J.-I. Chyi, D. Biswas, S. V. Iyer, N. S. Kumar, H. Morkoc, R. Bean, K. Zanio, H.-Y. Lee, and H. Chen, Appl. Phys. Lett. 54, 1016 (1989).
13. M. Mori, Y. Tsubosaki, T. Tambo, H. Ueba, and C. Tatsuyama, Appl. Surf. Sci. 117/118, 512 (1997).
14. M. Mori, N. Akae, K. Uotani, N. Fujimoto, T. Tambo, and C. Tatsuyama, Appl. Surf. Sci. 216, 567 (2003).
15. W. K. Liu, J. Winesett, W. Ma, X. Zhang, M. B. Santos, X. M. Fang, and P. J. McCann, J. Appl. Phys. 81, 1708 (1997).
16. X. Weng, N. G. Rudawski, P. T. Wang, R. S. Goldman, D. L. Partin, and J. Heremans, J. Appl. Phys. 97, 043713 (2005).
17. M. C. Bebnath, T. Zhang, C. Roberts, L. F. Cohen, and R. A. Stradling, J. Cryst. Growth 267, 17 (2004).
18. S. D. Wu, L. W. Guo, Z. H. Li, X. Z. Shang, W. X. Wang, Q. Huang, and J. M. Zhou, J. Cryst. Growth 277, 21 (2005).
19. T. Zhang, M. Debnath, S. K. Clowes, W. R. Branford, A. Bennett, C. Roberts, L. F. Cohen, and R. A. Stradling, Physica E (Amsterdam) 20, 216 (2004).
20. M. Mori, N. Fujimoto, N. Akae, K. Uotani, T. Tambo, and C. Tatsuyama, J. Cryst. Growth 286, 218 (2006).
21. T. D. Mishima, J. C. Keay, N. Goel, M. A. Ball, S. J. Chung, M. B. Johnson, and M. B. Santos, Physica E (Amsterdam) 20, 260 (2004).
22. T. D. Mishima, J. C. Keay, N. Goel, M. A. Ball, S. J. Chung, M. B. Johnson, and M. B. Santos, J. Cryst. Growth 251, 551 (2003).