Ultraviolet emission from porous silicon photosynthesized in aqueous alkali fluoride solutions

Journal of Applied Physics

Volumn 100, Issue 1, 2006, Pages

  Uchida, Kaoru ^a   Tomioka, Katsuhiro ^a   Adachi, Sadao ^a  

^a GUNMA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ETCHING; PHOTOLUMINESCENCE; PHOTOSYNTHESIS; POROUS SILICON; REACTION KINETICS; ULTRAVIOLET RADIATION;

ALKALI FLUORIDE; SURFACE PASSIVATION; ULTRAVIOLET EMISSION;

LIGHT EMISSION;

EID: 33746211123     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2208914     Document Type: Article

References (43)

1. A. G. Cullis, L. T. Canham, and P. D. J. Calcott, J. Appl. Phys. 82, 909 (1997).
2. S. Ossicini, L. Pavesi, and F. Priolo, Light Emitting Silicon for Microphotonics (Springer, Berlin, 2003).
3. R. W. Fathauer, T. George, A. Ksendzov, and R. P. Vasquez, Appl. Phys. Lett. 60, 995 (1992).
4. S. Shih, K. H. Jung, T. Y. Hsieh, J. Sarathy, J. C. Campbell, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 60, 1863 (1992).
5. W. B. Dubbelday, D. M. Szaflarski, R. L. Shimabukuro, and S. D. Russell, Appl. Phys. Lett. 62, 1694 (1993).
6. J. L. Coffer, S. C. Lilley, R. A. Martin, and L. A. Files-Sesler, J. Appl. Phys. 74, 2094 (1993).
7. M. J. Winton, S. D. Russell, J. A. Wolk, and R. Gronsky, Appl. Phys. Lett. 69, 4026 (1996).
8. N. Noguchi and I. Suemune, Appl. Phys. Lett. 62, 1429 (1993).
9. O. K. Andersen, T. Frello, and E. Veje, J. Appl. Phys. 78, 6189 (1995).
10. N. Yamamoto, A. Sumiya, and H. Takai, Mater. Sci. Eng., B 69-70, 205 (2000).
11. N. Yamamoto and H. Takai, Thin Solid Films 388, 138 (2001).
12. N. Tomita and S. Adachi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 6705 (2001).
13. H. Noguchi and S. Adachi, Appl. Surf. Sci. 246, 139 (2005).
14. K. Tomioka and S. Adachi, Appl. Phys. Lett. 87, 251920 (2005).
15. X. Yang, X. L. Wu, S. H. Li, H. Li, T. Qin, Y. M. Yang, P. K. Chu, and G. G. Siu, Appl. Phys. Lett. 86, 201906 (2005).
16. G. G. Qin, J. Lin, J. Q. Duan, and G. Q. Yao, Appl. Phys. Lett. 69, 1689 (1996).
17. H. Mizuno, H. Koyama, and N. Koshida, Appl. Phys. Lett. 69, 3779 (1996).
18. M. V. Wolkin, J. Jorne, P. M. Fauchet, G. Allan, and C. Delerue, Phys. Rev. Lett. 82, 197 (1999).
19. Q. Chen, D. L. Zhu, and Y. H. Zhang, Appl. Phys. Lett. 77, 854 (2000).
20. E. Hartmann, P. O. Hahn, and R. J. Behm, J. Appl. Phys. 69, 4273 (1991).
21. P. N. Vinod and M. Lal, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 16, 1 (2005).
22. A. G. Cullis and L. T. Canham, Nature (London) 353. 335 (1991).
23. T. George, M. S. Anderson, W. T. Pike, T. L. Lin, R. W. Fathauer, K. H. Jung, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 60, 2359 (1992).
24. D. J. Riley, in Fundamental Electrochemistry and Physics Semiconductor Micromachining Vol. 1, edited by S. A. Campbell and H. J. Lewerenz (Wiley, Chichester, 1998), p. 277.
25. E. D. Palik, O. J. Glembocki, I. Heard, Jr., P. S. Burno, and L. Tenerz, J. Appl. Phys. 70, 3291 (1991).
26. S. Adachi, Group IV Semiconductors, Handbook on Physical Properties of Semiconductors Vol. 1, (Kluwer Academic, Boston, 2004).
27. Z. Jichang, W. Jiangen, M. Bilan, Z. Jingbing, and Q. Fenyuan, Infrared Phys. 33, 381 (1992).
28. D. B. Mawhinney, J. A. Glass, Jr., and J. T. Yates, Jr., J. Phys. Chem. B 101, 1202 (1997).
29. A. C. Dillon, M. B. Robinson, and S. M. George, Surf. Sci. Lett. 295, L998 (1993).
30. N. Chiodini, F. Meinardi, F. Morazzoni, A. Paleari, R. Scotti, and D. Di Martino, Appl. Phys. Lett. 76, 3209 (2000).
31. B. Yao, H. Shi, X. Zhang, and L. Zhang, Appl. Phys. Lett. 78, 174 (2001).
32. N. Yamamoto and H. Takai, Thin Solid Films 359, 184 (2000).
33. K. Tsunoda, E. Ohashi, and S. Adachi, J. Appl. Phys. 94, 5613 (2003).
34. V. Grivickas, J. A. Tellefsen, and M. Willander, in Properties of Crystalline Silicon, EMIS Datareviews Series No. 20, edited by R. Hull (1NSPEC, London, 1999), p. 718.
35. I. M. Chang, S. C. Pan, and Y. F. Chen, Phys. Rev. B 48, 8747 (1993).
36. X. Wang, G. Shi, F. L. Zhang, H. J. Chen, W. Wang, P. H. Hao, and X. Y. Hou, Appl. Phys. Lett. 63, 2363 (1993).
37. J. T. Lue, K. Y. Lo, S. K. Ma, C. L. Chen, and C. S. Chang, Solid State Commun. 86, 593 (1993).
38. P. M. Fauchet, L. Tsybeskov, S. P. Duttagupta, and K. D. Hirschman, Thin Solid Films 297, 254 (1997).
39. C. H. Chen and Y. F. Chen. Solid State Commun. 111, 681 (1999).
40. L. I. Belogorokhova. A. I. Belogorokhov, S. A. Gavrilov, V. Yu. Timoshenko, P. K. Kashkarov, M. G. Lisachenko, and S. P. Kobeleva, Phys. Status Solidi A 197, 228 (2003).
41. M. Fischer, B. Hillerich, and F. Kozlowski, Thin Solid Films 372, 209 (2000).
42. K. Y. Suh, Y. S. Kim, S. Y. Park, and H. H. Lee, J. Electrochem. Soc. 148, C439 (2001).
43. D. W. Cooke, R. E. Muenchausen, B. L. Bennett, L. G. Jacobsohn, and M. Nastasi, J. Appl. Phys. 96, 197 (2004).