Statistical model applied to Ax by C1-x-y D quaternary alloys: Bond lengths and energy gaps of Alx Gay In1-x-y X (X=As, P, or N) systems

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 73, Issue 23, 2006, Pages

  Marques, M ^a   Teles, L K ^b   Ferreira, L G ^c   Scolfaro, L M R ^a   Furthmuller J ^d   Bechstedt, F ^d  

^a UNIVERSITY OF SÃO PAULO   (Brazil)

^b INSTITUTO TECNOLÓGICO DE AERONÁUTICA   (Brazil)

^c UNIVERSITY OF CAMPINAS   (Brazil)

^d FRIEDRICH SCHILLER UNIVERSITY JENA   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 33745063597     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.73.235205     Document Type: Article

References (52)

1. J. Li, K. B. Nam, K. H. Kim, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1331087 78, 61 (2001).
2. V. Adivarahan, A. Chitnis, J. P. Zhang, M. Shatalov, J. W. Yang, G. Simin, M. Asif Khan, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1425453 79, 4240 (2001).
3. A. Yasan, R. McClintock, K. Mayes, S. R. Darvish, P. Kung, and M. Razegui, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1497709 81, 801 (2002).
4. S. Nagahama, T. Yanamoto, M. Sano, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 JAPNDE 0021-4922 10.1143/JJAP.40.L788 40, L788 (2001).
5. T. Fujii, Y. Nakata, Y. Sigiyama, and S. Hiyiamizu, Jpn. J. Appl. Phys. JAPLD8 0021-4922 25, L254 (1986).
6. D. Olego, T. Y. Chang, E. Silberg, E. A. Caridi, and A. Pinczuk, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.93537 41, 476 (1982).
7. H. Hirayama, A. Kinoshita, T. Yamabi, Y. Enomoto, A. Hirata, T. Araki, Y. Nanishi, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1433162 80, 207 (2002).
8. T. Takayama, M. Yuri, K. Itoh, T. Baba, and J. S. Harris, Jr., J. Cryst. Growth JCRGAE 0022-0248 10.1016/S0022-0248(00)00869-1 222, 29 (2001).
9. A. Koukitu, Y. Kumegai, and H. Seki, J. Cryst. Growth JCRGAE 0022-0248 221, 743 (2000).
10. S.-W. Feng, Y.-C. Cheng, Y.-Y. Chung, C. C. Yang, K.-J. Ma, C.-C. Yan, C. Hsu, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1556965 82, 1377 (2003).
11. C. H. Chen, Y. F. Chen, Z. H. Lan, L. C. Chen, K. H. Chen, H. X. Jiang, and J. Y. Lin, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1650549 84, 1480 (2004).
12. M. Marques, L. K. Teles, L. M. R. Scolfaro, L. G. Ferreira, and J. R. Leite, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.70.073202 70, 073202 (2004).
13. M. Marques, L. G. Ferreira, L. K. Teles, and L. M. R. Scolfaro, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.71.205204 71, 205204 (2005).
14. L. K. Teles, J. Furthmüller, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, and F. Bechstedt, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.62.2475 62, 2475 (2000).
15. L. K. Teles, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, J. Furthmüller, and F. Bechstedt, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1518136 92, 7109 (2002).
16. L. K. Teles, J. Furthmüller, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, and F. Bechstedt, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.63.085204 63, 085204 (2001).
17. L. K. Teles, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, J. Furthmüller, and F. Bechstedt, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1450261 80, 1177 (2002).
18. A. Tabata, L. K. Teles, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, A. Kharchenko, T. Frey, D. J. As, D. Schikora, K. Lischka, J. Furthmüller, and F. Bechstedt, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1436270 80, 769 (2002).
19. J. W. D. Connolly and A. R. Williams, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.27.5169 27, 5169 (1983).
20. A.-B. Chen and A. Sher, Semiconductor Alloys (Plenum Press, New York, 1995).
21. G. Kresse and J. Furthmüller, Comput. Mater. Sci. CMMSEM 0927-0256 10.1016/0927-0256(96)00008-0 6, 15 (1996);
22. G. Kresse and J. Furthmüller, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.54.11169 54, 11169 (1996).
23. P. Hohenberg and W. Kohn, Phys. Rev. PRVBAK 0096-8269 10.1103/PhysRev.136.B864 136, B864 (1964);
24. W. Kohn and L. J. Sham, Phys. Rev. PRVAAH 0096-8250 10.1103/PhysRev.140. A1133 140, A1133 (1965).
25. D. Vanderbilt, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.41.7892 41, 7892 (1990).
26. J. P. Perdew and A. Zunger, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.23.5048 23, 5048 (1981).
27. H. J. Monkhorst and J. D. Pack, Phys. Rev. B PLRBAQ 0556-2805 10.1103/PhysRevB.13.5188 13, 5188 (1976).
28. M. Marques, L. K. Teles, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, J. Furthmüller, and F. Bechstedt, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1597986 83, 890 (2003).
29. N. J. Jeffs, A. V. Blant, T. S. Cheng, C. T. Foxon, C. Bailey, P. G. Harrison, J. F. W. Mosselmans, and A. J. Dent, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. MRSPDH 0272-9172 512, 519 (1998).
30. K. E. Miyano, J. C. Woicik, L. H. Robins, C. E. Bouldin, and D. K. Wickenden, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.118963 70, 2108 (1997).
31. T. Saito and Y. Arakawa, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.60.1701 60, 1701 (1999).
32. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).
33. S.-G. Chen and X.-Q. Fan, J. Phys.: Condens. Matter JCOMEL 0953-8984 10.1088/0953-8984/9/15/008 9, 3151 (1997).
34. F. Sökeland, M. Rohlfing, P. Krüger, and J. Pollmann, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.68.075203 68, 075203 (2003).
35. J. Schörmann, S. Potthast, M. Schnietz, S. F. Li, D. J. As, and K. Lischka, Phys. Status Solidi C ZZZZZZ 1610-1634 (to be published).
36. V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, R. P. Seisyan, V. V. Emtsev, S. V. Ivanov, F. Bechstedt, J. Furthmüller, H. Harima, A. V. Mudryi, J. Aderhold, O. Semchinova, and J. Graul, Phys. Status Solidi B PSSBBD 0370-1972 10.1002/1521-3951(200202)229:33.0.CO;2-O 229, R1 (2002).
37. V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, V. V. Emtsev, D. A. Kurdyukov, S. V. Ivanov, V. A. Vekshin, F. Bechstedt, J. Furthmüller, J. Aderhold, J. Graul, A. V. Mudryi, H. Harima, A. Hashimoto, A. Yamamoto, and E. E. Haller, Phys. Status Solidi B PSSBBD 0370-1972 10.1002/1521-3951(200212)234:3<787::AID- PSSB787>3.0.CO;2-H 234, 787 (2002).
38. F. Bechstedt, J. Furthmüller, M. Ferhat, L. K. Teles, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, V. Yu. Davydov, O. Ambacher, R. Goldhahn, Phys. Status Solidi A PSSABA 0031-8965 10.1002/pssa.200306164 195, 628 (2003).
39. Gallium Nitride (GaN) I and II, Semiconductors and Semimetals, edited by, J. I. Pankove, and, T. D. Moustakas,, Vol. 50 (Academic Press, New York, 1998);
40. ibid. Vol. 57 (Academic Press, New York, 1999).
41. S. P. Nadja, A. H. Kean, M. D. Dawson, and G. Duggan, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.358631 77, 3412 (1995).
42. F. G. McIntosh, K. S. Boutros, J. C. Roberts, S. M. Bedair, E. L. Piner, and N. A. el-Masry, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.116749 68, 40 (1996).
43. M.-Y. Ryu, C. Q. Chen, E. Kuokstis, J. W. Yang, G. Simin, M. A. Khan, and S. P. w. Yu, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1482415 80, 3943 (2002).
44. S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Kato, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth JCRGAE 0022-0248 10.1016/S0022-0248(98) 00629-0 195, 309 (1998).
45. J. I. Davies, A. C. Marshall, M. D. Scott, and R. J. M. Griffiths, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.100593 53, 276 (1988).
46. R. F. Kopf, H. P. Wei, A. P. Perley, and G. Livescu, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.107005 60, 2386 (1992).
47. L. A. Cury, J. Beerens, and J. P. Praseuth, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.110668 63, 1804 (1993).
48. J. Böhrer, A. Krost, and D. B. Bimberg, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.110648 63, 1918 (1993).
49. J. C. Fan and Y. F. Chen, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.362862 80, 1239 (1996).
50. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1368156 89, 5815 (2001).
51. J. Han, J. J. Figiel, G. A. Petersen, S. M. Myers, M. H. Crawford, and M. A. Banas, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 JAPNDE 0021-4922 10.1143/JJAP.39.2372 39, 2372 (2000).
52. M. E. Aumer, S. F. LeBoeuf, F. G. McIntosh, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.125336 75, 3315 (1999).