Microscopic description of the phase separation process in Al xGayIn1-x-yN quaternary alloys

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 70, Issue 7, 2004, Pages

  Marques, M ^a   Teles, L K ^a   Scolfaro, L M R ^a   Ferreira, L G ^b   Leite, J R ^a  

^a UNIVERSITY OF SÃO PAULO   (Brazil)

^b UNIVERSITY OF CAMPINAS   (Brazil)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALLOY; ALUMINUM; CATION; GALLIUM; INDIUM;

AB INITIO CALCULATION; ARTICLE; CALCULATION; MONTE CARLO METHOD; PHASE SEPARATION; PHYSICS; STRUCTURE ANALYSIS; TEMPERATURE; THERMODYNAMICS; ULTRAVIOLET RADIATION;

EID: 19544370349     PISSN: 01631829     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.70.073202     Document Type: Article

References (21)

1. V. Lemos, E. Silveira, J. R. Leite, A. Tabata, R. Trentin, L. M. R. Scolfaro, T. Frey, D. J. As, D. Schikora, and K. Lischka, Phys. Rev. Lett. 84, 3666 (2000), and references therein.
2. P. Kung and M. Razegui, Opto-Electron. Rev. 8, 201 (2000).
3. M. Kneissl, D. W. Treat, M. Teepe, N. Miyashita, and N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 82, 2386 (2003).
4. V. Adivarahan, A. Chitnis, J. P. Zhang, M. Shatalov, J. W. Yang, G. Simin, M. A. Khan, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 79, 4240 (2001).
5. A. Yasan, R. McClintock, K. Mayes, S. R. Darvish, H. Zhang, P. Kung, M. Razeghi, S. K. Lee, and J. Y. Han, Appl. Phys. Lett. 81, 2151 (2002).
6. S. Nagahama, T. Yanamoto, M. Sano, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L778 (2001).
7. L. K. Teles, J. Furthmüller, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, and F. Bechstedt, Phys. Rev. B 62, 2475 (2000); L. K. Teles, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, J. Furthmüller, and F. Bechstedt, J. Appl. Phys. 92, 7109 (2002).
8. L. K. Teles, J. Furthmüller, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, and F. Bechstedt, Phys. Rev. B 62, 2475 (2000); L. K. Teles, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, J. Furthmüller, and F. Bechstedt, J. Appl. Phys. 92, 7109 (2002).
9. G. Tamulaitis, K. Kazlauskas, S. Jursenas, A. Zukauskas, M. A. Khan, J. W. Yang, J. Zhang, G. Simin, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 77, 2136 (2000).
10. H. Hirayama, A. Kinoshita, T. Yamabi, Y. Enomoto, A. Hirata, T. Araki, Y. Nanishi, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 80, 207 (2002).
11. C. H. Chen, Y. F. Chen, Z. H. Lan, L. C. Chen, K. H. Chen, H. X. Jiang, and J. Y. Lin, Appl. Phys. Lett. 84, 1480 (2004).
12. S. W. Feng, Y. C. Cheng, Y. Y. Chung, C. C. Yang, K. J. Ma, C. C. Yan, C. Hsu, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 82, 1377 (2003).
13. S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Kato, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 195, 309 (1998).
14. T. Takayama, M. Yuri, K. Itoh, and J. S. Harris, Jr., J. Appl. Phys. 90, 2358 (2001).
15. T. Matsuoka, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 54 (1998).
16. M. Marques, L. K. Teles, L. G. Ferreira, L. M. R. Scolfaro, and J. R. Leite (unpublished).
17. G. Kresse and J. Furthmüller, Comput. Mater. Sci. 6, 15 (1996).
18. M. Marques, L. K. Teles, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, J. Furthmüller, and F. Bechstedt, Appl. Phys. Lett. 83, 890 (2003).
19. L. G. Ferreira, S.-H. Wei, and A. Zunger, Int. J. Opt. Sens. 5, 34 (1991).
20. N. Metropolis, A. W. Rosenbluth, M. N. Rosenbluth, A. H. Teller, and E. Teller, J. Chem. Phys. 21, 1087 (1953).
21. J. M. Cowley, J. Appl. Phys. 21, 24 (1950).