Systematic investigation of nanoscale adsorbate effects at organic light-emitting diode interfaces. Interfacial structure - Charge injection - Luminance relationships

Chemistry of Materials

Volumn 18, Issue 9, 2006, Pages 2431-2442

  Huang, Qinglan ^a,b   Li, Jianfeng ^a   Evrnenenko, Guennadi A ^a   Dutta, Pulak ^a   Marks, Tobin J ^a  

^a NORTHWESTERN UNIVERSITY   (United States)

^b GE GLOBAL RESEARCH   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

HOLE-INJECTION MAGNITUDES; HTL INTERFACE; INTERFACIAL CHEMICAL STRUCTURE; SILYLTRIARYLAMINE PRECURSORS;

CHARGE CARRIERS; CHARGE TRANSFER; DEPOSITION; ELECTROLUMINESCENCE; HETEROJUNCTIONS; INDIUM COMPOUNDS; MOLECULAR STRUCTURE; MONOLAYERS; QUANTUM EFFICIENCY; SELF ASSEMBLY; SURFACE CHEMISTRY; TIN COMPOUNDS;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 33744816836     PISSN: 08974756     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cm0604918     Document Type: Review

References (81)

1. Koller, G.; Blyth, R. I. R.; Sardar, S. A.; Netzer, F. P.; Ramsey, M. G. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 927-929.
2. Vuillaume, D.; Lenfant, S. Microelectron. Eng. 2003, 70, 539-550.
3. Blyth, R. I. R.; Duschek, R.; Koller, G.; Netzer, F. P.; Ramsey, M. G. J. Appl. Phys. 2001, 90, 270-275.
4. Ahles, M.; Schmechel, R.; von Seggern, H. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 4499-4501.
5. Appleyard, S. F. J.; Day, S. R.; Pickford, R. D.; Willis, M. R. J. Mater. Chem. 2000, 10, 169-173.
6. Zuppiroli, L.; Si-Ahmed, L.; Kamars, K.; Nüesch, F.; Bussac, M. N.; Ades, D.; Siove, A.; Moons, E.; Grätzel, M. Eur. Phys. J. B 1999, 11, 505-512.
7. Forsythe, E.; Gao, Y. In Handbook of Surfaces and Interfaces of Materials; Nalwa, H. S., Ed.; Academic Press: London, 2001; Vol. 1, pp 285-327.
8. Donley, C.; Dunphy, D.; Paine, D.; Carter, C.; Nebesny, K.; Lee, P.; Alloway, D.; Armstrong, N. R. Langmuir 2002, 18, 450-457.
9. Goncalves-Conto, S.; Carrard, M.; Si-Ahmed, L.; Zuppiroli, L. Adv. Mater. 1999, 11, 112.
10. Hill, I. G.; Gajagopal, A.; Kahn, A.; Hu, Y. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 662.
11. Ishii, H.; Sugiyama, K.; Ito, E.; Seki, K. Adv. Mater. 1999, 11, 605-625.
12. Nalwa, H. S. In Handbook of Surfaces and Interfaces of Materials; Nalwa, H. S., Ed.; Academic Press: London, 2001; Vol. 1.
13. Schlaf, R.; Parkinson, B. A.; Lee, P. A.; Nebesny, K. W.; Armstrong, N. R. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 1026.
14. Malinsky, J. E.; Veinot, J. C. G.; Jabbour, G. E.; Shaheen, S. E.; Anderson, J. D.; Lee, P.; Richter, A. G.; Burin, A. L.; Ratner, M. A.; Marks, T. J.; Armstrong, N. R.; Kippelen, B.; Dutta, P.; Peygham-barian, N. Chem. Mater. 2002, 14, 3054-3065.
15. Nüesch, F.; Forsythe, E. W.; Le, Q. T.; Gao, Y.; Rothberg, L. J. J. Appl. Phys. 2000, 87, 7973.
16. Appleyard, S. F. J.; Day, S. R.; Pickford, R. D.; Willis, M. R. J. Mater. Chem. 2000, 10, 169-173.
17. Ganzorig, C.; Kwak, K. J.; Yagi, K.; Fujihira, M. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 272-274.
18. Gross, M.; Müller, D.; Nothofer, H.; Scherf, U.; Neher, D.; Brauchle, C.; Meerholz, K. Nature 2000, 405, 661-665.
19. VanSlyke, S. A.; Chen, C. H.; Tang, C. W. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 2160.
20. Cui, J.; Huang, Q.; Veinot, J. C. G.; Yan, H.; Wang, Q.; Hutchison, G. R.; Richter, A. G.; Evmenenko, G.; Dutta, P.; Marks, T. J. Langmuir 2002, 18, 9958-9970.
21. Yu, W.; Pei, J.; Cao, Y.; Huang, W. J. Appl. Phys. 2001, 89, 2343.
22. Kim, J. S.; Ho, P. K. H.; Murphy, C. E.; Baynes, N.; Friend, R. H. Adv. Mater. 2002, 14, 206.
23. Wong, K. W.; Yip, H. L.; Luo, Y.; Wong, K. Y.; Lau, W. M.; Low, K. H.; Chow, H. F.; Gao, Z. Q.; Yeung, W. L.; Chang, C. C. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2788-2790.
24. Huang, L. S.; Tang, C. W.; Mason, M. G. Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 152.
25. Tutis, E.; Bussac, M. N.; Zuppiroli, L. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 3880-3882.
26. Burin, A. L.; Ratner, M. A. J. Phys. Chem. A 2000, 104, 4704-4710.
27. Li, F.; Tang, H.; Anderegg, J.; Shinar. J. Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 1233.
28. Zuppiroli, L.; Si-Ahmed, L.; Kamars, K.; Nüesch, F.; Bussac, M. N.; Ades, D.; Siove, A.; Moons, E.; Grätzel, M. Eur. Phys. J. B 1999, 11, 505-512.
29. Lee, S. T.; Wang, Y. M.; Hou. X. Y.; Tang, C. W. Appl. Phys. Lett. 1998, 74, 670.
30. Malinsky, J. E.; Jabbour, G. E.; Shaheen, S. E.; Andersen, J. D.; Richter, A. G.; Marks. T. J.; Armstrong, N. R.; Kippelen, B.; Dutta, P.; Peyghambarian, N. Adv. Mater. 1999, 11, 227-231.
31. Forsythe, E. W.; Abkowitz, M. A.: Gao, Y. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 3948-3952.
32. Ho, P. K. H.; Granstrom, M.; Friend, R. H.; Greenham, N. C. Adv. Mater. 1998, 10, 769.
33. Cui, J.: Huang, Q.; Wang, Q.; Marks, T. J. Langmuir 2001, 17, 2051-2054.
34. Cui, J.; Huang, Q.; Veinot, J. G. C.; Yan, H.; Marks, T. Adv. Mater. 2002, 14, 565.
35. Xu, M. S.; Xu, J. B. J. Phys. D: Appl. Phys. 2004, 37, 1603-1608.
36. Huang, Q.; Evmenenko, G.; Dutta, P.; Marks, T. J. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 14704-14705.
37. Koene, B. E.; Loy, D. E.; Thompson, M. E. Chem. Mater. 1998, 10, 2235-2250.
38. Shaheen, S. E.; Kippelen, B.; Peyghambarian, N.; Wang, J. F.; Anderson, J. D.; Mash, E. A.; Lee, P. A.; Armstrong. N. R.; Kawabe. Y. J. Appl. Phys. 1999, 85, 7939-7945.
39. Cui, I.; Huang, Q.; Veinot, J. C. G.; Yan, H.; Wang, Q.; Hutchison, G. R.; Richter, A. G.; Evmenenko, G.; Dutta, P.; Marks, T. J. Langmuir 2002, 18, 9958-9970.
40. Ulman, A. Chem. Rev. 1996, 96, 1533-1554.
41. DuBois, C. J., Jr.; McCarley, R. L. J. Electroanal. Chem. 1998, 454, 99-105.
42. Inzelt, G. In Electroanalytical Chemistry; Bard, A. J., Rubenstein, I., Eds.; Marcel Dekker: New York, 1994; Vol. 18, pp 90-134.
43. Finklea, H. O. In Electroanalytical Chemistry; Bard, A. J., Rubenstein, I., Eds.; Marcel Dekker: New York, 1996; Vol. 19, pp 177-194.
44. Liu, H. Y.; Yamamoto, H.; Wei, J. J.; Waldeck, D. H. Langmuir 2003, 19, 2378-2387.
45. Chidsey, C. E. D.; Bertozzi, C. R.; Putvinski, T. M.; Mujsce, A. M. J. Am. Chem. Soc. 1990, 112, 4301-4306.
46. Weber, K.; Creager, S. E. Anal. Chem. 1994, 66, 3164-3172.
47. Anderson, J. D.; McDonald, E. M.; Lee, P. A.; Andersen, M. L.; Ritchie, E. L.; Hall, H. K.; Hopkins, T.; Mash, E. A.; Wang, J.; Padias, A.; Thayumanavan, S.; Barlow, S.; Marder, S. R.; Jabbour, G. E.; Shaheen, S.; Kippelen, B.; Peyghambarian, N.; Wightman, R. M.; Armstrong, N. R. J. Am. Chem. Soc. 1998, 120, 9646-9655.
48. Richter, A. G.; Yu, C. J.; Datta, A.: Kmetko, J.; Dutta, P. Phys. Rev. E 2000, 61, 607-615.
49. Seah, M. P. In Practical Surface Analysis: by Auger and X-ray Photoelectron Spectroscopy; Briggs, D., Ed.; John Wiley & Sons: New York, 1983; Vol. 14, pp 181-254.
50. Crone, B. K.; Campbell, I. H.; Davids, P. S.; Smith, D. L. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 3162-3164.
51. Yang, C.-H.; Tai, C.-C.; Sun, I. W. J. Mater. Chem. 2004, 14, 947-950.
52. Huang, Q. L.; Cui, J.; Veinot, J. G. C.; Van, H.; Marks, T. J. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 331-333.
53. Silberzan, P.; Leger, L.; Ausserre, D.; Benattar, J. J. Langmuir 1991, 7, 1647-51.
54. Murray, R. W. In Molecular Design of Electrode Surfaces, Techniques of Chemistry; Murray, R. W., Ed.; Wiley: New York, 1992; Vol. 22, pp 1-158.
55. Zotti, G.; Schiavon, G.; Zecchin, S.; Berlin, A.; Pagani, G. Langmuir 1998, 14, 1728-1733.
56. Zhuang, B.; McDonald, J.; Schultz, F.; Newton, W. Organometallics 1984, 3.
57. Faber, R.; Mielke, G. F.; Rapta, P.; Stasko, A.; Nuyken. O. Collect. Czech. Chem. Commun. 2000, 65, 1403-1418.
58. Rosenhein, L.; Newton, W.; McDonald, J. Inorg. Chem. 1987, 26, 1695-1702.
59. Bard, A. J.; Faulkner, L. A. Electrochemical Methods - Fundamentals and Applications; Wiley: New York, 1984; pp 580-631.
60. Clark, R. A.; Bowden, E. F. Langmuir 1997, 13, 559-565.
61. Zhang, W. W.; Ren, X. M.; Li, H. F.; Lu, C. S.; Hu, C. J.; Zhu, H. Z.; Meng, Q. J. J. Colloid Interface Sci. 2002, 255, 150-157.
62. Nielsen, M.; Larsen, N. B.; Gothelf, K. V. Langmuir 2002, 78, 2795-2799.
63. Smalley, J. F.; Feldberg, S. W.; Chidsey, C. E. D.; Linford, M. R.; Newton, M. D.; Liu, Y. P. J. Phys. Chem. 1995, 99, 13141-13149.
64. Li, Z. Y.; Lieberman, M.; Hill, W. Langmuir 2001, 17, 4887-4894.
65. Cui, J.; Huang, Q.; Wang, Q.; Marks, T. J. Langmuir 2001, 17, 2051-2054.
66. Aziz, H.; Popovic, Z. D. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2180-2182.
67. Finklea, H. O.; Liu, L.; Ravenscroft, M. S.; Punturi, S. J. Phys. Chem. 1996, 100, 18852-18858.
68. Laviron, E. J. Electroanal. Chem. 1979, 101, 19-28.
69. Finklea, H. O.; Hanshew, D. D. J. Am. Chem. Soc. 1992, 114, 3173-3181.
70. Newton, M. D.; Sutin, N. Annu. Rev. Phys. Chem. 1984, 35, 437.
71. Newton, M. D. Chem. Rev. 1991, 91, 767-792.
72. Napper, A. M.; Liu, H. Y.; Waldeck, D. H. J. Phys. Chem. B 2001, 105, 7699-7707.
73. Napper, A. M.; Read, I.; Waldeck, D. H.; Head, N. J.; Oliver, A. M.; Paddon-Row, M. N. J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 5220.
74. Kumar, K.; Lin, Z.; Waldeck, D. H.; Zimmit, M. B. J. Am. Chem. Soc. 1996, 118, 243.
75. Yamamoto, H.; Waldeck, D. H. J. Phys. Chem. B 2002, 706, 7469.
76. Forster, R. J. Inorg. Chem. 1996, 35, 3394-3403.
77. In principle, SAM π-system overlap with ITO band structure may be important. However, there is insufficient structural information to confirm this.
78. Marcus, R. A. J. Phys. Chem. 1963, 67, 853.
79. Marcus, R. A. Angew. Chem., Int. Ed. 1993, 32, 1111.
80. Nahir, T. M.; Clark, R. A.; Bowden, E. F. Anal. Chem. 1994, 66, 2595-2598.
81. Chidsey, C. E. Science 1991, 257, 919.