Field emission of silicon nanowires

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 21, 2006, Pages

  Zeng, Baoqing ^a,b   Xiong, Guangyong ^b   Chen, Shuo ^b   Jo, S H ^b   Wang, W Z ^b   Wang, D Z ^b   Ren, Z F ^b  

^a UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA   (China)

^b BOSTON COLLEGE   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING TEMPERATURES; EMISSION CURRENT DENSITY; FIELD EMISSION PERFORMANCE; SINGLE CRYSTAL SILICON NANOWIRES;

ANNEALING; CRYSTAL GROWTH; CURRENT DENSITY; ELECTRON EMISSION; PERFORMANCE; SILICON; SINGLE CRYSTALS;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 33744525750     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2206151     Document Type: Article

References (17)

1. W. Zhu, Vacuum Microelectronics (Wiley, New York, 2001).
2. N. S. Xu and S. Ejaz Huqb, Mater. Sci. Eng., R. 48, 47 (2005).
3. W. A. de Heer, A. Chatelain, and D. Ugarte, Science 269, 1179 (1995).
4. Y. B. Li, Y. Bando, D. Golberg, and K. Kurashima, Appl. Phys. Lett. 81, 5048 (2002).
5. Y. Tu, Z. P. Huang, D. Z. Wang, J. G. Wen, and Z. F. Ren, Appl. Phys. Lett. 80, 4018 (2002).
6. G. Z. Yue, Q. Qiu, B. Gao, Y. Cheng, J. Zhang, H. Shimoda, S. Chang, J. P. Lu, and O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 81, 355 (2002).
7. C. S. Hsieh, G. Wang, D. S. Tsai, R. S. Chen, and Y. S. Huang, Nanotechnology 16, 1885 (2005).
8. Frederick C. K. Au, K. W. Wong, Y. H. Tang, Y. F. Zhang, I. Bello, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 75, 1700 (1999).
9. D. Banerjee, S. H. Jo, and Z. F. Ren, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 16, 2028 (2004).
10. J. Zhou, L. Gong, S. Z. Deng, J. Chen, J. C. She, N. S. Xu, R. Yang, and Z. Wang, Appl. Phys. Lett. 87, 223108 (2005).
11. Y. H. Tang, X. H. Sun, F. C. K. Au, L. S. Liao, H. Y. Peng, C. S. Lee, S. T. Lee, and T. K. Sham, Appl. Phys. Lett. 79, 1673 (2001).
12. Y. L. Chueh, L. J. Choua, S. L. Cheng, J. H. He, W. W. Wu, and L. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 86, 133112 (2005).
13. N. N. Kulkarni, J. Bae, C. K. Shih, S. K. Stanley, S. S. Coffee, and J. G. Ekerdt, Appl. Phys. Lett. 87, 213115 (2005).
14. C. Mu, Y. X. Yu, W. Liao, X. S. Zhao, D. S. Xu, X. H. Chen, and D. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 87, 113104 (2005).
15. M. Lu, M. K. Li, L. B. Kong, X. Y. Guo, and H. L. Li, Composites, Part B 35, 179 (2004).
16. C. A. Spindt, I. Brodie, L. Humphrey, and E. R. Westerberger, J. Appl. Phys. 47, 5248 (1976).
17. E. Minoux, O. Groening, K. B. J. Teo, S. H. Dalal, L. Gangloff, J. P. Schnell, L. Hudanski, I. Y. Y. Bu, P. Vincent, P. Legagneux, G. A. J. Amaratunga, and W. I. Milne, Nano Lett. 5, 2135 (2005).