Controlling growth and field emission properties of silicon nanotube arrays by multistep template replication and chemical vapor deposition

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 11, 2005, Pages

  Mu, Cheng ^a   Yu, Yuxiang ^a   Liao, Wei ^a   Zhao, Xinsheng ^a   Xu, Dongsheng ^a   Chen, Xihong ^b   Yu, Dapeng ^b  

^a PEKING UNIVERSITY   (China)

^b PEKING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNULAR NANOCHANNELS; MULTISTEP TEMPLATE REPLICATIONS; NANOCHANNELS; SILICON NANOTUBES;

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; CURRENT DENSITY; DECOMPOSITION; ELECTRON MICROSCOPY; FIELD EMISSION MICROSCOPES; NANOTUBES; PYROLYSIS; SILANES; THICKNESS MEASUREMENT;

SILICON;

EID: 24944592480     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2042545     Document Type: Article

References (17)

1. C. N. R. Rao and M. Nath, Dalton Trans. 1 (2003).
2. S. B. Fagan, R. J. Baierle, R. Mota, A. J. R. da Silva, and A. Fazzio, Phys. Rev. B 61, 9994 (2000).
3. G. Seifert, T. Kohler, H. M. Urbassek, E. Hernandez, and T. Frauenheim, Phys. Rev. B 63, 193409 (2001).
4. M. Menon, A. M. Andriotis, and G. Froudakis, Nano Lett. 2, 301 (2002).
5. J. Sha, J. J. Niu, X. Y. Ma, J. Xu, X. B. Zhang, Q. Yang, and D. R. Yang, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 1219 (2002).
6. S. Y. Jeong, J. Y. Kim, H. D. Yang, B. N. Yoon, S.-H. Choi, H. K. Kang, C. W. Yang, and Y. H. Lee, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 15, 1172 (2003).
7. J. Q. Hu, Y Bando, Z. W. Liu, J. H. Zhan, D. Golberg, and T. Sekiguchi, Angew. Chem., Int. Ed. 43, 63 (2004).
8. Y. Q. Chen, Y. H. Tang, L. Z. Pei, and C. Guo, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 17, 564 (2005).
9. C. Mu, Y. X. Yu, R. M. Wang, K. Wu, D. S. Xu, and G. L. Guo, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 16, 1550 (2004).
10. D. S. Xu, G. L. Guo, L. L. Gui, Y. Q. Tang, B. R. Zhang, and G. G. Qin, Electrochem. Solid-State Lett. 1, 227 (1998).
11. W. A. de Heer, A. Chatelain, and D. Ugarte, Science 270, 1179 (1995)
12. F. C. K. Au, K. W. Wong, Y. H. Tang, Y. F. Zhang, I. Bello, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 75, 1700 (1999).
13. Q. H. Wang, T. D. Corrigan, J. Y. Dai, R. P. H. Chang, and A. R. Krauss, Appl. Phys. Lett. 70, 3308 (1997).
14. D. S. Xu, G. L. Guo, L. L. Gui, Y. Q. Tang, Z. J. Shi, Z. X. Jin, Z. N. Gu, W. M. Liu, X. L. Li, and G. H. Zhang, Appl. Phys. Lett. 75, 481 (1999).
15. Z. W. Pan, Lai. H. L., F. C. K. Au, X. F. Duan, W. Y. Zhou, W. S. Shi, N. Wang, C. S. Lee, N. B. Wong, S. T. Lee, and S. S. Xie, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 12, 1186 (2000).
16. N. G. Shang, F. Y. Meng, Frederick C. K. Au, Q. Li, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 1308 (2002).
17. T. Sugino, S. Kawasaki, K. Tanioka, and J. Shirafuji, Appl. Phys. Lett. 71, 2704 (1997).