Low-threshold field emission from cesiated silicon nanowires

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 21, 2005, Pages 1-3

  Kulkarni, N N ^a   Bae, J ^a   Shih, C K ^a   Stanley, S K ^b   Coffee, S S ^b   Ekerdt, J G ^b  

^a UNIVERSITY OF TEXAS AT AUSTIN   (United States)

^b The University of Texas at Austin   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CATALYST ETCHING; FIELD EMISSION; IN SITU ANNEALING; SILICON NANOWIRES;

ANNEALING; CATALYSTS; ETCHING; FIELD EMISSION DISPLAYS; NANOSTRUCTURED MATERIALS; ULTRAHIGH VACUUM;

SILICON;

EID: 27844443674     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2136217     Document Type: Article

References (22)

1. W. B. Choi, Y. W. Jin, H. Y. Kim, S. J. Lee, M. J. Yun, J. H. Kang, Y. S. Choi, N. S. Park, N. S. Lee, and J. M. Kim, Appl. Phys. Lett., 78, 1547 (2001).
2. G. Z. Yue, Q. Qiu, B. Gao, Y. Cheng, J. Zhang, H. Shimoda, S. Chang, J. P. Lu, and O. Zhou, Appl. Phys. Lett., 81, 355 (2002).
3. A. Modi, N. Koratkar, E. Lass, B. Q. Wei, and P. M. Ajayan, Nature (London), 424, 171 (2003).
4. Vacuum Microelectronics (Wiley, New York, 2001).
5. F. G. Tarntair, C. Y. Wen, L. C. Chen, J.-J. Wu, K. H. Chen, P. F. Kuo, S. W. Chang, Y. F. Chen, W. K. Hong, and H. C. Cheng, Appl. Phys. Lett., 76, 2630 (2000).
6. Y. B. Li, Y. Bando, D. Golberg, and K. Kurashima, Appl. Phys. Lett., 81, 5048 (2002).
7. Y. H. Lee, C. H. Choi, Y. T. Jang, E. K. Kim, B. K. Ju, N. K. Min, and J. H. Ahn, Appl. Phys. Lett., 81, 745 (2002).
8. C. J. Lee, T. J. Lee, S. C. Lyu, Y. Zhang, H. Ruh, and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett., 81, 3648 (2002).
9. H. L. Lai, N. B. Wong, X. T. Zhou, H. Y. Peng, F. C. K. Au, N. Wang, C. S. Lee, S. T. Lee, and X. F. Duan, Appl. Phys. Lett., 76, 294 (1999).
10. C. T. Hsieh, J. M. Chen, H. H. Lin, and H. C. Shih, Appl. Phys. Lett., 83, 3383 (2003).
11. Y. B. Li, Y. Bando, and D. Golberg, Appl. Phys. Lett., 82, 1962 (2003).
12. R. S. Wagner, in Whisker Technology, edited by, A. P. Levitt, (Wiley, New York, 1970), pp. 47-199.
13. W. Zhu, C. Bower, O. Zhou, G. Kochanski, and S. Jin, Appl. Phys. Lett., 75, 873 (1999).
14. M. K. Sanganeria, M. C. Ozturk, G. Harris, K. E. Violette, I. Ban, C. Archie Lee, and D. M. Maher, J. Electrochem. Soc., 142, 3961 (1995).
15. N. W. Ashcroft and N. D. Mermin, Solid State Physics (Saunders College, Philadelphia, 1981).
16. SAES Getters S. p. A., Milano, Italy.
17. F. C. K. Au, K. W. Wong, Y. H. Tang, Y. F. Zhang, I. Bello, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett., 75, 1700 (1999).
18. Y. L. Chueh, L. J. Chou, S. L. Cheng, J. H. He, W. W. Wu, and L. J. Chen, Appl. Phys. Lett., 86, 133112 (2005).
19. W. K. Wong, F. Y. Meng, Q. Li, F. C. K. Au, I. Bello, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett., 80, 877 (2002).
20. S. K. Ghandhi, VLSI Fabrication Principles, 2nd ed. (Wiley, New York, 1994).
21. K. Wandelt, in Physics and Chemistry of Alkali Metal Adsorption, edited by, H. P. Bonzel, A. M. Bradshaw, and, G. Ertl, (Elsevier, New York, 1989), pp. 25-44.
22. X. D. Bai, C. Y. Zhi, S. Liu, E. G. Wang, and Z. L. Wang, Solid State Commun., 125, 185 (2003).