Improvements of N-side-up GaN light-emitting diodes performance by Indium-tin-oxide/Al mirror

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 45, Issue 4 B, 2006, Pages 3449-3452

  Huang, Shao Hua ^a   Horng, Ray Hua ^a   Wuu, Dong Sing ^a  

^a NATIONAL CHUNG HSING UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

GaN; Laser lift off; Light emitting diode; Vertical conducting; Wafer bonding

Indexed keywords

GALLIUM NITRIDE; HEAT LOSSES; INDIUM COMPOUNDS; MIRRORS; SAPPHIRE; SUBSTRATES;

LASER LIFT-OFF; LUMINANCE INTENSITY; OPTICAL REFLECTIVITY; VERTICAL CONDUCTING; WAFER BONDING;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 33646926426     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.45.3449     Document Type: Article

References (20)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Matsushita and T. Mukai: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 22.
2. D. Morita, M. Sano, M. Yamamoto, T. Murayama, S. Nagahama and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) L1434.
3. T. Mukai and S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 5735.
4. K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, Y. Imada, M. Kato and T. Taguchi: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) L583.
5. C. C. Liu, Y. H. Chen, M. P. Houng, Y. H. Wang, Y. K. Su, W. B. Chen and S. M. Chen: IEEE Photonics Technol. Lett. 16 (2004) 1444.
6. R. H. Horng, D. S. Wuu, Y. C. Lein and W. H. Lan: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 2925.
7. C. Huh, K. S. Lee, E. J. Kang and S. J. Park: J. Appl. Phys. 93 (2003) 9383.
8. M. K. Kelly, O. Ambacher, B. Dahlheimer, G. Groos, R. Dimitrov, H. Angerer and M. Stutzmann: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 1749.
9. W. S. Wong, T. Sands and N. W. Cheung: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 599.
10. D. S. Wuu, S. C. Hsu, S. H. Huang, C. C. Wu, C. E. Lee and R. H. Horng: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 5239.
11. T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Taga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata and M. Koike; Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 3537.
12. D. H. Youn, M. Hao, H. Sato, T. Sugahara, Y. Naoi and S. Sakai: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 1768.
13. J. L. Lee, M. Weber, J. K. Kim, J. W. Lee, Y. J. Park, T. Kim and K. Lynn: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 2289.
14. D. J. King, L. Zhang, J. C. Ramer, S. D. Hersee and L. F. Lester: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468 (1997) 421.
15. J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, K. K. Shih, L. C. Chen, F. R. Chen and J. J. Kai: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 1275.
16. R. H. Horng, D. S. Wuu, Y. C. Lien and W. H. Lan: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 2925.
17. J. K. Sheu, J. M. Tsai, S. C. Shei, W. C. Lai, T. C. Wen, C. H. Kou, Y. K. Su, S. J. Chang and G. C. Chi: IEEE Electron Device Lett. 22 (2001) 460.
18. S. H. Huang, R. H. Horng, S. C. Hsu, T. Y. Chen and D. S. Wuu: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 3028.
19. D. A. Stocker, E. F. Schubert and J. M. Redwing: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 2654.
20. Y. Xi and E. F. Schubert: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 2163.