Electronic properties of 1.3 μm GaAsSbN/GaAs quantum-well structure

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 48, Issue 3, 2006, Pages 472-475

  Park, Seoung Hwan ^a  

^a Catholic University of Daegu   (South Korea)

Author keywords

Diode laser; GaAsSb; GaInAs; Quantum well; Self consistent; Type II

Indexed keywords

EID: 33645514634     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (19)

1. T. Anan, K. Nishi, S. Suguo, M. Yamada, K. Tokutome and A. Gomyo, Electron. Lett. 34, 2127 (1998).
2. M. Yamada, T. Anan, K. Tokutome, K. Nishi, A. Gomyo and S. Suguo, Conference Proceedings LEOS'98, (Orlando, Florida, December 1998), p. 149.
3. T. Anan, M. Yamada, K. Tokutome, S. Suguo, K. Nishi and A. Kamei, Electron. Lett. 35, 903 (1999).
4. S. H. Park, J. Korean Phys. Soc. 43, 1020 (2003).
5. S. H. Park, J. Korean Phys. Soc. 45, 348 (2004).
6. S. H. Park, J. Korean Phys. Soc. 46, 835 (2005).
7. S. H. Park, J. Korean Phys. Soc. 47, 732 (2005).
8. T. Toyonaka, M. Sagawa, K. Hiramoto, K. Shinoda, K. Uomi and A. Ohishi, Electron. Lett. 31, 198 (1995).
9. W. G. Bi and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 72, 1161 (1998).
10. S. Tomic et al., IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 9, 1228 (2003).
11. R. T. Senger et al., Appl. Phys. Lett. 83, 5425 (2003).
12. G. Ungaro, G. Le Roux, R. Teissier and J. C. Harmand, Electron. Lett. 35, 1246 (1999).
13. S. L. Chuang and C.S. Chang, Phys. Rev. B 54, 2491 (1996).
14. S. H. Park and S. L. Chuang, Appl. Phys. Lett. 72, 3103 (1998).
15. C. Y-P. Chao and S. L. Chuang, Phys. Rev. B 46, 4110 (1992).
16. S. H. Park and S. L. Chuang, J. Appl. Phys. 87, 353 (2000).
17. I. Vurgaftman and J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 94, 3675 (2003).
18. R. Kudrawiec, K. Ryczko, J. Misiewicz, H. B. Yuen, S. R. Bank, M. A. Wistey, H. P. Bae and J. S. Harris, Jr., Appl. Phys. Lett. 86, 141908 (2005).
19. S. Seki, T. Yamanaka, W. Lui and K. Yokoyama, J. Appl. Phys. 75, 1299 (1994).