Effects of stain etchant composition on the photoluminescence and morphology of porous silicon

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 153, Issue 1, 2006, Pages

  Nahidi, Mona ^a   Kolasinski, Kurt W ^b,c  

^a QUEEN MARY UNIVERSITY OF LONDON   (United Kingdom)

^b UNIVERSITY OF VIRGINIA   (United States)

^c ELECTROCHEMICAL SOCIETY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

NANOCRYSTALLINE SILICON FILMS; PHOTOELECTROCHEMICAL ETCHING; STAIN ETCHANT COMPOSITION;

ELECTROCHEMISTRY; FLUORIDE MINERALS; MORPHOLOGY; NANOSTRUCTURED MATERIALS; PHOTOLUMINESCENCE; THIN FILMS; TRANSITION METALS;

POROUS SILICON;

EID: 33645502088     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2129558     Document Type: Article

References (92)

1. K. W. Kolasinski, in Recent Research Advances in Applied Physics, Vol. 7, S. G. Pandalai, Editor, p. 267, Transworld Research Network, Kerala, India (2004).
2. A. G. Cullis, L. T. Canham, and P. D. J. Calcott, J. Appl. Phys., 82, 909 (1997).
3. N. Koshida and N. Matsumoto, Mater. Sci. Eng., R., 40, 169 (2003).
4. H. Föll, M. Christophersen, J. Carstensen, and G. Hasse, Mater. Sci. Eng., R., 39, 93 (2002).
5. V. Lehmann, Electrochemistry of Silicon: Instrumentation, Science, Materials and Applications, Wiley-VCH, Weinheim (2002).
6. Properties of Porous Silicon, L. Canham, Editor, Institution of Electrical Engineers, London (1997).
7. M. J. Sailor and E. J. Lee, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.), 9, 783 (1997).
8. O. Bisi, S. Ossicini, and L. Pavesi, Surf. Sci. Rep., 38, 1 (2000).
9. D. J. Lockwood, Solid State Commun., 92, 101 (1994).
10. B. Hamilton, Semicond. Sci. Technol., 10, 1187 (1995).
11. G. C. John and V. A. Singh, Phys. Rep., 263, 93 (1995).
12. Y. Kanemitsu, Phys. Rep., 263, 1 (1995).
13. P. M. Fauchet, J. Lumin., 70, 294 (1996).
14. R. T. Collins, P. M. Fauchet, and M. A. Tischler, Phys. Today, 50 (1), 24 (1997).
15. L. Pavesi, Riv. Nuovo Cimento, 20, 1 (1997).
16. A. T. Fiory and N. M. Ravindra, J. Electron. Mater., 32, 1043 (2003).
17. J. Sarathy, S. Shih, K. Jung, C. Tsai, K.-H. Li, D.-L. Kwong, J. C. Campbell, S.-L. Yau, and A. J. Bard, Appl. Phys. Lett., 60, 1532 (1992).
18. R. W. Fathauer, T. George, A. Ksendzov, and R. P. Vasquez, Appl. Phys. Lett., 60, 995 (1992).
19. A. J. Steckl, J. Xu, and H. C. Mogul, J. Electrochem. Soc., 141, 674 (1994).
20. J. G. Velasco, J. Electrochem. Soc., 150, C335 (2003).
21. M. T. Kelly, J. K. M. Chun, and A. B. Bocarsly, Appl. Phys. Lett., 64, 1693 (1994).
22. M. I. J. Beale, J. D. Benjamin, M. U. Uren, N. G. Chew, and A. G. Cullis, J. Cryst. Growth, 75, 408 (1986).
23. N. Gabouze, S. Belhousse, and R. Outemzabet, Acta Phys. Slov., 53, 207 (2003).
24. K. S. Nahm, Y. H. Seo, and H. J. Lee, J. Appl. Phys., 81, 2418 (1997).
25. Y. H. Seo, K. S. Nahm, and K. B. Lee, J. Electrochem. Soc., 140, 1453 (1993).
26. A. N. Parbukov, V. I. Beklemyshev, V. M. Gontar, I. I. Makhonin, S. A. Gavrilov, and S. C. Bayliss, Mater. Sci. Eng., C, 15, 121 (2001).
27. D. Mills and K. W. Kolasinski, J. Vac. Sci. Technol. A, 22, 1647 (2004).
28. S. Chattopadhyay, X. Li, and P. W. Bohn, J. Appl. Phys., 91, 6134 (2002).
29. S. Chattopadhyay and P. W. Bohn, J. Appl. Phys., 96, 6888 (2004).
30. Y. Harada, X. Li, P. W. Bohn, and R. G. Nuzzo, J. Am. Chem. Soc., 123, 8709 (2001).
31. X. Li and P. W. Bohn, Appl. Phys. Lett., 77, 2572 (2000).
32. M. Schoisswohl, J. L. Cantin, H. J. von Bardeleben, and G. Amato, Appl. Phys. Lett., 66, 3660 (1995).
33. D. R. Turner, J. Electrochem. Soc., 107, 810 (1960).
34. R. Zanoni, G. Righini, G. Mattogno, L. Schirone, G. Sotgiu, and F. Rallo, J. Lumin., 80, 159 (1998).
35. R. Guerrero-Lemus, F. A. Ben-Hander, J. L. G. Fierro, C. Hernández-Rodríguez, and J. M. Martínez-Duart, Phys. Status Solidi A, 197, 137 (2003).
36. L. A. Jones, G. M. Taylor, F.-X. Wei, and D. F. Thomas, Prog. Surf. Sci., 50, 283 (1995).
37. K. W. Kolasinski, M. Aindow, J. C. Barnard, S. Ganguly, L. Koker, A. Wellner, R. E. Palmer, C. Field, P. Hamley, and M. Poliakoff, J. Appl. Phys., 88, 2472 (2000).
38. C. Lee, L. Koker, and K. W. Kolasinski, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process., 71, 77 (2000).
39. L. Koker and K. W. Kolasinski, J. Phys. Chem. B, 105, 3864 (2001).
40. L. Koker, A. Wellner, P. A. J. Sherratt, R. Neuendorf, and K. W. Kolasinski, Phys. Status Solidi A, 197, 117 (2003).
41. D. Mills, M. Nahidi, and K. W. Kolasinski, Phys. Status Solidi A, 202, 1422 (2005).
42. K. W. Kolasinski, Phys. Chem. Chem. Phys., 5, 1270 (2003).
43. P. Gorostiza, R. Díaz, M. A. Kulandainathan, F. Sanz, and J. R. Morante, J. Electroanal. Chem., 469, 48 (1999).
44. P. Gorostiza, M. Anbu Kulandainathan, R. Díaz, F. Sanz, P. Allongue, and J. R. Morante, J. Electrochem. Soc., 147, 1026 (2000).
45. P. Gorostiza, P. Allongue, R. Díaz, J. R. Morante, and F. Sanz, J. Phys. Chem. B, 107, 6454 (2003).
46. L. Koker, A. Wellner, P. A. J. Sherratt, R. Neuendorf, and K. W. Kolasinski, J. Phys. Chem. B, 106, 4424 (2002).
47. P. M. M. C. Bressers, M. Plakman, and J. J. Kelly, J. Electroanal. Chem., 406, 131 (1996).
48. K. Barla, G. Bomchil, R. Hérino, and J. C. Pfister, J. Cryst. Growth, 68, 721 (1984).
49. S. Shih, K. H. Jung, T. Y. Hsieh, J. Sarathy, J. C. Campbell, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett., 60, 1863 (1992).
50. R. R. Chandler-Henderson, J. L. Coffer, and L. A. Files-Sesler, J. Electrochem. Soc., 141, L166 (1994).
51. É. Vázsonyi, E. Szilágyi, P. Petrik, Z. E. Horváth, T. Lohner, M. Fried, and G. Jalsovszky, Thin Solid Films, 388, 295 (2001).
52. D. Brumhead, L. T. Canham, D. M. Seekings, and P. J. Tufton, Electrochim. Acta, 38, 191 (1993).
53. R. Guerrero-Lemus and J. M. Martínez-Duart, Thin Solid Films, 297, 118 (1997).
54. V. Pellegrini, F. Fuso, G. Lorenzi, M. Allegrini, A. Diligenti, A. Nannini, and G. Pennelli, Appl. Phys. Lett., 67, 1084 (1995).
55. L. E. Friedersdorf, P. C. Searson, S. M. Prokes, O. J. Glembocki, and J. M. Macaulay, Appl. Phys. Lett., 60, 2285 (1995).
56. L. T. Canham, A. G. Cullis, C. Pickering, O. D. Dosser, T. I. Cox, and T. P. Lynch, Nature (London), 368, 133 (1994).
57. D. Bellet and L. Canham, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.), 10, 487 (1998).
58. J. K. M. Chun, A. B. Bocarsly, T. R. Cottrell, J. B. Benziger, and J. C. Yee, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 283, 329 (1993).
59. J. L. Coffer, S. C. Lilley, and R. A. Martin, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 283, 305 (1993).
60. T. Dittrich, E. A. Konstantinova, and V. Y. Timoschenko, Thin Solid Films, 255, 238 (1995).
61. M. A. Hory, A. Bsiesy, R. Hérino, M. Ligeon, F. Muller, and J. C. Vial, Thin Solid Films, 276, 130 (1996).
62. P. K. Kashkarov, E. A. Konstantinova, A. V. Pavlikov, and V. Y. Timoshenko, Phys. Low-Dimens. Semicond. Struct., 1/2, 123 (1997).
63. M. T. Kelly and A. B. Bocarsly, Chem. Mater., 9, 1659 (1997).
64. J. J. Kelly, E. S. Kooij, and D. Vanmaekelberg, Langmuir, 15, 3666 (1999).
65. J. M. Lauerhaas, G. M. Credo, J. L. Heinrich, and M. J. Sailor, J. Am. Chem. Soc., 114, 1911 (1992).
66. J. M. Lauerhaas and M. J. Sailor, Science, 261, 1567 (1993).
67. S. Létant and J. C. Vial, J. Appl. Phys., 80, 7018 (1996).
68. L. M. Peter, D. J. Riley, R. I. Wielgosz, P. A. Snow, R. V. Penty, I. H. White, and E. A. Meulenkamp, Thin Solid Films, 276, 123 (1996).
69. J.-N. Chazalviel, F. Ozanam, and V. M. Dubin, J. Phys. I, 4, 1325 (1994).
70. Y. H. Zhang, X. J. Li, L. Zheng, and Q. W. Chen, Phys. Rev. Lett., 81, 1710 (1998).
71. M. V. Wolkin, J. Jorne, P. M. Fauchet, G. Allan, and C. Delerue, Phys. Rev. Lett., 82, 197 (1999).
72. S. Cattarin, J.-N. Chazalviel, C. Da Fonseca, F. Ozanam, L. M. Peter, G. Schlichthörl, and J. Stumper, J. Electrochem. Soc., 145, 498 (1998).
73. X. Xia, C. M. A. Ashruf, P. J. French, J. Rappich, and J. J. Kelly, J. Phys. Chem. B, 105, 5722 (2001).
74. S. Lazarouk, P. Jaguiro, S. Katsouba, G. Maiello, S. La Monica, G. Masini, E. Proverbio, and A. Ferrari, Thin Solid Films, 297, 97 (1997).
75. F. Carreño, J. C. Martínez-Antón, and E. Bernabéu, Rev. Sci. Instrum., 65, 2489 (1994).
76. W. Theiß, S. Henkel, and M. Arntzen, Thin Solid Films, 255, 177 (1995).
77. W. Theiß, Solid State Phys., 33, 149 (1994).
78. H. Looyenga, Physica (Amsterdam), 31, 401 (1965).
79. D. A. G. Bruggeman, Ann. Phys., 24, 636 (1935).
80. S. Kalem and M. Rosenbauer, Appl. Phys. Lett., 67, 2551 (1995).
81. J. N. Kidder, Jr., P. S. Williams, T. P. Pearsall, D. T. Schwartz, and B. Z. Nosho, Appl. Phys. Lett., 61, 2896 (1992).
82. Y. Q. Jia, L. Z. Zhang, J. S. Fu, B. R. Zhang, J. C. Mao, and G. G. Qin, J. Appl. Phys., 74, 7615 (1993).
83. M. J. Winton, S. D. Russell, J. A. Wolk, and R. Gronsky, Appl. Phys. Lett., 69, 4026 (1996).
84. L. T. Canham, Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990).
85. V. Lehmann and U. Gösele, Appl. Phys. Lett., 58, 856 (1991).
86. T. van Buuren, L. N. Dinh, L. L. Chase, W. J. Siekhaus, and L. J. Terminello, Phys. Rev. Lett., 80, 3803 (1998).
87. J. L. Heinrich, C. L. Curtis, G. M. Credo, K. L. Kavanagh, and M. J. Sailor, Science, 255, 66 (1992).
88. K. A. Littau, P. J. Szajowski, A. J. Muller, A. R. Kortan, and L. E. Brus, J. Phys. Chem., 97, 1224 (1993).
89. F. Huisken, B. Kohn, and V. Paillard, Appl. Phys. Lett., 74, 3776 (1999).
90. J. P. Wilcoxon and G. A. Samara, Appl. Phys. Lett., 74, 3164 (1999).
91. J. D. Holmes, K. J. Ziegler, R. C. Doty, L. E. Pell, K. P. Johnston, and B. A. Korgel, J. Am. Chem. Soc., 123, 3743 (2001).
92. CRC Handbook of Chemistry and Physics, Vol. 60, R. C. Weast, Editor, CRC Press, Boca Raton, FL (1980).