Effect of ozone cleaning and annealing on Ti/Al/Pt/Au ohmic contacts on GaN nanowires

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 9, Issue 5, 2006, Pages

  Chang, Chih Yang ^a   Lan, Tian Wey ^a   Chi, Gou Chung ^a   Chen, Li Chyong ^b   Chen, Kuei Hsien ^c,f   Chen, Jau Juin ^d   Jang, Soohwan ^d,f   Ren, F ^d,f   Pearton, S J ^e,f  

^a NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

^c INSTITUTE OF ATOMIC AND MOLECULAR SCIENCES   (Taiwan)

^d Department of Chemical Engineering ^*  (United States)

^e University of Florida   (United States)

^f ELECTROCHEMICAL SOCIETY

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY; GALLIUM NITRIDE; NANOSTRUCTURED MATERIALS; OHMIC CONTACTS; OZONE;

CONTACT RESISTIVITY; NANOWIRES; UV/OZONE CLEANING;

CLEANING;

EID: 33645278986     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2179187     Document Type: Article

References (32)

1. L. Y. Cui, Q. Wei, H. Park, and C. M. Lieber, Science, 293, 1289 (2001).
2. B. F. Erlanger, B. X. Chen, M. Zhu, and L. Brus, Nano Lett., 1, 465 (2002).
3. X. Duan, Y. Huang, Y. Cui, J. Wang, and C. M. Lieber, Nature (London), 409, 66 (2001).
4. G. Y. Tseng and J. C. Ellenbogen, Science, 294, 1293 (2001).
5. Y. Huang, X. Duan, Y. Cui, L. J. Lauhon, K. H. Kim, and C. M. Lieber, Science, 294, 1313 (2001).
6. C. S. Chang, S. Chattopadhyay, L. C. Chen, K. H. Chen, C. W. Chen, Y. F. Chen, R. Collazo, and Z. Sitar, Phys. Rev. B, 68, 125322 (2003).
7. T. H. Yang, C. H. Chen, A. Chatterjee, H. Y. Li, J. T. Lo, C. T. Wu, K. H. Chen, and L. C. Chen, Chem. Phys. Lett., 379, 155 (2003).
8. Z. H. Lan, W. M. Wang, C. L. Sun, S. C. Shi, C. W. Hsu, T. T. Chen, K. H. Chen, C. C. Chen, Y. F. Chen, and L. C. Chen, J. Cryst. Growth, 269, 87 (2004).
9. A. Bachtold, P. Hadley, T. Nakanishi, and C. Dekker, Science, 294, 1317 (2001).
10. Y. Cui and C. M. Lieber, Science, 291, 851 (2001).
11. J. Y. Yu, S. W. Chung, and J. R. Heath, J. Phys. Chem. B, 104, 11864 (2000).
12. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science, 292, 1897 (2001).
13. J. C. Johnson, H. J. Choi, K. P. Knutsen, R. D. Schaller, P. Yang, and R. J. Saykally, Nat. Mater., 1, 106 (2002).
14. J. Y. Lao, J. G. Wen, and Z. F. Ren, Nano Lett., 2, 1287 (2002).
15. F. G. Tarntair, C. Y. Wen, L. C. Chen, J.-J. Wu, K. H. Chen, P. F. Kuo, S. W. Chang, Y. F. Chen, W. K. Hong, and H. C. Cheng, Appl. Phys. Lett., 76, 2630 (2000).
16. X. F. Duan and C. M. Lieber, J. Am. Chem. Soc., 122, 188 (2000).
17. X. Chen, J. Li, Y. Cao, Y. Lan, H. Li, M. He, C. Wand, Z. Zhang, and Z. Qiao, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.), 12, 1432 (2000).
18. C. H. Liang, L. C. Chen, J. S. Hwang, K. H. Chen, Y. T. Hung, and Y. F. Chen, Appl. Phys. Lett., 81, 22 (2002).
19. Y. Wu and P. Yang, J. Am. Chem. Soc., 123, 3165 (2001).
20. J.-R. Kim, H. M. So, J. W. Park, J.-J. Kim, J. Kim, C. J. Lee, and S. C. Lyu, Appl. Phys. Lett., 80, 3548 (2002).
21. L. C. Chen, K. H. Chen, and C. C. Chen, in Nanowires and Nanobelts - Materials, Properties and Devices, Vol. 1, Z. L. Wang, Editor, Chap. 9, Metal and Semiconductor Nanowires Series, Kluwer Academic Publisher, Narwell, MA (2003).
22. Z. H. Lan, C. H. Liang, C. W. Hsu, C. T. Wu, H. M. Lin, S. Dhara, K. H. Chen, L. C. Chen, and C. C. Chen, Adv. Funct. Mater., 14, 233 (2004).
23. C. C. Chen, C. C. Yeh, C. H. Chen, M. Y. Yu, H. S. Liu, J. J. Wu, K. H. Chen, L. C. Chen, J. Y. Pong, and Y. F. Chen, J. Am. Chem. Soc., 123, 2791 (2001).
24. S. Dhara, A. Datta, C. W. Hsu, C. T. Wu, C. H. Shen, Z. H. Lan, K. H. Chen, L. C. Chen, Y. L. Wang, and C. C. Chen, Appl. Phys. Lett., 84, 5473 (2004).
25. O. Briot, B. Maleyre, S. Ruffenach, C. Pinquier, F. Demangeot, and J. Frandon, Phys. Status Solidi C, 7, 2851 (2003).
26. E. Dimakis, G. Konstantinidis, K. Tsagaraki, A. Adikimenakis, E. Iliopoulos, and A. Georgakilas, Superlattices Microstruct., 36, 497 (2004).
27. T. Tang, S. Han, W. Jin, X. Liu, C. Li, D. Zhang, C. Zhou, B. Chen, J. Han, and M. Meyyapan, J. Mater. Res., 19, 423 (2004).
28. S. J. Pearton, J. C. Zolper, F. Ren, and R. J. Shul, J. Appl. Phys., 86, 1 (1999).
29. D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization, John Wiley & Sons, New York (1990).
30. C. Y. Chang, G. C. Chi, W. M. Wang, L. C. Chen, K. H. Chen, F. Ren, and S. J. Pearton, J. Electron. Mater..
31. H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide, S. Yamazaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Koike, and M. Murakami, J. Appl. Phys., 81, 1315 (1997).
32. K. K. Kim, K. J. Kim, B. Kim, J. N. Kim, J. S. Kwak, Y. J. Park, and J.-L. Lee, J. Electron. Mater., 30, 129 (2005), and references therein.