High-energy spectroscopic study of the III-V nitride-based diluted magnetic semiconductor Ga1-x Mnx N

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 72, Issue 8, 2005, Pages

  Hwang, J I ^a   Ishida, Y ^a   Kobayashi, M ^a   Hirata, H ^a   Takubo, K ^a   Mizokawa, T ^a   Fujimori, A ^a,b   Okamoto, J ^b   Mamiya, K ^b   Saito, Y ^b   Muramatsu, Y ^b   Ott, H ^c   Tanaka, A ^d   Kondo, T ^e   Munekata, H ^e  

^a UNIVERSITY OF TOKYO   (Japan)

^b JAPAN SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH INSTITUTE   (Japan)

^c FREIE UNIVERSITÄT BERLIN   (Germany)

^d HIROSHIMA UNIVERSITY   (Japan)

^e TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 33644958424     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.72.085216     Document Type: Article

References (30)

1. K. Sato and H. Katayama-Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 JAPLD8 0021-4922 10.1143/JJAP.40.L485 40, L485 (2001).
2. P. Mahadevan and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1799245 85, 2860 (2004).
3. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, Science SCIEAS 0036-8075 10.1126/science.287.5455.1019 287, 1019 (2000).
4. S. Kuwabara, T. Kondo, T. Chikyow, P. Ahmet, and H. Munekata, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 JAPLD8 0021-4922 10.1143/JJAP.40.L724 40, L724 (2001).
5. M. Zajac, R. Doradzinski, J. Gosk, J. SzcZytko, M. Lefeld-Sosnowska, M. Kaminska, M. Polczewska, E. Grzanska, and W. Gebicki, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1348302 78, 1276 (2001).
6. S. Sonoda, S. Shimizu, T. Sasaki, Y. Yamamoto, and H. Hori, J. Cryst. Growth JCRGAE 0022-0248 10.1016/S0022-0248(01)02183-2 237, 1358 (2002).
7. M. E. Overberg, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, N. A. Theodoropoulou, K. T. McCarthy, and A. F. Hebard, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1397763 79, 1312 (2001).
8. P. P. Chen, H. Makino, J. J. Kim, and T. Yao, J. Cryst. Growth JCRGAE 0022-0248 10.1016/S0022-0248(02)02204-2 251, 331 (2003).
9. M. Hashimoto, Y. K. Zhou, H. Tampo, H. Kanamura, and H. Asahi, J. Cryst. Growth JCRGAE 0022-0248 10.1016/S0022-0248(03)00946-1 252, 499 (2003).
10. Y. Y. Yu, R. Zhang, X. Q. Xiu, Z. L. Xie, H. Q. Yu, Y. Shi, B. Shen, S. L. Gu, and T. D. Zheng, J. Cryst. Growth JCRGAE 0022-0248 269, 7166 (2004).
11. K. Ando, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1534618 82, 100 (2003).
12. S. Dhar, O. Brandt, A. Trampert, L. Däweritz, K. J. Friedland, K. H. Ploog, J. Keller, B. Bescjpten, and G. Güntherodt, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1564292 82, 2077 (2003).
13. M. Zajac, J. Gosk, E. Grzanska, M. Kaminska, A. Twardowski, B. Strojek, T. Szyszko, and S. Podsiadlo, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 82, 2077 (2003).
14. J. Okabayashi, A. Kimura, T. Mizokawa, A. Fujimori, T. Hayashi, and M. Tanaka, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.59.R2486 59, R2486 (1999).
15. S. C. Wi, J.-S. Kang, J. H. Kim, S.-B. Cho, B. J. Kim, S. Yoon, B. J. Suh, S. W. Han, K. H. Kim, K. J. Kim, B. S. Kim, H. J. Song, H. J. Shin, J. H. Shim, and B. I. Min, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1756197 84, 4233 (2004);
16. S. C. Wi, J.-S. Kang, J. H. Kim, S.-B. Cho, B. J. Kim, S. Yoon, B. J. Suh, S. W. Han, K. H. Kim, K. J. Kim, B. S. Kim, H. J. Song, H. J. Shin, J. H. Shim, and B. I. Min, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1667419 95, 7166 (2004).
17. T. Kondo, S. Kuwabara, H. Owa, and H. Munekata, J. Cryst. Growth JCRGAE 0022-0248 10.1016/S0022-0248(01)02182-0 237, 1353 (2002).
18. Y. H. Lai, C. T. Yeh, J. M. Hwang, H. L. Hwang, C. T. Chen, and W. H. Hung, J. Phys. Chem. B JPCBFK 1089-5647 10.1021/jp011728k 105, 10029 (2001).
19. Z. S. Popovic, S. Satpathy, and W. C. Mitchel, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.70.161308 70, 161308 (R) (2004).
20. K. W. Edmonds, N. R. S. Farley, T. K. Johal, R. P. Campion, B. L. Gallagher, C. T. Foxon, and G. van der Laan, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1667419 95, 7166 (2003).
21. T. Graf, M. Gjukic, M. S. Brandt, M. Stutzmann, and O. Ambacher, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1530374 81, 5159 (2002).
22. T. Graf, M. Gjukic, M. Hermann, M. S. Brandt, M. Stutzmann, and O. Ambacher, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.67.165215 67, 165215 (2003).
23. R. Y. Korotokov, J. M. Gregie, B. Han, and B. W. Wessels, Physica B PHYBE3 0921-4526 10.1016/S0921-4526(01)00654-8 308, 18 (2001).
24. F. E. Arkun, M. J. Reed, E. A. Berkman, N. A. El-Masry, J. M. Zavada, M. L. Reed, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1810216 85, 3809 (2004).
25. W. A. Harrison, Electronic Structure and the Properties of Solids (Dover, New York, 1989).
26. A. Rubio, J. L. Corkill, M. L. Cohen, E. L. Shirley, and S. G. Louie, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.48.11810 48, 11810 (1993).
27. S. Sugano, Y. Tanabe, and H. Kamimura, Multiplets of Transition Metal Ions in Crystals (Academic, New York, 1970).
28. J. Okabayashi, T. Mizokawa, D. D. Sarma, and A. Fujimori, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.65.161203 65, 161203 (R) (2002).
29. T. Mizokawa, T. Nambu, A. Fujimori, T. Fukumura, and M. Kawasaki, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.65.085209 65, 085209 (2002).
30. J. J. Kim, H. Makino, P. P. Chen, T. Hanada, T. Yao, K. Kobayashi, M. Yabashi, Y. Takata, T. Tokushima, D. Miwa, K. Tamasaku, T. Ishikawa, S. Shin, and T. Yamamoto, Mater. Sci. Semicond. Process. MSSPFQ 1369-8001 6, 503 (2003).