Effect of developer molecular size on roughness of dissolution front in electron-beam resist

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 22, Issue 3, 2004, Pages 1037-1043

  Yamaguchi, T ^a   Namatsu, H ^a  

^a Kashino Diverse Brain Research Laboratory of NTT Communication Science Laboratories   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALCOHOLS; DISSOLUTION; MOLECULAR WEIGHT; NANOTECHNOLOGY; ORGANIC SOLVENTS; POLYMERS; SILICON WAFERS; SURFACE ROUGHNESS;

ALKYL ACETATE SOLVENTS; CRITICAL MOLECULAR SIZE; ELECTRON-BEAM RESISTS; LINE-EDGE ROUGHNESS (LER);

ELECTRON BEAMS;

EID: 3242659194     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1736647     Document Type: Article

References (33)

1. T. Yoshimura, H. Shiraishi, J. Yamamoto, and S. Okazaki, Appl. Phys. Lett. 63, 764 (1993).
2. S. C. Palmateer, S. G. Cann, J. E. Curtin, S. P. Doran, L. M. Eriksen, A. R. Forte, R. R. Kunz, T. M. Lyszczarz, M. B. Stern, and C. Nelson, Proc. SPIE 3333, 634 (1998).
3. W. Hinsberg, F. A. Houle, J. Hoffnagle, M. Sanchez, G. Wallraff, M. Morrison, and S. Frank, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 3689 (1998).
4. M. I. Sanchez, W. D. Hinsberg, F. A. Houle, J. A. Hoffnagle, H. Ito, and C. Nguyen, Proc. SPIE 3678, 160 (1999).
5. G. W. Reynolds and J. W. Taylor, Proc. SPIE 3678, 573 (1999).
6. M. Yoshizawa and S. Moriya, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 3105 (2000).
7. H. P. Koh, Q. Y. Lin, X. Hu, and L. Chan, Proc. SPIE 3999, 240 (2000).
8. J. Shin, G. Han, Y. Ma, K. Moloni, and F. Cerrina, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2890 (2001).
9. A. R. Neureuther and C. G. Willson, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 167 (1988).
10. N. Rau, F. Stratton, C. Fields, T. Ogawa, A. Neureuther, R. Kubena, and C. G. Willson, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 3784 (1998).
11. G. W. Reynolds, J. W. Taylor, and C. J. Brooks, J. Vac. Sci, Technol. B 17, 3420 (1999).
12. T. Yoshimura, H. Shraishi, J. Yamamoto, and S. Okazaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 6065 (1993).
13. E. W. Scheckler, S. Shoji, and E. Takeda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 327 (1993).
14. M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Murase, and T. Makino, Microelectron. Eng. 30, 419 (1996).
15. T. Yamaguchi, H. Namatsu, M. Nagase, K. Yamazaki, and K. Kurihara, Appl. Phys. Lett. 71, 2388 (1997).
16. H. Namatsu, Y. Takahashi, K. Yamazaki, T. Yamazaki, M. Nagase, and K. Kurihara, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 69 (1998).
17. H. Namatsu, T. Yamaguchi, M. Nagase, K. Yamazaki, and K. Kurihara, Microelectron. Eng. 41/42, 331 (1998).
18. T. Yamaguchi, H. Namatsu, M. Nagase, K. Yamazaki, and K. Kurihara, Proc. SPIE 3333, 830 (1998).
19. H. Namatsu, M. Nagase, T. Yamaguchi, K. Yamazaki, and K. Kurihara, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 3315 (1998).
20. T. Yamaguchi, H. Namatsu, M. Nagase, and K. Kurihara, Proc. SPIE 3678, 617 (1999).
21. C. M. Hansen, Hansen Solubility Parameters; A User's Handbook (CRC, Washington, D.C., 1999).
22. G. H. Bernstein, D. A. Hill, and W. P. Liu, J. Appl. Phys. 71, 4066 (1992).
23. T. Nishida, M. Notomi, R. Iga, and T. Tamamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 31, 4508 (1992).
24. H. Namatsu, M. Nagase, K. Kurihara, K. Iwadate, T. Fukuda, and K. Murase, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1473 (1995).
25. J. Grank and G. S. Park, Diffusion in Polymers (Academic, London, 1968).
26. E. Gipstein, A. C. Ouano, D. E. Johnson, and O. U. Need III, Polym. Eng. Sci. 17, 396 (1977).
27. E. Gipstein, A. C. Ouano, D. E. Johnson, and O. U. Need III, IBM J. Res. Dev. 21, 143 (1977).
28. A. C. Ouano, Polym. Eng. Sci. 18, 306 (1978).
29. A. Bondi, J. Phys. Chem. 68, 441 (1964).
30. A. Gavezzotti, J. Am. Chem. Soc. 109, 7968 (1987).
31. K. Süvegh, M. Klapper, A. Domján, S. Mullins, W. Wunderlich, and A. Vértes, Macromolecules 32, 1147 (1999).
32. R. M. Dammert, S. L. Maunu, F. H. J. Maurer, I. M. Neelov, S. Niemelä, F. Sundholm, and C. Wästlund, Macromolecules 32, 1930 (1999).
33. H. Hiraoka, IBM J. Res. Dev. 12, 121 (1977).