High density Germanium nanowire assemblies: Contact challenges and electrical characterization

Journal of Physical Chemistry B

Volumn 110, Issue 2, 2006, Pages 820-826

  Erts, Donats ^a,b   Polyakov, Boris ^c   Daly, Brian ^a,b   Morris, Michael A ^a,b   Ellingboe, Susan ^b,d   Boland, John ^b   Holmes, Justin D ^a,b  

^a UNIVERSITY COLLEGE CORK   (Ireland)

^b TRINITY COLLEGE DUBLIN   (Ireland)

^c UNIVERSITY OF LATVIA   (Latvia)

^d Intel Ireland Ltd   (Ireland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINA; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRIC IMPEDANCE; NANOSTRUCTURED MATERIALS; OHMIC CONTACTS;

CHARGE TRANSPORT; ELECTRICAL TRANSPORT; MACROCONTACT MEASUREMENTS; NANOWIRE ASSEMBLIES;

GERMANIUM;

EID: 31544462316     PISSN: 15206106     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp055309p     Document Type: Article

References (33)

1. Moore, G. E. Electronics 1965, 38, 84.
2. Sze, S. M. Physics of semiconductor devices; Wiley-Interscience: New York, 1981.
3. Cui, Y.; Wei, Q. Q.; Park, H.; Lieber, C. M. Science 2001, 293, 1289.
4. Cui, Y.; Lieber, C. M. Science 2001, 297, 851.
5. Duan, X. F.; Huang, Y.; Cui, Y.; Wang, J. E.; Lieber, C. M. Nature 2001, 409, 66.
6. Thelander, C.; Nilsson, H. A.; Jensen, L. E.; Samuelson, L. Nano Lett. 2005, 5, 635.
7. Kim, J. R.; Oh, H.; So, H. M.; Kim, J. J.; Kim, J.; Lee, C. J.; Lyu, S. C. Nanotechnology 2002, 13, 701.
8. Yu, Y. J.; Chung, S. W.; Heath, J. R. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 11864.
9. Shan, Y.; Kann Kalkan, A.; Peng, C.-Y.; Fonash, S. J. Nano Lett. 2004, 4, 2085.
10. Gu, G.; Burghard, M.; Kim, G.; Dusberg, G.; Chiu, P.; Krstic, V.; Han, W. J. Appl. Phys. 2001, 90, 11.
11. Hanrath, T.; Korgel, B. A. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 5518.
12. Ziegler, K.; Ryan, K. M.; Rice, R.; Crowley, T. A.; Erts, D.; Olin, H.; Patterson, J.; Spalding, T. R.; Holmes, J. D.; Morris, M. A. Faraday Discuss. 2004, 125, 311-326.
13. Ziegler, K. J.; Lyons, D. M.; Holmes, J. D.; Erts, D.; Polyakov, B.; Olin, H.; Svensson, K.; Olsson, E. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 4074.
14. Wang, D.; Chang, Y.-L.; Wang, Q.; Cao, J.; Farmer, D. B.; Gordon, R. G.; Dai, H. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 11602.
15. Wang, D.; Wang, Q.; Javey, A.; Tu, R.; Dai, H.; Kim, H.; McIntyre, P. C.; Krishnamohan, T.; Saraswat, K. C. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2432.
16. Gudiksen, M. S.; Lauhon, L. J.; Wang, D.; Lieber, C. M. Nature 2002, 415, 617.
17. Lauhon, L. J.; Gudiksen, M. S.; Wang, D.; Lieber, C. M. Nature 2002, 420, 57.
18. Hanrath, T.; Korgel, B. A. Adv. Mater 2003, 15, 437.
19. Cui, Y.; Duan, X.; Hu, J.; Lieber, C. M. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 5213.
20. Whang, D.; Song, J.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2003, 3, 951.
21. Wang, D.; Chang, Y.-L.; Liu, Z.; Dai, H. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 11871.
22. Lew, K. K.; Redwing, J. M. J. Cryst. Growth 2003, 254, 14.
23. Liang, Y.; Zhen, C.; Zou, D.; Xu, D. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 16338.
24. Mohammad, A. M.; Dey, S.; Lew, K.-K.; Redwing, J. M.; Mohney, S. E. J. Electrochem. Soc. 2003, 150, G577.
25. Liu, C. H.; Yiu, W. C.; Au, F. C. K.; Ding, J. X.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 3168.
26. Ziegler, K. J.; Polyakov, B.; Kulkarni, J. S.; Crowley, T. A.; Ryan, K. M.; Morris, M. A.; Erts, D.; Holmes, J. D. J. Mater. Chem. 2004, 14, 585.
27. Mohney, S. E.; Wang, Y.; Cabassi, M. A.; Lew, K. K.; Dey, S.; Redwing, J. M.; Mayer, T. S. Solid State Electron. 2005, 49, 227.
28. Masuda, H.; Fukuda, K. Science 1995, 268, 1466.
29. Masuda, H.; Yamada, H.; Satoh, M.; Asoh, H.; Nakao, M. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 2770.
30. Crowley, T. A.; Ziegler, K. J.; Lyons, D. M.; Erts, D.; Olin, H.; Morris, M. A.; Holmes, J. D. Chem. Mater. 2003, 15, 3518.
31. Peaks indexed using X'Pert Highscore software (PW3209) 2002 referenced to PCPDFWIN database JCPDS-ICDD, 2001.
32. Meng, G.; Cao, A.; Cheng, J.-Y.; Vijayaraghavan, A.; Jung, Y. J.; Shima, M.; Ajayan, P. M. J. Appl. Phys. 2005, 97, 064303.
33. Brodsky, M. H. Amorphous Semiconductors; Springer-Verlag: Berlin, 1979.