Study of activation of beryllium implantation in gallium nitride

Journal of Crystal Growth

Volumn 268, Issue 3-4 SPEC. ISS., 2004, Pages 489-493

  Wang, H T ^a   Tan, L S ^a   Chor, E F ^a  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

Author keywords

A1. Hall measurement; A1. Photoluminescence; A1. Pulsed laser annealing; A1. Rapid thermal annealing; B1. Beryllium implantation

Indexed keywords

BERYLLIUM; BINDING ENERGY; ION IMPLANTATION; LIGHT EMITTING DIODES; NITROGEN; RAPID THERMAL ANNEALING; SILICON WAFERS; THERMAL EFFECTS;

PULSED LASER ANNEALING (PLA); THERMAL ACTIVATION;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 3142771339     PISSN: 00220248     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.04.078     Document Type: Conference Paper

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