Nanoheteroepitaxy of GaN on a nanopore array Si surface

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 9, 2003, Pages 1752-1754

  Liang, J ^a   Hong, S K ^a,b   Kouklin, N ^a   Beresford, R ^a   Xu, J M ^a  

^a Brown University   (United States)

^b Chungnam National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANODIC OXIDATION; DRY ETCHING; GALLIUM NITRIDE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NUCLEATION; PHOTOLUMINESCENCE; RAMAN SPECTROSCOPY;

NANOHETEROEPITAXY;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 0141831150     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1604175     Document Type: Article

References (14)

1. R. F. Davis, A. M. Roskowski, E. A. Preble, J. S. Speck, B. Heying, J. A. Freitas, Jr. E. A. Preble, J. S. Speck, B. Heying, J. A. Freitas, Jr., E. R. Glaser, and W. E. Carlos, Proc. IEEE 90, 993 (2002).
2. M. Mynbaeva, A. Titkov, A. Kryzhanovski, I. Kotousova, A. S. Zubrilov, V. V. Ratnikov, V. Yu. Davydov, N. I. Kuznetsov, K. Mynbaev, D. V. Tsvetkov, S. Stepanov, A. Cherenkov and V. A. Dmitriev, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 14, 1 (1999).
3. K. Kusakabe, A. Kikuchi, and K. Kishino, J. Cryst. Growth 237-239, 988 (2002).
4. D. Zubia, S. H. Zaidi, S. D. Hersee, and S. R. J. Brueck, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 3514 (2000).
5. O. H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
6. M. A. Sanchez-Garcia, E. Calleja, E. Monroy, F. J. Sanchez, F. Calle, E. Munoz, and R. Beresford, J. Cryst. Growth 183, 23 (1998).
7. M. Mynbaeva, N. Savkina, A. Tregubova, M. Scheglov, A. Lebedev, A. Zubrilov, A. Titkov, A. Kryganovski, K. Mynbaev, N. Seedova, D. Tsvetkov, S. Stepanov, A. Cherenkov, I. Kotousova and V. A. Dimitriev, Mater. Sci. Forum 338, 225 (2000).
8. A. P. Li, F. Muller, A. Birner, K. Nielsch, and U. Gofsele, Mater. Sci. Forum 84, 6032 (1998).
9. H. Masuda, H. Yamada, M. Satoh, H. Asoh, M. Nakao, and T. Tamamura, Appl. Phys. Lett. 71, 2770 (1997).
10. J. Liang, H. Chik, A. Yin, and J. Xu, J. Appl. Phys. 91, 2544 (2002).
11. J. Liang, H. Chik, and J. Xu, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 998 (2002).
12. Y. Kanamori, K. Hane, H. Sai, and H. Yugami, Appl. Phys. Lett. 78, 142 (2001).
13. A. Ohtani, K. S. Stevens, and R. Beresford, Appl. Phys. Lett. 65, 61 (1994).
14. M. Kuball, Surf. Interface Anal. 31, 987 (2001).