Effects of tin concentration and post-annealing on the electrical and the optical properties of in 2-xSn xO 3 (x = 0 ∼ 0.25) deposited at room temperature

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 47, Issue 5, 2005, Pages 889-894

  Bae, J W ^a   Lee, H C ^a   Yeom, G Y ^a  

^a Sungkyunkwan University   (South Korea)

Author keywords

Annealing; Evaporation; Ion beam; ITO; Room temperature

Indexed keywords

EID: 28744443757     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (32)

1. J. R. Bellingham, W. A. Phillips and C. J. Adkins, J. Phys.: Condens. Matt. 2, 6207 (1990).
2. J. Ma, D. Zhang, J. Zhao, C. Tan, T. Yang and H. Ma, Appl. Surf. Sci, 151, 239 (1999).
3. J. George and C. S. Menon, Surface and Coatings Technology 321, 45 (2000).
4. J. A. Dobrowolski, F. C. Ho, D. Menagh, R. Simpson and A. Waldorf, Appl. Opt. 26, 5204 (1987).
5. S. Laux, N. Kaiser, A. Zoler, R. Gozclmann, H. Lauth and H. Bernitski, Thin Solid Films 335, 1 (1998).
6. J. S. Kim, J. W. Bae, H. J. Kim, N. E. Lee, G. Y. Yeom and K. H. Oh, Thin Solid Films 377-378. 103 (2000).
7. J. W. Bae, H. J. Kim, J. S. Kim, N. E. Lee and G. Y. Yeom, Vacuum 56, 77 (2000).
8. J. W. Bae, H. J. Kim J. S. Kim, Y. H. Lee, N. E. Lee, G. Y. Yeom and Y. W. Ko, Surface and Coatings Technology 131, 196 (2000).
9. J. T. Lim, N. G. Cho, C. H. Jeong, J. H. Lee, J. H. Lim and G. Y. Yeom, J. Korean Phys. Soc. 47, 142 (2005).
10. D. G. Lim, I. Lee and J. Yi, J. Korean Phys. Soc. 49, 41 (2001).
11. R. Koshi-ishi, P. K. Song, Y. Shigesato and T. Kawashima, J. Ohsako, Transaction of the Materials Research Society of Japan 25, 341 (2000).
12. P. K. Song, II, Akao, M. Kamei, Y. Shigesato and I. Yasui, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 5224 (1999).
13. H. Aharoni, T. J. Coutts, T. Gessert, R. Dhere and L. Schilling, J. Vac. Sci. Technol. A 3, 428 (1986).
14. J. C. C. Fan, Appl. Phys. Lett. 34, 515 (1979).
15. D. H. Kim, Y. G. Han, J. S. Cho and S. K. Koh, Thin Solid Films 377-378, 81 (2000).
16. Y. H. Son, J. H. Lee and H. J. Kim, J. Korean Phys. Soc. 42, 814 (2003).
17. X. W. Sun, H. C. Huang and H. S. Kwok, Appl. Phys. Lett. 68, 2663 (1996).
18. H. Kim, C. G. Gilmorc and A. Pique, J. Appl. Phys. 86, 6451 (1999).
19. F. O. Adurodija, H. Izumi, T. Ishihara, H. Yoshioka and M. Motoyama: J. Vac. Sci. & Technol. A 18, 814 (2000).
20. T. A Gessert, D. L Williamson, T. J. Coutts, A. J. Nelson, K. M. Jones, R. G. Dhere, H. Aharoni and P. Zurcher, J. Vac. Sci. & Technol. A 5, 1314 (1987).
21. R. G. Dhere, T. A Gossert, L. L. Schiling, A. J. Nelson, K. M. Jones, H. Aharoni and T. J. Coutts, Sol. Cell. 21, 281 (1987).
22. Z. Ovadyahu, B. Ovryn and H. W. Kraner, J. Electrochem. Soc. 130, 917 (1983).
23. I. Hamberg, C. G. Granqvist, K. P. Berggren, B. E. Sernelius and L. Engstrom, Phys. Rev, B 30, 3240 (1984).
24. S. Muranaka, Y. Bando and T. takada, Thin Solid Films 25, 355 (1987).
25. M. Mizuhashi, Thin Solid Films 70, 91 (1980).
26. G. Frank and H. Kostlin, Appl. Phys. A 27, 197 (1982).
27. Y. Shigesato and D. C. Paine, Appl. Phys. Lett. 62, 1268 (1993).
28. G. Frank and H. Kostlin: Appl. Phys. A 27, 197 (1982).
29. T. M Ratcheva, M. D. Nanova, L. V. Vassilev and M. G. Mikhailov: Thin Solid Films 139, 189 (1986).
30. D. L. Dexter and F. Seitz: Phys. Rev. 88, 864 (1952).
31. R. B. Dingle: Phil. Mag. 46, 831 (1955).
32. H. L. Hartnagel, Semiconducting Transparent Thin Films, Institute of Physics Publishing, Ltd. (Bristol and Philadelphia, 1995), Chap. 4.