ZnO devices: Photodiodes and p-type field-effect transistors

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 15, 2005, Pages 1-3

  Ryu, Y R ^a   Lee, T S ^a   Lubguban, J A ^b   White, H W ^b   Park, Y S ^c   Youn, C J ^d  

^a MOXtronics Inc   (United States)

^b UNIVERSITY OF MISSOURI   (United States)

^c Seoul National University   (South Korea)

^d Chonbuk National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRONIC DEVICES; ZNO DEVICES;

CRYSTALLINE MATERIALS; PHOTODIODES; ULTRAVIOLET DETECTORS; ZINC OXIDE;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 28344435968     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2089176     Document Type: Article

References (24)

1. J. D. Albrecht, P. P. Ruden, S. Limpijumnong, W. R. L. Lambrecht, and K. F. Brennan, Appl. Phys. Lett. 86, 6864 (1999).
2. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).
3. A. A. Lebedev, V. V. Kozlovski, N. B. Strokan, D. V. Davydov, A. M. Ivanov, A. M. Strel'chuk, and R. Yakimova, Semiconductors 36, 1270 (2002).
4. F. D. Auret, S. A. Goodman, M. Hayes, M. J. Legodi, H. A. van Laarhoven, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 79, 3074 (2001).
5. D. C. Look, D. C. Reynolds, J. W. Hemsky, R. L. Jones, and J. R. Sizelove, Appl. Phys. Lett. 75, 811 (1999).
6. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
7. A. B. M. Almamun Ashrafi, I. Suemune, H. Jumano, and S. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 1281 (2002).
8. K. K. Kim, H. S. Kim, D. K. Hwang, J. H. Lim, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 83, 63 (2003).
9. Y. W. Heo, S. J. Park, K. Ip, S. J. Pearton, and D. P. Norton, Appl. Phys. Lett. 83, 1128 (2003).
10. K. Tamura, T. Makino, A. Tsukazaki, M. Sumiya, S. Fuke, T. Furumochi, M. Lippmaa, C. H. Chia, Y. Segawa, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Solid State Commun. 127, 265 (2003).
11. Z. Q. Chen, T. Sekiguchi, X. L. Yuan, M. Maekawa, and A. Kawasuso, J. Phys.: Condens. Matter 15, 1 (2003).
12. B. W. Thomas and D. Walsh, J. Phys. D 6, 612 (1973).
13. Y. R. Ryu, S. Zhu, D. C. Look, J. M. Wrobel, H. M. Jeong, and H. W. White, J. Cryst. Growth 216, 330 (2000).
14. Y. R. Ryu, T. S. Lee, and H. W. White, Appl. Phys. Lett. 83, 87 (2003).
15. T. S. Jeong, M. S. Han, and C. J. Youn, J. Appl. Phys. 96, 175 (2004).
16. C. Morhain, M. Teisseire, S. V́zian, F. Vigú, F. Raymond, P. Lorenzini, J. Guion, G. Neu, and J. -P. Faurie, Phys. Status Solidi B 229, 881 (2002).
17. M. K. Ryu, S. H. Lee, M. S. Jang, G. N. Panin, and T. W. Kang, J. Appl. Phys. 92, 154 (2002).
18. S. Limpijumnong, S. B. Zhang, S. Wei, and C. H. Park, Phys. Rev. Lett. 92, 155504 (2004).
19. D. C. Look, G. M. Renlund, R. H. Burgener, II, and J. R. Sizelove, Appl. Phys. Lett. 85, 5269 (2004).
20. Y. R. Ryu, W. J. Kim, and H. W. White, J. Cryst. Growth 219, 419 (2000).
21. Y. R. Ryu, T. S. Lee, J. H. Leem, and H. W. White, Appl. Phys. Lett. 83, 4032 (2003).
22. Y. R. Ryu, T. S. Lee, and H. W. White, J. Cryst. Growth 261, 502 (2004).
23. G. Y. Xu, A. Salvador, W. Kim, Z. Fan, C. Lu, H. Tang, H. Morko̧, G. Smith, M. Estes, B. Goldenberg, W. Yang, and S. Krishnakutty, Appl. Phys. Lett. 71, 2154 (1997).
24. Y. R. Ryu, S. Zhu, J. D. Budai, H. R. Chandrasekhar, P. F. Miceli, and H. W. White, J. Appl. Phys. 88, 201 (2000).