Effect of nitrogen incorporation in ferromagnetic (Ga,Mn)As epilayers

Journal of Applied Physics

Volumn 98, Issue 9, 2005, Pages

  Oshiyama, I ^a   Kondo, T ^a   Munekata, H ^a  

^a TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CIRCULAR DICHROISM; DOUBLE EXCHANGE INTERACTIONS; FERROMAGNETIC EPILAYERS; SPIN-EXCHANGE INTERACTION;

CARRIER CONCENTRATION; ELECTRON ENERGY LEVELS; MANGANESE COMPOUNDS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NITROGEN; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

FERROMAGNETIC MATERIALS;

EID: 27844486623     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2128468     Document Type: Article

References (36)

1. H. Munekata, H. Ohno, S. von Molnár, A. Segmüller, L. L. Chang, and L. Esaki, Phys. Rev. Lett. 63, 1849 (1989).
2. H. Ohno and F. Matsukura, Solid State Commun. 0038-1098 10.1016/S0038-1098(00)00436-1 117, 179 (2001); T. Dietl and H. Ohno, MRS Bull. 28, 714 (2003).
3. H. Ohno and F. Matsukura, Solid State Commun. 0038-1098 10.1016/S0038-1098(00)00436-1 117, 179 (2001); T. Dietl and H. Ohno, MRS Bull. 28, 714 (2003).
4. T. Mizokawa, A. Fujimori, J. Okabayashi, and O. Rader, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 136, 21 (2004).
5. J. Okabayashi, A. Kimura, O. Rader, T. Mizokawa, A. Fujimori, T. Hayashi, and M. Tanaka, Phys. Rev. B 58, R4211 (1998).
6. M. Ilegems, R. Dingle, and L. W. Rupp, Jr., J. Appl. Phys. 46, 3059 (1975).
7. J. S. Blakemore, W. J. Brown, Jr., M. L. Stass, and D. A. Woodbury, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1662760 44, 3352 (1973); D. A. Woodbury and J. S. Blakemore, Phys. Rev. B 8, 3803 (1973).
8. J. S. Blakemore, W. J. Brown, Jr., M. L. Stass, and D. A. Woodbury, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1662760 44, 3352 (1973); D. A. Woodbury and J. S. Blakemore, Phys. Rev. B 8, 3803 (1973).
9. T. Deitl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
10. T. Dietl, H. Ohno, and F. Matsukura, Phys. Rev. B 63, 195205 (2001).
11. D. Chiba, K. Takamura, F. Matsukura, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 82, 3020 (2003).
12. C. T. Foxon, R. P. Campion, K. W. Edmonds, L. Zhao, K. Wang, N. R. S. Farley, C. R. Staddon, and B. L. Gallagher, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 15, 727 (2004).
13. K. M. Yu, W. Walukiewicz, T. Wojtowicz, I. Kuryliszyn, X. Liu, Y. Sasaki, and J. K. Furdyna, Phys. Rev. B 65, 201303 (2002).
14. T. Slupinski, H. Munekata, and A. Oiwa, Appl. Phys. Lett. 80, 1592 (2002).
15. S. Ohya, H. Kobayashi, and M. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 83, 2175 (2003).
16. K. Takamura, F. Matsukura, D. Chiba, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 81, 2590 (2002).
17. M. E. Overberg, B. P. Gila, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, N. A. Theodoropoulou, K. T. McCarthy, and S. B. Arnason, Appl. Phys. Lett. 79, 3128 (2001).
18. A. Waag, R. Kling, A. Köder, S. Frank, M. Oettinger, W. Schoch, W. Limmer, and R. Sauer, Physica E (Amsterdam) 13, 593 (2002).
19. R. Kling, A. Köder, W. Schoch, S. Frank, M. Oettinger, W. Limmer, R. Sauer, and A. Waag, Solid State Commun. 124, 207 (2002).
20. K. Sato, W. Schweika, P. H. Dederichs, and H. Katayama-Yoshida, Phys. Rev. B 70, 201202 (R) (2004).
21. I. Vurgaftman and J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 94, 3675 (2003).
22. V. A. Dinh, K. Sato, and H. Katayama-Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L888 (2003).
23. H. Ohno, J. Magn. Magn. Mater. 200, 110 (1999).
24. L. X. Zhao, C. R. Staddon, K. Y. Wang, K. W. Edmonds, R. P. Campion, B. L. Gallagher, and C. T. Foxon, Appl. Phys. Lett. 86, 071902 (2005).
25. S. Z. Wang, S. F. Yoon, W. J. Fan, W. K. Loke, and T. K. Ng, J. Appl. Phys. 96, 2010 (2004).
26. T. Hayashi, Y. Hashimoto, S. Katsumoto, and Y. Iye, Appl. Phys. Lett. 78, 1691 (2001).
27. K. W. Edmonds et al., Phys. Rev. Lett. 92, 037201 (2004).
28. J. Y. Tsao, Materials Fundamentals of Molecular Beam Epitaxy (Academic, Boston, 1993), Chap..
29. F. Matsukura, H. Ohno, A. Shen, and Y. Sugawara, Phys. Rev. B 57, R2037 (1998).
30. R. Moriya and H. Munekata, J. Appl. Phys. 93, 4603 (2003).
31. T. Graf, M. Gjukic, M. S. Brandt, M. Stutzmann, and O. Ambacher, Appl. Phys. Lett. 81, 5159 (2002).
32. K. Sato and H. Katayama-Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L485 (2001).
33. C. P. Kuo, S. K. Vong, R. M. Cohen, and G. B. Stringfellow, J. Appl. Phys. 57, 5428 (1985).
34. K. Uesugi, I. Suemune, T. Hasegawa, T. Akutagawa, and T. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.126010 76, 1285 (2000); W. G. Bi and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 70, 1608 (1997).
35. K. Uesugi, I. Suemune, T. Hasegawa, T. Akutagawa, and T. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.126010 76, 1285 (2000); W. G. Bi and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 70, 1608 (1997).
36. K. S. Burch, J. Stephens, R. K. Kawakami, D. D. Awschalom, and D. N. Basov, Phys. Rev. B 70, 205208 (2004).