Magnetic properties of heavily Mn-doped quaternary alloy ferromagnetic semiconductor (InGaMn)as grown on InP

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 11, 2003, Pages 2175-2177

  Ohya, Shinobu ^a,b   Kobayashi, Hideo ^a,b   Tanaka, Masaaki ^a,b  

^a UNIVERSITY OF TOKYO   (Japan)

^b JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; MAGNETIC PROPERTIES; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DOPING; SUBSTRATES; THERMAL EFFECTS;

LOW-TEMPERATURE ANNEALING;

SEMICONDUCTOR GROWTH;

EID: 0142119271     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1610788     Document Type: Article

References (26)

1. H. Munekata, H. Ohno, S. von Molnar, A. Segmuller, L. L. Chang, and L. Esaki, Phys. Rev. Lett. 63, 1849 (1989); H. Ohno, H. Munekata, S. von Molnar, and L. L. Chang, J. Appl. Phys. 69, 6103 (1991).
2. H. Munekata, H. Ohno, S. von Molnar, A. Segmuller, L. L. Chang, and L. Esaki, Phys. Rev. Lett. 63, 1849 (1989); H. Ohno, H. Munekata, S. von Molnar, and L. L. Chang, J. Appl. Phys. 69, 6103 (1991).
3. H. Ohno, J. Magn. Magn. Mater. 200, 110 (1999); H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, and Y. Iye, Appl. Phys. Lett. 69, 363 (1996).
4. H. Ohno, J. Magn. Magn. Mater. 200, 110 (1999); H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, and Y. Iye, Appl. Phys. Lett. 69, 363 (1996).
5. M. Tanaka, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2267 (1998); M. Tanaka, T. Hayashi, T. Nishinaga, H. Shimada, H. Tsuchiya, and Y. Otuka, J. Cryst. Growth 175/176, 1063 (1997).
6. M. Tanaka, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2267 (1998); M. Tanaka, T. Hayashi, T. Nishinaga, H. Shimada, H. Tsuchiya, and Y. Otuka, J. Cryst. Growth 175/176, 1063 (1997).
7. M. Tanaka, H. Shimizu, T. Hayashi, H. Shimada, and K. Ando, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 1247 (2000).
8. T. Hayashi, M. Tanaka, and A. Asamitsu, J. Appl. Phys. 87, 4673 (2000).
9. M. Tanaka and Y. Higo, Phys. Rev. Lett. 87, 026602 (2001); Y. Higo, H. Shimizu, and M. Tanaka, J. Appl. Phys. 89, 6745 (2001).
10. M. Tanaka and Y. Higo, Phys. Rev. Lett. 87, 026602 (2001); Y. Higo, H. Shimizu, and M. Tanaka, J. Appl. Phys. 89, 6745 (2001).
11. S. Ohya, Y. Higo, H. Shimizu, J. M. Sun, and M. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L24 (2002); S. Ohya, Y. Higo, H. Shimizu, J. M. Sun, and M. Tanaka, cond-mat/0111163 (2001).
12. S. Ohya, Y. Higo, H. Shimizu, J. M. Sun, and M. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L24 (2002); S. Ohya, Y. Higo, H. Shimizu, J. M. Sun, and M. Tanaka, cond-mat/0111163 (2001).
13. S. Ohya, H. Yamaguchi, and M. Tanaka, J. Supercond. 16, 139 (2003).
14. T. Slupinski, H. Munekata, and A. Oiwa, Appl. Phys. Lett. 80, 1592 (2002).
15. J. K. Furdyna, J. Appl. Phys. 64, R29 (1988).
16. K. Ando, T. Hayashi, M. Tanaka, and A. Twardowski, J. Appl. Phys. 83, 6548 (1998).
17. H. Saito, V. Zayets, S. Yamagata, and K. Ando, Phys. Rev. Lett. 90, 207202 (2003).
18. T. Hayashi, Y. Hashimoto, S. Katsumoto, and Y. Iye, Appl. Phys. Lett. 78, 1691 (2001).
19. A. Arrott, Phys. Rev. 108, 1394 (1957).
20. K. W. Edmonds, K. Y. Wang, R. P. Campion, A. C. Neumann, N. R. S. Farley, B. L. Gallagher, and C. T. Foxon, Appl. Phys. Lett. 81, 4991 (2002).
21. K. C. Ku, S. J. Potashnik, R. F. Wang, S. H. Chun, P. Schiffer, N. Samarth, M. J. Seong, A. Mascarenhas, E. Johnston-Halperin, R. C. Myers, A. C. Gossard, and D. D. Awschalom, Appl. Phys. Lett. 82, 2302 (2003).
22. D. Chiba, K. Takamura, F. Matsukura, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 82, 3020 (2003).
23. T. Slupinski, A. Oiwa, S. Yanagi, and H. Munekata, J. Cryst. Growth 237-239, 1326 (2002).
24. F. Matsukura, H. Ohno, A. Shen, and Y. Sugawara, Phys. Rev. B 57, 2037 (1998).
25. A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, Y. Iye, H. Ohno, and H. Munekata, Phys. Rev. B 59, 5826 (1999).
26. S. Sanvito and N. A. Hill, Phys. Rev. B 62, 15553 (2000).