Effect of y doping and composition-dependent elastic strain on the electrical properties of (Ba,Sr) TiO 3 thin films deposited at 520 °c

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 19, 2005, Pages 1-3

  Wang, Ruey Ven ^a,c   McIntyre, Paul C ^a   Baniecki, John D ^b   Nomura, Kenji ^b   Shioga, Takeshi ^b   Kurihara, Kazuaki ^b   Ishii, Masatoshi ^b  

^a Stanford University   (United States)

^b FUJITSU LABORATORIES LTD   (Japan)

^c ARGONNE NATIONAL LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEPOSITION TEMPERATURE; DOPANT CONCENTRATION; ELASTIC STRAIN; THIN-FILM CAPACITORS;

BARIUM; CAPACITORS; COMPOSITION; CURRENT DENSITY; DOPING (ADDITIVES); ELASTIC MODULI; LEAKAGE CURRENTS; PERMITTIVITY; SPUTTERING; STRAIN; STRONTIUM; THIN FILMS; YTTRIUM;

TITANIUM OXIDES;

EID: 27644441940     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2125113     Document Type: Article

References (26)

1. J. D. Baniecki, T. Shioga, and K. Kurihara, Integr. Ferroelectr. 46, 221 (2002).
2. P. K. Baumann, D. Y. Kaufman, J. Im, O. Auciello, S. K. Streiffer, R. A. Erck, and J. Giumarra, Integr. Ferroelectr. 34, 255 (2001).
3. S. Yamamichi, H. Yabuta, T. Sakuma, and Y. Miyasaka, Appl. Phys. Lett. 64, 1644 (1994).
4. S. K. Streiffer, C. Basceri, C. B. Parker, S. E. Lash, and A. I. Kingon, J. Appl. Phys. 86, 4565 (1999).
5. T. Kawahara, M. Yamamuka, T. Makita, J. Naka, A. Yuuki, N. Mikami, and K. Ono, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 5129 (1994).
6. T. R. Taylor, P. J. Hansen, B. Acikel, N. Pervez, R. A. York, S. K. Streiffer, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 80, 1978 (2002).
7. N. K. Pervez, P. J. Hansen, and R. A. York, Appl. Phys. Lett. 85, 4451 (2004).
8. W. Chang, S. W. Kirchoefer, J. M. Pond, J. S. Horwitz, and L. Sengupta, J. Appl. Phys. 92, 1528 (2002).
9. M. C. Werner, I. Banerjee, P. C. McIntyre, N. Tani, and M. Tanimura, Appl. Phys. Lett. 77, 1209 (2000).
10. W. Fan, B. Kabias, J. H. Hiller, S. Saha, J. A. Charlisle, O. Auchiello, and R. P. H. Chang, J. Appl. Phys. 94, 6192 (2003).
11. S. Zafar, R. E. Jone, P. Chu, B. White, B. Jiang, D. Taylor, P. Zurcher, and S. Gillepsie, Appl. Phys. Lett. 72, 2820 (1998).
12. J. Zhi, A. Chen, Y. Zhi, P. M. Vilarinho, and J. L. Baptista, J. Am. Ceram. Soc. 0002-7820 82, 1345 (1999); J. Zhi, A. Chen, Y. Zhi, P. M. Vilarinho, and J. L. Baptista, J. Appl. Phys. 84, 983 (1998).
13. J. Zhi, A. Chen, Y. Zhi, P. M. Vilarinho, and J. L. Baptista, J. Am. Ceram. Soc. 0002-7820 82, 1345 (1999); J. Zhi, A. Chen, Y. Zhi, P. M. Vilarinho, and J. L. Baptista, J. Appl. Phys. 84, 983 (1998).
14. D. Makovec, Z. Sa mardžija, and M. Drofenik, J. Am. Ceram. Soc. 87, 1324 (2004).
15. W.-Y. Choi, Y. Tsur, C. A. Randall, and S. Trolier-McKinstry, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 596, 487 (2000).
16. J. Im, O. Auchiello, P. K. Baumann, S. K. Streiffer, D. Y. Kaufmanand and A. R. Krauss, Appl. Phys. Lett. 76, 625 (2000).
17. K. Morito and T. Suzuki, J. Appl. Phys. 97, 104107 (2005).
18. J. Im, S. K. Streiffer, O. Auchiello, and A. R. Krauss, Appl. Phys. Lett. 77, 2539 (2000).
19. R.-V. Wang, P. C. McIntyre, J. D. Baniecki, K. Nomura, T. Shioga, and K. Kurihara, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 833, G1.7 (2004).
20. J. D. Baniecki, T. Shioga, K. Kurihara, and N. Kamehara, J. Appl. Phys. 94, 6741 (2003).
21. J. D. Baniecki, R. B. Laibowitz, T. M. Shaw, C. Parks, J. Lian, H. Xu, and Q. Y. Ma, J. Appl. Phys. 89, 2873 (2001).
22. Z.-G. Ban and S. P. Alpay, J. Appl. Phys. 93, 504 (2003).
23. W.-J. Lee, H. G. Kim, and S.-G. Yoon, J. Appl. Phys. 80, 5891 (1996).
24. B. M. Clemens and J. A. Bain, MRS Bull. 17, 46 (1992).
25. Z.-G. Ban and S. P. Alpay, J. Appl. Phys. 91, 9288 (2002).
26. D. Balzar, P. A. Ramakrishnan, and A. M. Hermann, Phys. Rev. B 70, 092103 (2004).