Formation of SiCH 6-mediated Ge quantum dots with strong field emission properties by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition

Journal of Applied Physics

Volumn 98, Issue 7, 2005, Pages

  Lee, S W ^a   Chueh, Y L ^a   Chen, L J ^a   Chou, L J ^a   Chen, P S ^b   Tsai, M J ^b   Liu, C W ^b  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^b INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DOT FORMATION; FIELD EMISSION CHARACTERISTICS; GE HUT CLUSTERS; ULTRAHIGH VACUUM CHEMICAL VAPOR DEPOSITION;

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; CRYSTAL GROWTH; GERMANIUM COMPOUNDS; NUCLEATION; PASSIVATION; SILICON COMPOUNDS; SURFACE CHEMISTRY;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 27144444695     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2060951     Document Type: Article

References (20)

1. C. S. Peng, Q. Huang, W. Q. Cheng, J. M. Zhou, Y. H. Zhang, T. T. Sheng, and C. H. Tung, Phys. Rev. B 57, 8805 (1998).
2. V. N. Tondare, B. I. Birajdar, N. Pradeep, D. S. Joag, A. Lobo, and S. K. Kulkarni, Appl. Phys. Lett. 77, 2394 (2000).
3. L. Vescan, T. Stoica, O. Chretien, M. Goryll, E. Mateeva, and A. Mück, J. Appl. Phys. 87, 7275 (2000).
4. Z. Pei, C. S. Liang, L. S. Lai, Y. T. Tseng, Y. M. Hsu, P. S. Chen, S. C. Lu, C. M. Liu, M.-J. Tsai, and C. W. Liu, Tech. Dig. - Inter. Electron Devices Meet. 2002, 271 (2002).
5. W.-H. Chang, A. T. Chou, W. Y. Chen, H. S. Chang, T. M. Hsu, Z. Pei, P. S. Chen, S. W. Lee, L. S. Lai, S. C. Lu, and M.-J. Tsai, Appl. Phys. Lett. 83, 2958 (2003).
6. G. Medeiros-Ribeiro, A. M. Brathovski, T. I. Kamins, D. A. A. Ohlberg, and R. S. Williams, Science 279, 353 (1998).
7. H. J. Kim and Y. H. Xie, Appl. Phys. Lett. 79, 263 (2001).
8. M. W. Dashiell, U. Denker, C. Müller, G. Costantini, C. Manzano, K. Kern, and O. G. Schmidt, Appl. Phys. Lett. 80, 1279 (2002).
9. G. Jin, J. L. Liu, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 76, 3591 (2000).
10. Y. Zhang and J. Drucker, J. Appl. Phys. 93, 9583 (2003).
11. O. G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl, O. Kienzle, and F. Ernst, Appl. Phys. Lett. 71, 2340 (1997).
12. O. Leifeld, R. Hartmann, E. Müller, E. Kaxiras, K. Kern, and D. Grützmacher, Nanotechnology 10, 122 (1999).
13. M. Liehr, C. M. Greenlief, S. R. Kasi, and M. Offenberg, Appl. Phys. Lett. 56, 629 (1990).
14. T. I. Kaimins, G. Mederiros-Ribeiros, D. A. A. Ohlberg, and R. Stanely Williams, J. Appl. Phys. 85, 1159 (1999).
15. A. C. Mocuta and D. W. Greve, J. Appl. Phys. 85, 1240 (1999).
16. R. W. Price, E. S. Tok, N. J. Woods, and J. Zhang, Appl. Phys. Lett. 81, 3780 (2002).
17. S. W. Lee, L. J. Chen, P. S. Chen, M.-J. Tsai, C. W. Liu, T. Y. Chien, and C. T. Chia, Appl. Phys. Lett. 83, 5283 (2003).
18. O. Leifeld, A. Beyer, D. Grützmacher, and K. Kern, Phys. Rev. B 66, 125312 (2002).
19. H. C. Lo, D. Das, J. S. Hwang, K. H. Chen, C. H. Hsu, C. F. Chen, and L. C. Chen, Appl. Phys. Lett. 83, 1420 (2003).
20. R. H. Fowler and L. Nordheim, Proc. R. Soc. London, Ser. A 119, 683 (1928).