Investigation of dead layer thickness in SrRuO 3Ba 0.5Sr 0.5TiO 3/Au thin film capacitors

Materials Research Society Symposium - Proceedings

Volumn 655, Issue , 2001, Pages

  Sinnamon, L J ^a   Bowman, R M ^a   Gregg, J M ^a  

^a QUEEN'S UNIVERSITY BELFAST   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 24144436025     PISSN: 02729172     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Article

References (30)

1. K. Amanuma, T. Mori, T. Hase, T. Sakuma, A. Ochi, Y. Miyasaka, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 4150 (1993)
2. H. Li, W. Si, A. D. West, X. X. Xi, Appl. Phys. Lett. 73, 464 (1998).
3. V. G. Bhide, R. T. Gonhalekar, S. N. Shringi, J. Appl. Phys. 36, 3825 (1965).
4. G. Teowee, C. D. Baertlein, E. A. Kneer, J. M. Boulton, D. R. Uhlmann, Integrated Ferroelectrics, 71 (1995).
5. I. Stolichnov, A. Tagantsev, N. Setter, J. S. Cross, M. Tsukada, Appl. Phys. Lett. 75, 1790 (1999).
6. D. Choi, B. Kim, S. Son, S. Oh, K. Park, J. Appl. Phys. 86, 3347 (1999).
7. M. Izuha, K. Abe, N. Fukushima, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 5866 (1997).
8. V. Craciun, R. K. Singh, Appl. Phys. Lett. 76, 1932 (2000).
9. C. Zhou, D. M. Newns, J. Appl. Phys. 82, 3081 (1997).
10. K. Natori, D. Otani, N. Sano, Appl. Phys. Lett. 73, 632 (1998).
11. P. Wurfel, I. P. Batra, Phys. Rev. B 8, 5126 (1973).
12. Y. G. Wang, W. L. Zhong, P. L. Zhang, Phys. Rev. B 51, 5311 (1995).
13. O. G. Vendik, S. P. Zubko, L. T. Ter-Martirosayn, Appl. Phys. Lett. 73, 37 (1998).
14. C. S. Hwang, B. T. Lee, C. S. Kang, K. H. Lee, H. Cho, H. Hideki, W. D. Kim, S. I. Lee, M. Y. Lee, , Appl. Phys. 85, 287 (1999)
15. S. Paek, J. Won, K. Lee, J. Choi, C. Park, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 5757 (1996).
16. Y. Sakashita, H. Segawa, K. Tominaga, M. Okada, J. Appl. Phys. 73, 7857 (1993).
17. W. Jo, D. C. Kim, H. M. Lee, K. Y. Kim, J. Korean Phys. Soc. 34, 61 (1999).
18. S. B. Desu, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 541, 457 (1999).
19. K. Abe, S. Komatsu, Jpn. J. Appl. Phys. Pt 2 32, L1157 (1993).
20. C. Basceri, S. K. Streiffer, A. I. Kingon, R. Waser, J. Appl. Phys. 82, 2497 (1997).
21. A. A. Sirenko, C. Bernhard, A. Golnik, A. M. Clark, J. Hao, W. Si, X. X. Xi, Nature, 404, 373 (2000)
22. T. Nakamura, Y. Yamanaka, A. Morimoto, T. Shimizu, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 5150 (1995).
23. B. Nagaraj, T. Sawhney, S. Perusse, S. Aggarwal, R. Ramesh, V. S. Kausink, S. Zafar, R. E. Jones, J. H. Lee, V. Balu, J. Lee, Appl. Phys. Lett. 74, 3194 (1999).
24. Landolt-Börnstein Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, New Series Group III: Crystal and Solid State Physics, Vol. 16(a), edited by K. H. Hellwege (Springer-Verlag, 1981).
25. W. Lee, I. Park, G. Jang, H. Kim, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 196 (1995).
26. M. Izuha, K. Abe, M. Koike, S. Takeno, N. Fukushima, Appl. Phys. Lett. 70, 1405 (1997).
27. W. Lee, H. Kim, S. Yoon, J. Appl. Phys. 80, 5891 (1996).
28. J. J. Lee, S. B. Desu, Ferroelectric Letters, 20, 27 (1995).
29. S. Yamamichi, H. Yabuta, T. Sakuma, Y. Miyasaka, Appl. Phys. Lett. 64, 1644 (1994).
30. N. Ichnose, T. Ogiwara, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 5198 (1995).