Review: Back-side via hole etching process for grounding GaAs based monolithic microwave integrated circuits

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 152, Issue 7, 2005, Pages

  Agarwal, Vanita R ^a   Rawal, D S ^a   Vyas, H P ^a  

^a SOLID STATE PHYSICS LABORATORY   (India)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ETCHING; FABRICATION; FIELD EFFECT TRANSISTORS; INDUCTANCE; MONOLITHIC MICROWAVE INTEGRATED CIRCUITS; POLARIZATION; SILICON WAFERS; THERMAL EFFECTS;

CHIP FABRICATION; HOLE ETCHING; HOLE FABRICATION; MASKING MATERIALS;

GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 23744493907     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1933043     Document Type: Review

References (66)

1. R. E. Williams, Modem GaAs Processing Techniques, pp. 324-328, Artech House, Boston, MA (1990).
2. R. A. Pucel, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., MTT-29, 513 (1981).
3. L. A. D.' Asaro, J. L. Dilorenzo, and H. Fukui, IEEE Trans. Electron Devices, ED-25, 5218 (1978).
4. Y. W. Chen, B. S. Ooi, G. I. Ng, K. Radhakrishnan, and C. L. Tan, J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 2509 (2000).
5. L. A. D'Azaro, J. V. DiLorenzo, and H. Fukui, IEEE Trans. Electron Devices, ED-25, 1218 (1978).
6. M. Fukuta, K. Suyama, H. Suzuki, K. Nakayama, and H. Ishikawa, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., MTT-24, 312 (1976).
7. M. Fukuta, K. Suyama, H. Suzuki, and H. Ishikawa, IEEE Trans. Electron Devices, ED-23, 388 (1976).
8. O. Vendier, S. George, J. P. Fraysse, F. Rogneaux, C. Deveron, J. L. Cazaux, D. Florist, N. C. Devignes, H. Blanck, W. Doser, P. Auxemary, W. de Ceuninck, R. Peterson, N. Haese, and P. A. Rolland, IEEE GaAs Digest, pp. 157-159 (2000).
9. J. Newey, Compound Semicond., 7-8, 53 (2001).
10. M. Kobiki, Y. Mitsui, Y Sasaki M. Komaru, K. Seino, and T. Takagi, IEEE Microwave & Millimeter Wave Monolithic Circuits Symposium Digest, pp. 31-34 (1985).
11. T. Ishikawa, K. Okaniwa, M. Komaru, K. Kosaki, and Y. Mitsui, IEEE Trans. Electron Devices, ED-41, 3 (1994).
12. E. Kohn, Ph.D. Thesis, Technische Hochschule Aachen, pp. 64-67 (1975).
13. R. Tsai, W. Okamura, P. Nam, R. Grundbacher, M. Nishimoto, Y. C. Chou, R. Lai, and S. Olson, GaAs MANTECH Conference, pp. 21-24 (2001).
14. C. B. Cooper II, M. E. Day, C. Yuen, and M. Salimian, J. Electrochem. Soc., 134, 2533 (1987).
15. P. Harris, D. Boone, M. King, J. Stidham, G. Bronson, K. Decker, and S. Subharao, GaAs MANTECH Conference, p. 34 (1997).
16. K. Alavi, D. Shaw, A. Platzker, B. Rizzi, S. Ogut, and R. Peunte, GaAs MANTECH Conference, p. 105 (2001).
17. V. M. Donnelly, D. L. Flamm, C. W. Tu, and D. E. Ibbotson, J. Electrochem. Soc., 129, 2533 (1983).
18. Y. Yamada, H. Ito, and H. Inaba, J. Vac. Sci. Technol. B, 3, 884, (1985).
19. E. L. Hu and R. E. Howard, J. Vac. Sci. Technol. B, 2, 85 (1984).
20. N. Vodjdani and P. Parrens, J. Vac. Sci. Technol. B, 5 1591 (1987).
21. G. J. Sonek and J. M. Ballantyne, J. Vac. Sci. Technol. B, 2, 653 (1984).
22. A. Scherer, H. G. Craighead, and E. D. Beebe, J. Vac. Sci. Technol. B, 5, 1599 (1987).
23. E. L. Hu and R. E. Howard, Appl. Phys. Lett., 37, 1022 (1980).
24. R. E. Klinger and J. E. Greene, Appl. Phys. Lett., 38, 620 (1981).
25. R. E. Klinger and J. E. Greene, J. Appl. Phys., 54, 1595 (1983).
26. J. Chaplart, B. Fay, and N. T. Linh, J. Vac. Sci. Technol. B, 1, 1050 (1983).
27. S. J. Pearton, M. J. Vasile, K. S. Jones, K. T. Short, E. Lane, T. R. Fullowan, A. E. vonNeida, and N. M. Haegel, J. Appl. Phys., 65, 1281 (1989).
28. R. A. Gottscho, G. Smolinsky, and R. H. Burton, J. Appl. Phys., 53, 5908 (1982).
29. J. Z. Li, I. Adesida, and E. D. Wolf, Appl. Phys. Lett., 45, 897 (1984).
30. D. E. Ibbotson, D. L. Flamm, and V. M. Donnelly, J. Appl. Phys., 54, 5974 (1983).
31. CRC Handbook of Chemistry and Physics, 61st ed., Chemical Rubber Company, Cleveland, OH (1981).
32. C. Varmazis, G. S. D'Urso, and H. Hendrics, Semicond. Int., 12, 1 (2000).
33. S. P. Yenigalla and C. L. Ghosh, J. Electrochem. Soc., 130, 1377 (1983).
34. O. P. Daga, K. Fricke, and H. L. Hartnagel, J. Electrochem. Soc., 134, 2533 (1987).
35. K. J. Nordheden, D. W. Ferguson, and P. M. Smith, J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 1879 (1993).
36. A Camocho and D. V. Morgan, J. Vac. Sci. Technol. B, 12, 2933 (1994).
37. B. A. Shrauner, K. J. Nordheden, and Y. S. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B, 17, 961 (1999).
38. L. G. Hipwood and P. N. Wood, J. Vac. Sci. Technol. B, 3, 395 (1985).
39. A. E. Geissberger and P. R. Claytor, J. Vac. Sci. Technol. A, 3, 863 (1985).
40. R. J. Shul, M. L. Lovejoy, J. C. Word, A. J. Howard, D. J. Rieger, and S. H. Kravitz, J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 657 (1997).
41. K. S. Din and G. C. Chi., Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 24, 367 (1992).
42. D. S. Rawal, V. R. Agarwal, H. S. Sharma, B. K. Sehgal, R. Gulati, and H. P. Vyas, in Proceedings of the 4th National Symposium on Advances in Microwaves and Lightwaves, New Delhi, India, pp. 19-22 (2000).
43. Z. Xiou and B. Nilsson, J. Electrochem. Soc., 138, 3086 (1991).
44. K. P. Hilton and J. Woodward, Electron. Lett., 21, 962 (1985).
45. D. S. Rawal, V. R. Agarwal, H. S. Sharma, B. K. Sehgal, R. Gulati, and H. P. Vyas, J. Electrochem. Soc., 150, G395 (2003).
46. S. Salimian, C. B. Cooper III, and M. E. Day, J. Vac. Sci. Technol. B, 5, 1606 (1987).
47. T. E. Kazior, B. I. Patel, and B. J. Gurien, in 13th State of the Art Program on Compound Semiconductors and Metallization of II-V Compound Semiconductors, H. Lee, O. Ueda, P. Clechet, and J. M. Woodall, Editors, PV91-1, p. 299, The Electrochemical Society Proceedings Series, Pennington, NJ (1991).
48. M. S. Chung, H. R. Kim, J. E. Lee, B. K. Kang, and B. M. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 159 (1993).
49. J. Lee, H. Tsai, and Y. S. Chang, GaAs MANTECH Conference, p. 71 (2000).
50. C. S. Lin, Y. K. Fang, S. F. Ting, C. L. Wu, and C. S. Chang, IEEE Trans. Semicond. Manuf., 16, 57 (2003).
51. S. J. Pearton, F. Ren, A. Katz, J. R. Lothian, T. R. Fullowan, and B. Tseng, J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 152 (1993).
52. H. Takano, K. Sumitani, H. Matsuoka, K. Sato, O. Ishihara, and N. Tsubouchi, J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 153 (1996).
53. H. Takano, K. Sumitani, H. Matsuoka, K. Sato, O. Ishihara, and N. Tsubouchi, J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 112 (1996).
54. A. Mitra, C. D. Nordquist, T. N. Jackson, and T. S. Mayor, J. Vac. Sci. Technol. B, 16, 2695 (1998).
55. E. W. Berg and S. W. Pang, J. Electrochem. Soc., 146, 775 (1999).
56. S. Agarwala, O. King, S. Horst, R. Wilson, D. Stone, M. Dagenais, and Y. J. Chen, J. Vac. Sci. Technol. A, 17, 52 (1999).
57. P. S. Nam, L. M. Ferreira, T. Y. Lee, and K. N. Tu, J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 2780 (2000).
58. K. M. Adams and L. S. Klingbiel, GaAs MANTECH Technical Digest, p. 75 (2000).
59. L. S. Klingbiel, K. L. Kirschenbaum, C. G. Ripley, and D. Young, GaAs MANTECH Technical Digest, p. 41 (2001).
60. F. Clayton, R Westerman, and D. Johnson, GaAs MANTECH Conference: www.gasmantech.org (2002).
61. K. I. Costello, C. S. R. Wasson, T. K. Dally, and J. C. Moore, GaAs MANTECH Conference: www.gaasmantech.org (2002).
62. H. Hendriks, A. Hanson, T. Lepkowski, A. Qualieta, and B. Patel, GaAs MANTECH Conference, www.gaasmantech.org (2002).
63. R. Westerman, D. Johnson, and M. Devre, Chip Magazine, 7, 29 (2002).
64. S. Salimian, C. B. Cooper III, R. Norton, and J. Bacon, Appl. Phys. Lett., 51, 1083 (1987).
65. K. L. Seaward, N. J. Moll, and W. F. Stickle, J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 1645 (1988).
66. M. Meyyappan, G. F. McLane, M. W. Cole, R. Laraeu, M. Namaroff, J. Sasserath, and C. S. Sundararaman, J. Vac. Sci. Technol. A, 10, 1147 (1992).