Metal-organic CVD of conductive and crystalline hafnium nitride films

Chemical Vapor Deposition

Volumn 11, Issue 6-7, 2005, Pages 294-297

  Kim, Younsoo ^a   Baunemann, Arne ^a   Parala, Harish ^a   Devi, Anjana ^a   Fischer, Roland A ^a  

^a RUHR UNIVERSITY BOCHUM   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ADHESION; CRYSTALLINE MATERIALS; ELECTRIC INSULATORS; FILM GROWTH; GRAIN BOUNDARIES; HAFNIUM COMPOUNDS; HYDRAZINE; INTERFACES (MATERIALS); LATTICE CONSTANTS; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PHYSICAL VAPOR DEPOSITION; SILICA;

HAFNIUM NITRIDE FILMS; HAFNIUM OXIDES; HIGH-TEMPERATURE ANNEALING; OXYGEN-BARRIER PROPERTIES;

THIN FILMS;

EID: 22944455535     PISSN: 09481907     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/cvde.200504204     Document Type: Article

References (22)

1. H. C. Cheng, in ULSI Technology (Eds: C. Y. Chang, S. M. Sze), McGraw-Hill, Singapore 1996, p. 205.
2. a) Y. K. Park, C. H. Cho, K. H. Lee, B. H. Roh, Y. S. Ahn, S. H. Lee, J. H. Oh, J. G. Lee, D. H. Kwak, S. H. Shin, J. S. Bae, S. B. Kim, J. K. Lee, J. Y. Lee, M. S. Kim, J. W. Lee, D. J. Lee, S. H. Hong, D. I. Bae, Y. S. Chun, S. H. Park, C. J. Yun, T. Y. Chung, K. Kim, Proc. Int. Electron Devices Meeting 2002, 819.
3. b) J. M. Park, Y. S. Hwang, D. S. Hwang, H. K. Hwang, S. H. Lee, G. Y. Kim, M. Y. Jeong, B. J. Park, S. E. Kim, M. H. Cho, D. I. Kim, J.-H. Chung, I. S. Park, C.-Y. Yoo, J. H. Lee, B. Y. Nam,Y. R. Park, C.-S.Kim, M.-C.Sun,J.-H.Ku,S.Choi,H. S. Kim, Y. G. Park, K. Kim, Proc. Int. Electron Devices Meeting 2002, 823.
4. a) G. D. Wilk, R. M. Wallace, J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 2001, 89, 5243.
5. b) H. Y. Yu, N. Wu, M. F. Li, C. Zhu, B. J. Cho, D.-L. Kwong, C. H. Tung, J. S. Pan, J. W. Chai, W. D. Wang, D. Z. Chi, C. H. Ang, J. Z. Zheng, S. Ramanathan, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 3618.
6. S. J. Lee, H. F. Luan, W. P. Bai, C. H. Lee, T. S. Jeon, Y. Senzaki, D. Roberts, D.-L. Kwong, Proc. Int. Electron Devices Meeting 2000, 31.
7. Handbook of Chemistry and Physics (Ed: D. R. Lide), 85th ed., CRC Press, Boca Raton, FL 2004.
8. S. Shinkai, K. Sasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 1999, 38, 2097.
9. a) H. Y Yu, J. F. Kang, C. Ren, J. D. Chen, Y. T. Hou, S. Shen, M. F. Li, D.S. H. Chan, K. L. Bera, C. H. Tung, D.-L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 2004, 25, 70.
10. b) H. Y. Yu, H. F. Lim, J. H. Chen, M. F. Li, C. Zhu, C. H. Tung, A. Y. Du, W. D. Wang, D. Z. Chi, D.-L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 2003, 24, 230.
11. S. Shinkai, K. Sasaki, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 1999, 38, 3646.
12. M. Y. Liao, Y. Gotoh, H. Tsuji, J. Ishikawa, J. Vac. Sci. Technol. A 2004, 22, 214.
13. W. Wang, T. Nabatame, Y. Shimogaki, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 2004, 43, L1445.
14. R. Fix, R. G. Gordon, D. M. Hoffman, Chem. Mater. 1991, 3, 1138.
15. D. M. Hoffman, Polyhedron 1994, 13, 1169.
16. R. Fix, R. G. Gordon, D. M. Hoffman, Chem. Mater. 1993, 5, 614.
17. M. Juppo, M. Ritala, M. Leskela, J. Electrochem. Soc. 2000, 147, 3377.
18. JCPDS 33-592, in Powder Diffraction File, International Centre for Diffraction Data, PA 1995.
19. A. J. Perry, L. Schlapbach, Solid State Commun. 1985, 56, 837.
20. D. C. Bradley, M. H. Gitlitz, J. Chem. Soc. A 1969, 980.
21. J. Khanderi, D. Rische, H. W. Becker, R. A. Fischer, J. Mater. Chem. 2004, 14, 3210.
22. A. Ishizaka, Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc. 1986, 133, 66.