Kinetics of thermal oxidation of 6H silicon carbide in oxygen plus trichloroethylene

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 152, Issue 6, 2005, Pages

  Yang, B L ^a   Lin, L M ^a   Lo, H B ^a   Lai, P T ^a   Chan, C L ^a  

^a UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; ETHYLENE; OXIDATION; OXYGEN; REFRACTIVE INDEX; THERMAL EFFECTS;

OXIDATION TEMPERATURE; OXIDE THICKNESS; THERMAL OXIDATION; TRICHLOROETHYLENE;

SILICON CARBIDE;

EID: 22544459358     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1899284     Document Type: Article

References (31)

1. R. F. Davis, G. Keiner, M. Shur, J. W. Palmour, and J. A. Edmond, Proc. IEEE, 79, 677 (1991).
2. M. Bhatnagar and B. J. Baliga, IEEE Trans. Electron Devices, 40, 645 (1993).
3. K. Ueno and Y. Seki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 33, L1121 (1994).
4. L. Muehlhoff, M. Bozack, W. J. Choyke, and J. T. Yates, Jr., J. Appl. Phys., 60, 2558 (1986).
5. J. B. Petit, P. G. Neudeck, L. G. Matus, and J. A. Powell, Springer Proc. Phys., 71, 190 (1992).
6. H. Akia, T. Kimoto, N. Inoue, and H. Matsunami, Inst. Phys. Conf. Ser., 142, 725 (1996).
7. Z. Zheng, R. E. Tressler, and K. E. Spear, J. Electrochem. Soc., 137, 854 (1990);
8. Z. Zheng, R. E. Tressler, and K. E. Spear, J. Electrochem. Soc., 137, 1812 (1990).
9. K. Ueno and Y. Seki, Inst. Phys. Conf. Ser., 142, 629 (1996).
10. B. Hornetz, H. J. Michel, and J. Halbritter, J. Mater. Res., 9. 3088 (1994).
11. W. Muench and I. Pfaffeneder, J. Electrochem. Soc., 122, 642 (1975).
12. J. A. Powell, J. B. Petit, J. H. Edgar, I. G. Jekins, L. G. Matus, W. J. Choyke, L. Clemen, M. Yoganathan, J. W. Yang, and P. Pirouuz, Appl. Phys. Lett., 59, 183 (1991).
13. J. Schmitt and R. Helbig, J. Electrochem. Soc., 141, 2262 (1994).
14. P. T. Lai, S. Chakraborty, C. L. Chan, and Y. C. Cheng, Appl. Phys. Lett., 76, 3744 (2000).
15. P. T. Pai, J. P. Xu, and C. L. Chan, IEEE Electron Device Lett., 23, 410 (2002).
16. J. P. Xu, P. T. Lai, C. L. Chan, and Y. C. Cheng, Appl. Phys. Lett., 76, 372 (2000).
17. J. P. Xu, P. T. Lai, C. L. Chan, B. Li, and Y. C. Cheng, IEEE Electron Device Lett., 21, 298 (2000).
18. C. D. Fung and J. J. Kopanski, Appl. Phys. Lett., 45, 757 (1984).
19. E. G. Stein von Kamienski, F. Portheine, J. Stein, A. Gölz, and H. Kurz, J. Appl. Phys., 79, 2529 (1996).
20. Y. C. Cheng and B. Y. Liu, J. Electrochem. Soc., 131, 344 (1984).
21. B. Y. Liu and Y. C. Cheng, J. Electrochem. Soc., 131, 783 (1984).
22. P. T. Lai, J. P. Xu, H. P. Wu, and C. L. Chan, Microelectron. Reliab., 44, 577 (2004).
23. M. R. Baklanov, M. Van Hove, G. Mannaert, S. Vanhaelemeersch, H. Bender, T. Conard, and K. Maex, J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 1281 (2000).
24. A. Gölz, G. Horstmann, E. Stein von Kamienski, and H. Kurz, Inst. Phys. Conf. Ser., 142, 633 (1996).
25. H. Akita, T. Kimoto, N. Inoue, and H. Matsunami, Inst. Phys. Conf. Ser., 142, 725 (1996).
26. C. D. Fung and J. J. Kopanski, Appl. Phys. Lett., 45, 757 (1984).
27. B. E. Deal and A. S. Grove, J. Appl. Phys., 36, 3770 (1965).
28. N. Koyama, T. Endoh, H. Fukuda, and S. Nomura, J. Appl. Phys., 79, 1464 (1996).
29. G. G. Jernigan, R. E. Stahlbush, and N. S. Saks, Appl. Phys. Lett., 77, 1437 (2000).
30. V. M. Bermudez, J. Appl. Phys., 66, 6084 (1989).
31. B. R. Singh and P. Balk, J. Electrochem. Soc., 126, 1288 (1979).