Luminescent properties of annealed and directly wafer-bonded InAsP/InGaAsP multiple quantum wells

Semiconductor Science and Technology

Volumn 20, Issue 6, 2005, Pages 615-620

  Lao, Yan Feng ^a   Wu, Huizhen ^a   Huang, Zhan Chao ^a  

^a SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY   (China)

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ANNEALING; BONDING; COMPRESSIVE STRESS; FOURIER TRANSFORM INFRARED SPECTROSCOPY; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHASE TRANSITIONS; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

ANNIHILATION DEFECTS; EDGE EMITTING LASER (EEL); LUMINESCENCE INTENSITIES; WAFER BONDING;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 18744394323     PISSN: 02681242     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1088/0268-1242/20/6/023     Document Type: Article

References (37)

1. Sugimura A 1981 IEEE J. Quantum Electron. 17 627
2. Karim A et al 2000 IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 6 1244
3. Nakagawa S et al 2001 Appl. Phys. Lett. 78 1337
4. Larson M C et al 1997 Electron. Lett. 33 959
5. Wistey M A et al 2004 J. Vac. Sci. Technol. B 22 1562
6. Bimberg D et al 2003 J. Phys.: Condens. Matter 15 R1063
7. Dudley J J et al 1994 Appl. Phys. Lett 64 1463
8. Ishikawa T and Bowers J E 1994 IEEE J. Quantum Electron. 30 562
9. Montie E A et al 1988 Appl. Phys. Lett. 53 1611
10. Zah C E et al 1994 IEEE J. Quantum Electron. 30 511
11. Yablonovitch E and Kane E O 1986 IEEE J. Lightwave Technol. 4 504
12. Oohashi H et al 1995 J. Appl. Phys. 77 4199
13. Schneider R P and Wessels B W 1991 J. Electron. Mater. 20 1117
14. Yamamoto M et al 1994 J. Quantum Electron. 30 554
15. Chung H Y A et al 1998 10th Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials (Tsukuba, Japan) p 706
16. Zhang Y G et al 2001 J. Cryst. Growth 227 329
17. Huffaker D L et al 1994 Appl. Phys. Lett. 65 97
18. Gebretsadik H et al 1998 Appl. Phys. Lett. 72 135
19. Black A et al 1997 IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 3 943
20. Chen Y Q and Li A Z 2001 J. Cryst. Growth 227-8 1171
21. Syrbu A V et al 1998 J. Cryst. Growth 188 338
22. Fukuyama A et al 2003 Rev. Sci. Instrum. 74 550
23. Hamoudi A et al 1995 Appl. Phys. Lett. 66 718
24. Lee A S W et al 2001 Appl. Phys. Lett. 78 3199
25. Brebner J L et al 1996 Solid State Commun. 98 1009
26. Chen G-R et al 2001 J. Appl. Phys. 90 6230
27. Yu J S et al 2002 J. Appl. Phys. 91 2080
28. Sagalowicz L et al 2000 J. Appl. Phys. 87 4135
29. Ohiso Y et al 1998 IEEE J. Quantum Electron. 34 1904
30. Ohiso Y et al 2000 J. Appl. Phys. 87 2857
31. Mori K et al 1994 Electron. Lett. 30 1008
32. Schm T J et al 1998 Appl. Phys. Lett. 73 1892
33. Feng W et al 1996 Appl. Phys. Lett. 69 3513
34. Harmon E S et al 1993 Appl. Phys. Lett. 63 2248
35. Baker C et al 2004 Appl. Phys. Lett. 85 4965
36. Zuo S L et al 1998 Appl. Phys. Lett. 72 2135
37. Fan J C et al 2000 Phys. Rev. B 62 10990