Sub-20 nm short channel carbon nanotube transistors

Nano Letters

Volumn 5, Issue 1, 2005, Pages 147-150

  Seidel, R V ^a   Graham, A P ^a   Kretz, J ^a   Rajasekharan, B ^a   Duesberg, G S ^a   Liebau, M ^a   Unger, E ^a   Kreupl, F ^a   Hoenlein, W ^a  

^a INFINEON TECHNOLOGIES AG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARBON NANOTUBES; CATALYSTS; CHANNEL CAPACITY; ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY; FUNCTIONS; GATES (TRANSISTOR); OPTIMIZATION; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SCHOTTKY BARRIER DIODES; TITANIUM;

CONTACT METAL WORK FUNCTIONS; DRAIN CONTACTS; SHORT CHANNEL CARBON NANOTUBE TRANSISTORS; SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBES (SWCNT);

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 12844254368     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl048312d     Document Type: Article

References (15)

1. Guo, J.; Wang, J.; Polizzi, E.; Datta, S.; Lundstrom, M. IEEE Trans. Nanotechnol. 2003, 2, 329-334.
2. Guo, J.; Javey, A.; Dai, H.; Datta, S.; Lundstrom, M. preprint, cond-mat/0309039.
3. Castro, L. C.; John, D. L.; Pulfrey, D. L. Proc. SPIE 2004, 5276, 1-10.
4. Graham, A. P.; Duesberg, G. S.; Seidel, R.; Liebau, M.; Unger, E.; Kreupl, F.; Hoenlein, W. Diamond Relat. Mater. 2004, 13, 1296-1300.
5. Javey, A.; Guo, J.; Farmer, D. B.; Wang, Q.; Yenilmez, E.; Gordon, R. G.; Lundstrom, M.; Dai, H. Nano Lett. 2004, 4, 1319-1322.
6. Wind, S. J.; Appenzeller, J.; Martel, R.; Derycke, V.; Avouris, Ph. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 3817-3819.
7. Yu, B.; Chang, L.; Ahmed, S.; Wang, H.; Bell, S.; Yang, C.-Y.; Tabery, C.; Ho, C.; Xiang, Q.; King, T.-J.; Boker, J.; Hu, C.; Lin, M.-R.; Kyser, D. IEEE International Electron Devices Meeting, Technical Digest 2002, 251-254.
8. Yang, F.-L.; Lee, D.-H.; Chen, H.-Y.; Chang, C.-Y.; Liu, S.-D.; Huang, C.-C.; Chung, T.-X.; Chen, H.-W.; Huang, C.-C.; Liu, Y.-H.; Wu, C.-C.; Chen, C.-C.; Chen, S.-C.; Chen, Y.-T.; Chen, Y.-H.; Chen, C.-J.; Chan, B.-W.; Hsu, P.-F.; Shieh, J.-H.; Tao, H.-J.; Yeo, Y.-C; Li, Y.; Lee, J.-W.; Chen, P.; Liang, M.-S.; Hu, C. IEEE Symposium on VLSI Technology, Technical Digest 2004, 196-197.
9. Tans, S. J.; Verschueren, A. R. M.; Dekker, C. Nature 1998, 393, 49-52.
10. McEuen, P. L.; Fuhrer, M. S.; Park, H. IEEE Trans. Nanotechnol. 2002, 1, 78-85.
11. Javey, A.; Guo, J.; Wang, Q.; Lundstrom, M.; Dai, H. Nature 2003, 424, 654-657.
12. Seidel, R. V.; Graham, A. P.; Rajasekharan, B.; Unger, E.; Liebau, M.; Duesberg, G. S.; Kreupl, F.; Hoenlein, W. J. Appl. Phys. 2004, in press.
13. Seidel, R.; Graham, A. P.; Unger, E.; Duesberg, G. S.; Liebau. M.; Steinhoegl, W.; Kreupl, F.; Hoenlein, W.; Pompe, W. Nano Lett. 2004, 4, 831-834.
14. Graham, A. P.; Duesberg, G. S.; Hoenlein, W.; Kreupl, F.; Liebau, M.; Rajasekharan, B.; Pamler, W.; Seidel, R.; Steinhoegl, W.; Unger, E. Appl. Phys. A 2004, submitted.
15. Javey, A.; Kim, H.; Brink, M.; Wang, Q.; Ural, A.; Guo, J.; McIntyre, P.; McEuen, P.; Lundstrom, P.; Dai, H. Nature Mater. 2002, 1, 241-246.