Minority carrier transport properties of GaInNAs heterojunction bipolar transistors with 2% nitrogen

Journal of Applied Physics

Volumn 95, Issue 1, 2004, Pages 327-333

  Welty, Rebecca J ^a   Xin, Huoping ^a   Tu, Charles W ^a   Asbeck, Peter M ^a  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHARGE CARRIERS; COMPOSITION; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES; ENERGY GAP; HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS; SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE; THERMAL EFFECTS;

BAND GAP ENERGY; CARRIER TRANSPORT PROPERTIES;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0942279126     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1631075     Document Type: Article

References (25)

1. H. Ito and T. Ishibashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 25, 421 (1986).
2. M. Kondow, T. Kitatani, S. Nakatsuka, M. C. Larson, K. Nakahara, Y. Yazawa, M. Okai, and K. Uomi, IEEE J. Sel. Top Quantum Electron. 3, 719 (1997).
3. R. J. Welty, H. P. Xin, C. W. Tu, and P. M. Asbeck, State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors Vol. 20 (Electrochemical Society Proceedings), San Francisco, CA, (2001), p. 52.
4. R. J. Welty, H. P. Xin, K. Mochizuki, C. W. Tu, and P. M. Asbeck, Solid-State Electron. 46, 1 (2002).
5. R. E. Welser, P. M. DeLuca, and N. Pan, IEEE Electron Device Lett. 21, 554 (2000).
6. N. Y. Li, P. C. Chang, A. G. Baca, X. M. Xie, P. R. Sharps, and H. Q. Hou, Electron. Lett. 36, 81 (2000).
7. P. C. Chang A. G. Baca, N. Y. Li, X. M. Xie, H. Q. Hou, and E. Armour, Appl. Phys. Lett. 76, 2262 (2000).
8. C. Monier, A. G. Baca, P. C. Chang, F. D. Newman, N. Y. Li, S. Z. Sun, E. Armour, and H. Q. Hou, IEEE Trans. Electron Devices 49, 1329 (2002).
9. P. M. DeLuca, C. R. Lutz, R. E. Welser, T. Y. Chi, E. K. Huang, R. J. Welty, and P. M. Asbeck, IEEE Electron Device Lett. 23, 582 (2002).
10. H. P. Xin, C. W. Tu, and M. Geva, Appl. Phys. Lett. 75, 1416 (1999).
11. S. G. Spruytte, C. W. Coldren, J. S. Harris, W. Wampler, P. Krispin, K. Ploog, and M. C. Larson, J. Appl. Phys. 89, 4401 (2001).
12. H. P. Xin, K. L. Kavanagh, and C. W. Tu, J. Cryst. Growth 208, 145 (2000).
13. T. Kitatani, K. Nakahara, M. Kondow, K. Uomi, and T. Tanaka, J. Cryst. Growth 209, 345 (2000).
14. J. C. Phillips, Bonds and Bands in Semiconductors (Academic Press, New York, 1973).
15. M. L. Lovejoy, M. R. Melloch, M. S. Lundstrom, B. M. Keyes, R. K. Ahrenkiel, T. J. de Lyon, and J. M. Woodall, Appl. Phys. Lett. 61, 822 (1992).
16. S. R. Kurtz, A. A. Allerman, C. H. Seager, R. M. Sieg, and E. D. Jones, Appl. Phys. Lett. 77, 400 (2000).
17. R. K. Ahrenkiel, A. Mascarenhas, S. W. Johnston, Y. Zhang, D. J. Friedman, and S. M. Vernon, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 607, 265 (2000).
18. A. Nagy, M. Hundhausen, L. Ley, G. Brunst, and E. Holzenkampfer, Phys. Rev. B 52, 11289 (1995).
19. L. Torsi, A. Dodabalapur, L. J. Rothberg, A. W. P. Fung, and H. E. Kats, Phys. Rev. B 75, 2271 (1998).
20. I. Lo, K. Y. Hsieh, S. L.Hwang, L.-W. Tu, W. C. Mitchel, and A. W. Saxler, Appl. Phys. Lett. 74, 2167 (1999).
21. R. J. Kaplar, R. Kwon, S. A. Ringel, A. A. Allerman, S. R. Kurtz, E. D. Jones, and R. M. Sieg, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 69, 85 (2001).
22. I. A. Buyanova, M. W. Chen, B. Monemar, H. P. Xin, and C. W. Tu, Mater. Sci. Eng., B 75, 166 (2000).
23. R. A. Mair, J. Y. Lin, H. X. Jiang, E. D. Jones, A. A. Allerman, and S. R. Kurtz, Appl. Phys. Lett. 76, 188 (2000).
24. L. Grenouillet, C. Bru-Chevallier, G. Guillot, P. Gilet, P. Duvaut, C. Vannuffel, A. Million, and A. Chenevas-Paule, Appl. Phys. Lett. 76, 2241 (2000).
25. M.-A. Pinault, and E. Tournie, Appl. Phys. Lett. 78, 1562 (2001).