Removal of the surfactant in Bi/Ge/Si(1 1 1) surfactant-mediated epitaxy

Surface Science

Volumn 551, Issue 1-2, 2004, Pages 80-90

  Paul, Neelima ^a   Voigtländer, Bert ^a  

^a FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH   (Germany)

Author keywords

Auger electron spectroscopy; Epitaxy; Scanning tunneling microscopy; Semiconducting surfaces; Sputtering

Indexed keywords

AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY; BISMUTH COMPOUNDS; INERT GASES; ION BEAMS; METALLIC FILMS; RESIDUAL STRESSES; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SPUTTER DEPOSITION; WETTING;

LATTICE MISMATCH; SEMICONDUCTING SURFACES;

SURFACE ACTIVE AGENTS;

EID: 0842265029     PISSN: 00396028     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.susc.2003.11.046     Document Type: Article

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