Electrical conduction mechanism and phase transition studies using dielectric properties and Raman spectroscopy in ferroelectric Pb 0.76Ca0.24Tio3 thin films

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 11, 2003, Pages 7256-7260

  Pontes, F M ^a   Pontes, D S L ^a   Leite, E R ^a   Longo, E ^a   Chiquito, A J ^a   Pizani, P S ^a   Varela, J A ^b  

^a FEDERAL UNIVERSITY OF SÃO CARLOS   (Brazil)

^b SÃO PAULO STATE UNIVERSITY UNESP   (Brazil)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT DENSITY; FERROELECTRICITY; FREQUENCIES; LEAD COMPOUNDS; LEAKAGE CURRENTS; PERMITTIVITY; PHASE TRANSITIONS; PIEZOELECTRICITY; PLATINUM; RAMAN SCATTERING; SILICON; THERMAL EFFECTS;

CURRENT EMISSION; FREQUENCY DISPERSION;

FERROELECTRIC THIN FILMS;

EID: 0347592464     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1611269     Document Type: Article

References (42)

1. I. Boerasu, L. Pintilie, M. Pereira, M. I. Vasilevskiy, and M. J. M. Gomes, J. Appl. Phys. 93, 4776 (2003).
2. R. Poyato, M. L. Calzada, and L. Pardo, J. Appl. Phys. 93, 4081 (2003).
3. X. Chen, W. Zhu, O. K. Tan, and X. Yao, Mater. Chem. Phys. 75, 90 (2002).
4. D. Fu, T. Ogawa, H. Suzuki, and K. Ishikawa, Appl. Phys. Lett. 77, 1532 (2000).
5. V. R. Palkar, S. C. Purandare, P. Ayyub, and R. Pinto, J. Appl. Phys. 87, 462 (2000).
6. Y. Kuroiwa, S. Aoyagi, A. Sawada, J. Harada, E. Nishibori, M. Takata, and M. Sakata, Phys. Rev. Lett. 87, 217601-1 (2001).
7. R. Ganesh and E. Goo, J. Am. Ceram. Soc. 89, 653 (1997).
8. S. Subrahmanyam and E. Goo, Acta Mater. 46, 817 (1998).
9. I. W. Chen, J. Phys. Chem. Solids 61, 197 (2000).
10. E. Ching-Prado, J. Cordero, R. S. Katiyar, and A. S. Bhalla, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 762 (1996).
11. D.-S. Paik, S.-E. Park, S. Wada, S.-F. Liu, and T. R. Shrout, J. Appl. Phys. 85, 1080 (1999).
12. A. L. Kholkin, E. K. Akdogan, A. Safari, P.-F. Chauvy, and N. Setter, J. Appl. Phys. 89, 8066 (2001).
13. T.-Y. Kim, H. M. Jang, and S. M. Cho, Solid State Commun. 119, 527 (2001).
14. S. Bhaskar, S. B. Majumder, and R. S. Katiyar, Appl. Phys. Lett. 80, 3997 (2002).
15. P. S. Dobal, R. R. Das, B. Roy, R. S. Katiyar, S. Jain, and D. C. Agrawal, J. Raman Spectrosc. 31, 965 (2000).
16. H. Y. Guo, J. B. Xu, Z. Xie, E. Z. Zuo, I. H. Wilson, and W. L. Zhong, Solid State Commun. 121, 603 (2002).
17. H. Y. Guo, J. B. Xu, I. H. Wilson, Z. Xie, and E. Z. Luo, Phys. Lett. A 294, 217 (2002).
18. F. M. Pontes, D. S. L. Pontes, E. R. Leite, E. Longo, E. M. S. Santos, S. Mergulhão, A. Chiquito, P. S. Pizani, F. Lanciotti, Jr., T. M. Boschi, and J. A. Varela, J. Appl. Phys. 91, 6650 (2002).
19. V. M. Naik, D. Haddad, R. Naik, J. Mantese, N. W. Schubring, A. L. Micheli, and G. W. Auner, J. Appl. Phys. 93, 1731 (2003).
20. D. A. Tenne, A. M. Clark, A. R. James, K. Chen, and X. X. Xi, Appl. Phys. Lett. 79, 3836 (2001).
21. P. S. Dobal, R. S. Katiyar, S. S. N. Bharadwaja, and S. B. Krupanidhi, Appl. Phys. Lett. 78, 1730 (2001).
22. S. G. Gakh, T. P. Myasnikova, O. A. Bunina, T. A. Yusman, and I. A. Cherepkova, Inorg. Mater. (Transl. of Neorg. Mater.) 33, 416 (1997).
23. R. R. Das, P. Bhattacharya, R. S. Katiyar, and A. S. Bhalla, J. Appl. Phys. 92, 6160 (2002).
24. R. R. Das, P. Bhattacharya, W. Perez, R. S. Katiyar, and A. S. Bhalla, Appl. Phys. Lett. 81, 880 (2002).
25. K. H. Ahn, S. S. Kim, and S. Baik, J. Appl. Phys. 93, 1725 (2003).
26. Y. S. Yang, S. J. Lee, S. Yi, B. G. Chae, S. H. Lee, H. J. Joo, and M. S. Jang, Appl. Phys. Lett. 76, 774 (2000).
27. P. Venkateswarlu, S. S. N. Bharadwaja, and S. B. Krupanidhi, Thin Solid Films 389, 84 (2001).
28. M. E. Lines and A. M. Glass, Principles and Applications of Ferroelectrics and Related Materials (1977).
29. J. Ravez, C. Brouster, and A. Simon, J. Mater. Chem. 9, 1609 (1999).
30. K. Uchino, L. E. Cross, R. E. Newnham, and S. Namura, J. Appl. Phys. 52, 1455 (1981).
31. K. Uchini and S. Namura, Ferroelectr. Lett. Sect. 34, 2551 (1982).
32. B. P. Pokharel and D. Pandey, J. Appl. Phys. 88, 5364 (2000).
33. S. M. Sze, Physics of Semiconductors Devices (Wiley, New York, 1981).
34. C. S. Hwang, B. T. Lee, C. S. Chang, K. H. Lee, H.-J. Cho, H. Hideki, W. D. Kim, S. I. Lee, and M. Y. Lee, J. Appl. Phys. 85, 287 (1999).
35. J. F. Scott, K. Watanabe, A. J. Hartmann, and R. N. Lamb, Ferroelectrics 225, 83 (1999).
36. J. F. Scott, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 2277 (1999).
37. N. F. Mott, Proc. Cambridge Philos. Soc. 34, 568 (1938).
38. L.-S. Qiang, D.-Y. Tang, X. He, and H. H. Fu, Spectrosc. Lett. 34, 159 (2001).
39. P. S. Dobal, S. Bhaskar, S. B. Majumder, and R. S. Katiyar, J. Appl. Phys. 86, 828 (1999).
40. P. S. Dobal, R. R. Das, B. Roy, R. S. Katiyar, S. Jain, and D. C. Agrawal, J. Raman Spectrosc. 31, 965 (2000).
41. R. Naik, J. J. Nazarko, C. S. Flattery, U. D. Venkateswaran, V. M. Naik, M. S. Mohammed, G. W. Auner, J. V. Mantese, N. W. Schubring, A. L. Micheli, and A. B. Catalan, Phys. Rev. B 61, 11367 (2000).
42. E. C. S. Tavares, P. S. Pizani, and J. A. Eiras, Appl. Phys. Lett. 72, 897 (1998).