Competition between ferroelectric and semiconductor properties in Pb(Zr0.65Ti0.35)O3 thin films deposited by sol-gel

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 8, 2003, Pages 4776-4783

  Boerasu, I ^a   Pintilie, L ^b   Pereira, M ^a   Vasilevskiy, M I ^a   Gomes, M J M ^a  

^a UNIVERSITY OF MINHO   (Portugal)

^b NATIONAL INSTITUTE OF MATERIALS PHYSICS   (Romania)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ENERGY GAP; FERROELECTRICITY; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SEMICONDUCTING LEAD COMPOUNDS; SOL-GELS;

REMANENT POLARIZATION;

THIN FILMS;

EID: 0038341879     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1562009     Document Type: Article

References (41)

1. J. F. Scott, L. Kammerdimer, M. Parris, S. Trayner, V. Ottenbacher, A. Shawabke, and W. F. Oliver, J. Appl. Phys. 64, 787 (1988).
2. M. Okuyama, Y. Matsui, H. Nakamo, and Y. Hamakawa, Ferroelectrics 33, 235 (1981).
3. S. Y. Wu, W. J. Takei, and M. H. Francobe, Ferroelectrics 10, 209 (1976).
4. G. Yi, Z. Wu, and M. Sayer, J. Appl. Phys. 64, 2717 (1988).
5. M. Pereira, A. G. Peixoto, and M. J. M. Gomes, J. Eur. Ceram. Soc. 21, 1353 (2001).
6. J. F. Scott, C. A. Araujo, B. M. Melnick, L. D. McMillan, and R. Zuleg, J. Appl. Phys. 70, 382 (1991).
7. N. Flouquet, J. Hector, and P. Gaucher, J. Appl. Phys. 84, 3815 (1998).
8. S. Thakoor and J. Maserjian, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 295 (1994).
9. M. Dawber and J. F. Scott, Appl. Phys. Lett. 76, 1060 (2000).
10. U. Rubels, J. H. Calderwood, and G. Arlt, J. Appl. Phys. 77, 4002 (1995).
11. M. Grossman, O. Lohse, D. Bolten, U. Boettger, T. Schneller, and R. Wasser, J. Appl. Phys. 92, 2680 (2002).
12. I. Boerasu, M. Pereira, M. J. M. Gomes, and M. I. C. Ferreira, J. Optoelectron. Adv. Mater. 2, 602 (2000).
13. I. Boerasu, M. I. Vasilevskiy, M. Pereira, M. F. Costa, and M. J. M. Gomes, Ferroelectrics 268, 187 (2002).
14. M. Es-Souni, A. Piorra, C.-H. Solterbeck, and M. Abed, Mater. Sci. Eng., B 86, 237 (2001).
15. C. M. Wang, Y. C. Chen, M. S. Lee, C. C. Chiou, and Y. T. Huang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 2831 (1999).
16. J. Du, S. Lin, and M. Adachi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 4965 (2001).
17. L. Pintilie and I. Pintilie, Mater. Sci. Eng., B 80, 388 (2001).
18. J. F. Scott, in Advanced Microelectronics, edited by K. Itoh and T. Sakurai (Springer, Berlin, 2000), Chap. 5-7.
19. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, 1981), Chaps. 7 and 10.
20. S. Chung, J. W. Kim, G. H. Kim, C. O. Park, and W. J. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 4386 (1997).
21. Z. Huang, Q. Zhang, and R. W. Whatmore, J. Appl. Phys. 86, 1662 (1999).
22. P. Lorrain, D. R. Corson, and F. Lorrain, Electromagnetic Fields and Waves (Freeman, San Francisco, 1987), Chap. 9.
23. J. Lee, C. H. Choi, B. H. Park, T. W. Noah, and J. K. Lee, Appl. Phys. Lett. 72, 3380 (1998).
24. M. Brazier, M. McElfresh, and S. Mansour, Appl. Phys. Lett. 72, 1121 (1998).
25. K. Abe, S. Komatsu, N. Yanase, K. Sano, and T. Kawakubo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 5846 (1997).
26. R. T. Liang, Z. L. Tao, L. L. Tian, and L. Z. Jian, J. Phys. D 33, L77 (2000).
27. C. Shudhama, A. C. Campbell, P. D. Maniar, R. E. Jones, R. Moazzarai, C. J. Mogab, and J. C. Lee, J. Appl. Phys. 75, 1014 (1994).
28. A. Kholkin, O. Boiarkine, and N. Setter, Appl. Phys. Lett. 72, 130 (1998).
29. T. Mihara and H. Watanabe, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 5664 (1995).
30. B. Nagaraj, S. Aggarwal, and R. Ramesh, J. Appl. Phys. 90, 375 (2001).
31. C. Hwang, B. T. Lee, C. S. Rang, K. H. Lee, H. Cho, H. Hideki, W. D. Kim, S. I. Lee, and M. Y. Lee, J. Appl. Phys. 85, 287 (1999).
32. E K. Chai, J. R. Brews, R. D. Scrimpf, and D. P. Birnie III, J. Appl. Phys. 82, 2517 (1997).
33. K. R. Udayakumar, P. J. Schuele, J. Chen, S. B. Krupanidhi, and L. E. Cross, J. Appl. Phys. 77, 3981 (1995).
34. P. W. Boom, R. M. Wolf, J. F. M. Cillessen, and M. P. C. M. Krijn, Phys. Rev. Lett. 73, 2107 (1994).
35. Y. S. Yang, S. J. Lee, S. H. Kim, B. G. Chae, and M. S. Jang, J. Appl. Phys. 84, 5005 (1998).
36. B. Nagaraj, S. Aggaarwal, T. K. Song, T. Sawhney, and R. Ramesh, Phys. Rev. B 59, 16022 (1999).
37. I. Stolichnov and A. Tagantsev, J. Appl. Phys. 84, 3216 (1998).
38. M. P. Moret, M. A. C. Devillers, K. Worhoff, and P. K. Larssen, J. Appl. Phys. 92, 468 (2002).
39. M. Dawber, L. J. Sinnamon, J. F. Scott, and J. M. Gregg, Ferroelectrics 268, 35 (2002).
40. V. L. Bonch-Bruevich and S. G. Kalashnikov, Physics of Semiconductors (Nauka, Moscow, 1990), Chap. 7.
41. B. Dulieu, J. Bullot, J. Wery, M. Richard, and L. Brohan, Phys. Rev. B 53, 10641 (1996).