Tailoring dopant diffusion for advanced SiGe:C heterojunction bipolar transistors

Solid-State Electronics

Volumn 44, Issue 5, 2000, Pages 783-789

  Rucker H ^a   Heinemann, B ^a  

^a IHP   (Germany)

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CARBON; DIFFUSION IN SOLIDS; SEMICONDUCTING GERMANIUM; SEMICONDUCTING SILICON; SEMICONDUCTOR DOPING;

DOPANT DIFFUSION;

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS;

EID: 0342757867     PISSN: 00381101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0038-1101(99)00274-9     Document Type: Article

References (27)

1. Kroemer H. Proc. IEEE. 70:1982;13.
2. Prinz E.J., Garone P.M., Schwartz P.V., Xiao X., Sturm J.C. IEEE Electron. Device Lett. 12:1991;42.
3. Lanzerotti LD, Sturm JC, Stach E, Hull R, Buyuklimanli T, Magee C. Technical digest. International Electron Device Meeting, IEEE, Piscataway, NJ, p. 249, 1996.
4. Osten HJ, Lippert G, Knoll D, Barth R, Heinemann B, Rücker H, Schley P. Technical digest. International Electron Device Meeting, IEEE, Piscataway, NJ, p. 803, 1997.
5. Kuo P., Hoyt J.L., Gibbons J.F., Turner J.E., Jacowitz R.D., Kamins T.I. Appl. Phys. Lett. 62:1993;612.
6. Moriya N., Feldman L.C., Luftman H.S., King C.A., Bevk J., Freer B. Phys. Rev. Lett. 71:1993;883.
7. Cowern N.E.B., Zalm P.C., vander Sluis P., Gravensteijn D.J., de Boer W.B. Phys. Rev. Lett. 72:1994;2585.
8. Tersoff J. Phys. Rev. Lett. 65:1990;887.
9. Hu S.M. Phys. Rev. Lett. 63:1989;2492.
10. Lever R.F., Bonar J.M., Willoughby A.F.W. J. Appl. Phys. 83:1998;1988.
11. Hu S.M., Ahlgren D.C., Ronsheim P.A., Chu J.O. Phys. Rev. Lett. 67:1991;1450.
12. Moriya N., Feldman L.C., Downey S.W., King C.A., Emerson A.B. Phys. Rev. Lett. 75:1995;1981.
13. Knoll D, Heinemann B, Osten H, Ehwald K, Tillack B, Schley P, Barth R, Matthes M, Park K, Kim Y, Winkler W. Technical digest, International Electron Device Meeting, IEEE, Piscataway NJ, p. 703, 1998.
14. Heinemann B, Knoll D, Fischer G, Krüger D, Lippert G, Osten HJ et al. Grünbacher H, editors. Proceedings 27th European Solid-State Device Research Conference. Editions FrontiersParis, p. 544, 1997.
15. Rücker H., Heinemann B., Röpke W., Kurps R., Krüger D., Lippert G., Osten H.J. Appl. Phys. Lett. 73:1998;1682.
16. Scholz R., Gösele U., Huh J.-Y., Tan T.Y. Appl. Phys. Lett. 72:1998;200.
17. Scholz R.F., Werner P., Gösele U., Tan T.Y. Appl. Phys. Lett. 74:1999;392.
18. Kalejs J.P., Ladd L.A., Gösele U. Appl. Phys. Lett. 45:1984;268.
19. Pinto MR, Boulin DM, Rafferty CS, Smith RK, Coughram WM Jr, Kizilyalli IC, Thoma MJ. Technical digest, International Electron Device Meeting, IEEE, Piscataway, NJ, p. 923, 1992.
20. Bracht H., Stolwijk N.A., Mehrer H. Phys. Rev. B. 52:1995;16542.
21. Rollert F., Stolwijk N.A., Mehrer H. Materials Science Forum. 38/41:1989;753.
22. Stolk P.A., Eaglesham D.J., Gossmann H.-J., Poate J.M. Appl. Phys. Lett. 66:1995;1370.
23. Rücker H., Heinemann B., Bolze D., Kurps R., Krüger D., Lippert G., Osten H.J. Appl. Phys. Lett. 74:1999;3377.
24. Giles M.D. J. Electrochem. Soc. 138:1991;1160.
25. Rafferty C.S., Gilmer G.H., Jraiz M., Eaglesham D., Gossmann H.-J. Appl. Phys. Lett. 68:1996;2395.
26. Gajewski H., Langmach H., Telschow G., Zacharias K. Der 2D-Bauelementesimulator TOSCA, Handbuch. 1986;Weierstraß Institut, Berlin.
27. Heinemann B. 2D Bauelementesimulation der elektrischen Eigenschaften von SiGe HBTs Dissertation. Göttingen: Cuvillier Verlag, 1998.