Electron emission from nanotips of amorphous diamond

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 21, Issue 4, 2003, Pages 1216-1223

  Kan, M C ^a   Huang, J L ^a   Sung, J C ^b   Lii, D F ^c  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL TAIPEI UNIVERSITY   (Taiwan)

^c CHENG SHIU UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS MATERIALS; ASPECT RATIO; CHEMICAL BONDS; CURRENT DENSITY; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; DEPOSITION; ELECTRIC FIELDS; ELECTRON EMISSION; ELECTRON TUNNELING; NANOTECHNOLOGY;

NANOTIPS;

CARBON;

EID: 0141719651     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1574045     Document Type: Conference Paper

References (30)

1. G. A. J. Amartunga, M. Baxendale, N. Rupesinghe, I. Alexandrou, M. Chlowalla, T. B. A. Muindradasa, C. J. Kley, L. Zhang, and T. Sakai, New Diamond Front. Carbon Technol. 9, 31 (1999).
2. V. G. Litovchenko, A. A. Evtukh, N. I. Klyui, Y. M. Litvin, S. Y. Kuszinovsky, A. G. Chakhovskoi, and T. E. Felter, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 558, 577 (2000).
3. D. A. A. Ohlberg, A. A. Talin, and T. E. Felter, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 424, 393 (1997).
4. V. G. Litovchenko, A. A. Evutkh, R. I. Marchenko, N. I. Klyui, and V. A. Semenovich, Appl. Surf. Sci. 111, 213 (1997).
5. A. Lue, A. C. Ferrari, T. Yangi, and J. Robertson. Appl. Phys. Lett. 76, 2627 (2000).
6. K. H. Chen, J. J. Wu, L. C. Chen, C. Y. Wen, P. D. Kichambare, F. G. Tarntair, P. F. Kuo, S. W. Chang, and Y. F. Chen, Diamond Relat. Mater. 9, 1249 (2000).
7. W. Zhu, C. Bower, G. P. Kochanski, and S. Jin, Diamond Relat. Mater. 10, 1709 (2001).
8. Y. H. Chen, T. C. Hu, and I. N. Lin, J. Appl. Phys. 84, 3890 (1998).
9. F. G. Tarntair, L. C. Chen, S. L. Wei, W. K. Hong, K. H. Chen, and H. C. Chen, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1207 (2000).
10. O. Gröning, O. M. Küttel, P. Gröning, and L. Schlapbach, Appl. Surf. Sci. 111, 135 (1997).
11. S. E. Huq, P. D. Prewett, J. C. She, S. Z. Deng, and N. S. Xu, Mater. Sci. Eng., B 74, 184 (2000).
12. W. Zhu, G. P. Kochanski, and S. Jin, Science (Washington, DC, U.S.) 282, 1471 (1998).
13. K. Okano, S. Koizumi, S. R. P. Silva, and G. A. J. Amaratunga, Nature (London) 381, 140 (1996).
14. J. Robertson and E. P. O'Reilly, Phys. Rev. B 35, 2946 (1987).
15. J. Robertson, Diamond Relat. Mater. 4, 297 (1995).
16. J. L. Bredas and G. B. Street, J. Phys. C 18, L651 (1985).
17. J. Robertson and W. Milne, J. Non-Cryst. Solids 227-230, 558 (1998).
18. B. S. Satyanarayana, A. Hart, W. I. Milne, and J. Robertson, Diamond Relat. Mater. 7, 656 (1998).
19. S.-H. Yang, Ph.D. dissertation, Department of Electrical Engineering, Nation Chen Kung University Tainan, Taiwan, ROC, 1998, pp. 10-28.
20. F. Y. Wen, L. C. Chen, J. J. Wu, K. H. Chen, P. F. Kuo, C. W. Chang, Y. F. Chen, W. K. Hong, and H. C. Chen, Appl. Phys. Lett. 76, 2630 (2000).
21. D. Hong and M. Aslam, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 764 (1994).
22. V. V. Zhirnov, C. L. Rinne, G. J. Wojak, R. C. Sanwald, and J. J. Hren, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 87 (2001).
23. A. V. Karabutov, V. G. Ralchenko, I.I. Vlasov, R. A. Khmelnitsky, M. A. Negodaev, V. P. Varnin, and I. G. Teremetskaya, Diamond Relat. Mater. 10, 2178 (2001).
24. B. Angleraud, N. Mubumbila, P. Y. Tessier, V. Fernandez, and G. Turban, Diamond Relat. Mater. 10, 1142 (2001).
25. S. T. Jackson and R. G. Nuzzo, Appl. Surf. Sci. 90, 195 (1995).
26. P. Petiov, D. B. Dimitrov, D. Papadimitrious, G. Beshkov, V. Krastev, and Ch. Georgiev, Appl. Surf. Sci. 151, 233 (1999).
27. E. Liu, X. Shi, B. K. Tay, L. K. Cheah, H. S. Tan, J. R. Shi, and Z. Sun, J. Appl. Phys. 86, 6078(1999).
28. M. Chhowalla, A. C. Ferrari, J. Robertson, and G. A. J. Amaratunga, Appl. Phys. Lett. 76, 1419 (2000).
29. J. Y. Shim and H. K. Baik, Diamond Relat. Mater. 10, 847 (2001).
30. S. Xu, B. K. Tay, H. S. Tan, L. Zhong, Y. Q. Tu, S. R. P. Suva, and W. I. Milne, J. Appl. Phys. 79, 7234 (1996).