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Volumn 79, Issue 11, 2001, Pages 1599-1601

Stimulated-emission phenomena from InGaN/GaN multiple-quantum wells grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

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EID: 0040374390     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1402650     Document Type: Article
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References (23)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.