Scanning tunneling microscopy study of GaAs(001) surfaces

Applied Surface Science

Volumn 141, Issue 3-4, 1999, Pages 244-263

  Xue, Qi Kun ^a,b   Hashizume, T ^c   Sakurai, T ^a  

^a TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

^b INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

^c HITACHI LTD   (Japan)

Author keywords

61.14.Hg; 61.16.Ch; 68.55.Bd; EB; EL; First principles total energy calculations; GaAs; GD; Molecular beam epitaxy; Reflection high energy electron diffraction; SBA; Scanning tunneling microscopy

Indexed keywords

EID: 0039521659     PISSN: 01694332     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/s0169-4332(98)00511-x     Document Type: Article

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