Cantilever epitaxy of GaN on sapphire: Further reductions in dislocation density

Materials Research Society Symposium - Proceedings

Volumn 743, Issue , 2002, Pages 15-20

  Follstaedt, D M ^a   Provencio, P P ^a   Koleske, D D ^a   Mitchell, C C ^a   Allerman, A A ^a   Missert, N A ^a   Ashby, C I H ^a  

^a SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DISLOCATIONS (CRYSTALS); EPITAXIAL GROWTH; HETEROJUNCTIONS; PHASE TRANSITIONS; SAPPHIRE; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

CANTILEVER EPITAXY; CROSS SECTIONAL TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; DISLOCATION DENSITY; HETEROEPITAXIAL SYSTEMS;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0038034707     PISSN: 02729172     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1557/proc-743-l1.8     Document Type: Conference Paper

References (16)

1. J. S. Speck and S. J. Rosner, Physica B 273-274, 24 (1999).
2. T. S. Zheleva, O.-H. Nam, M. D. Bremser and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2472 (1997).
3. D. Kapolnek, S. Keller, R. Vetury, R. D. Underwood, P. Kozodoy, S. P. DenBaars and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 71, 1024 (1997).
4. K. Hiramatsu, K. Nishiyama, M. Onishi, H. Mizutani, M. Narukawa, A. Motogaito, H. Miyake, Y. Iyechika and T. Maeda, J. Cryst. Gro. 221, 316 (2000).
5. K. Linthicum, T. Gehrke, D. Thomson, E. Carlson, P. Rajagopal, T. Smith, D. Batchelor and R. Davis, Appl. Phys. Lett. 75, 196 (1999).
6. C. I. H. Ashby, C. C. Mitchell, J. Han, N. A. Missert, P. P. Provencio, D. M. Follstaedt, G. M. Peake and L. Griego, Appl. Phys. Lett. 77, 3233 (2000).
7. D. M. Folstaedt, P. D. Provencio, N. A. Missert, C. C. Mitchell, D. D. Koleske, A. A. Allerman and C. I. H. Ashby, Appl. Phys. Lett. 81, 2758 (2002).
8. T. M. Katona, M. D. Craven, P. T. Fini, J. S. Speck and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 79, 2907 (2001).
9. A. Strittmatter, S. Rodt, L. Reißmann, D. Bimberg, H. Schröder, E. Obermeier, T. Riemann, J. Christen and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 76, 727 (2001).
10. T. Detchprohm, M. Yano, S. Sano, R. Nakamura, S. Mochiduki, T. Nakamura, H. Amano and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L16 (2001).
11. A. Sakai, H. Sunakawa and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 71, 2259 (1997)
12. A. Sakai, H. Sunakawa and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 76, 442 (2000).
13. D. D. Koleske, A. J. Fischer, A. A. Allerman, C. C. Mitchell, K. C. Cross, S. R. Kurtz, J. J. Figiel, K. W. Fullmer, and W. G. Breiland, Appl. Phys. Lett. 81, 1940 (2002).
14. P. P. Provencio, D. M. Follstaedt, N. A. Missert, D. D. Koleske, C. C. Mitchell, A. A. Allerman and C. I. H. Ashby, paper L3.15, these proceedings.
15. M. E. Coultrin, C. C. Willan, M. E. Bartram, J. Han, N. Missert, M. H. Crawford and A. G. Baca, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G6.9 (1999).
16. S. J. Rosner, E. C. Carr, M. J. Lodowise, G. Girolami and H. I. Erikson, J. Appl. Phys. 70, 420 (1997).