메뉴 건너뛰기




Volumn 42, Issue SPEC., 2003, Pages

Characteristics of nitride-based laser diode grown on SiO2-removed laterally overgrown GaN

Author keywords

GaN; Laser diode; LEO

Indexed keywords


EID: 0037305220     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Conference Paper
Times cited : (3)

References (9)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.